0 引言

　　半導體功率器件按材料劃分大體經歷了三個階段。第一代半導體功率器件以Si雙極型功率晶體管為主要代表，主要應用在S波段及以下波段中。Si雙極型功率晶體管在L波段脈沖輸出功率可以達到數百瓦量級，而在S波段脈沖功率則接近200W。第二代半導體功率器件以GaAs場效晶體管為代表，其最高工作頻率可以達到30～100 GHz。GaAs場效應晶體管在C波段最高可輸出功率接近100W，而在X波段則可達到25 W。第三代半導體功率器件以SiC場效應晶體管和GaN高電子遷移率晶體管為主要代表。同第一代、第二代半導體材料相比，SiC和GaN半導體材料具有寬禁帶、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率以及抗輻射能力強等優點，特別適合應用于高頻、高功率、抗輻射的功率器件，并且可以在高溫惡劣環境下工作。由于具備這些優點，寬禁帶半導體功率器件可以明顯提高電子信息系統的性能，廣泛應用于人造衛星、火箭、雷達、通訊、戰斗機、海洋勘探等重要領域。

　　本文基于Agilent ADS仿真軟件設計實現一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細說明設計步驟并對放大器進行了測試，結果表明放大器可以在2.3～2.4 GHz內實現功率15W以上，附加效率超過67%的輸出。

　　1 GaN寬禁帶功率放大器的設計

　　1.1 放大器設計指標

　　在2.3～2.4 GHz工作頻段內，要求放大器連續波工作，輸出功率大于10 W，附加效率超過60%。

　　1.2 功率管的選擇

　　根據放大器要求的設計指標，設計選用的是某進口公司提供的SiC基GaN寬禁帶功率管，其主要性能參數見表1。

　　1.3 放大器電路設計

　　圖1為功率放大器原理框圖。圖1中，IMN&Bias和OMN&Bias分別為輸入匹配網絡及輸入偏置電路和輸出匹配網絡及偏置電路，VGS和VDS分別為柵極-源極工作電壓和漏極-源極工作電壓。采取的設計思路是：對功率管進行直流分析確定放大器靜態工作電壓;進行穩定性分析和設計;利用源牽引(Source Pull)和負載牽引(Load Pull)方法確定功率管匹配電路的最佳源阻抗ZS和最佳負載阻抗ZL(ZS和ZL的定義見圖1);

　　根據獲得的源阻抗與負載阻抗進行輸入、輸出匹配電路設計以及偏置電路設計;加工、調試及改版。

　　1.3.1 直流分析

　　對功率放大器進行直流分析的目的是通過功率管的電流-電壓(I-V)曲線確定功率管的靜態工作電壓。由于廠家提供了功率管的ADS模型，因此設計中直接利用該模型進行仿真設計(下同)。

　　圖2為在Agilent ADS軟件中對器件模型進行直流分析的結果。根據廠家給出的器件規格參數以及圖2中的I-V曲線，選用VDS=28 V，VGS=-2.5 V作為放大器的工作電壓。為使放大器能夠實現較高的效率，這里選取靜態電壓讓放大器在C類條件下工作。

　　1.3.2 穩定性分析

　　穩定性是放大器設計中需要考慮的關鍵因素之一，它取決于晶體管的S參數和置端條件。功率放大器的不穩性將產生不希望出現的寄生振蕩，導致結果失真，甚至設計失敗。因此，在進行放大器阻抗匹配電路設計之前，必須進行穩定性分析與設計。

　　圖3給出了功率管穩定系數隨頻率的變化曲線。圖3中，穩定系數K與D分別定義為：

　　從圖3可以看出，在設計頻段內穩定系數K和D分別滿足大于1和小于1的條件，所以功率管為無條件穩定。

　　1.3.3 源牽引與負載牽引分析

　　源牽引/負載牽引分析方法原理：放大器在大信號電平激勵下，通過連續變換源阻抗/負載阻抗對功率管進行分析，然后在Smith阻抗圓圖上畫出等功率曲線和等增益曲線，并根據設計要求選擇出最佳源阻抗/最佳負載阻抗準確設計出滿足要求的功率放大器。

　　分析中選取中心頻率f=2.35 GHz。為準確獲取功率管的最佳源阻抗ZS和最佳輸出阻抗ZL，分析過程中遵循效率優先的策略，并采取如下步驟：

　　首先，假定ZS(O)=10 Ω進行負載牽引分析獲得ZL(1);然后，根據ZL(1)進行源牽引分析獲得ZS(1);再根據ZS(1)進行負載牽引分析得到ZL(2)，…。重復進行源牽引分析與負載牽引分析，直至前后兩次得到的負載阻抗ZL相等或者相差很小為止。

　　圖4為進行源牽引分析和負載牽引分析得到的功率管輸出功率、附加效率(Power Added Efficiency，PAE)等高線圖。圖4中，功率管的附加效率定義為：

　　式中：POUT，PIN和PDC分別為放大器輸出功率、輸入功率和電源消耗功率;ηPAE代表功率附加效率。

　　從圖4中可以讀出功率放大器的最佳源阻抗與最佳負載阻抗分別為ZS=2.1-j6.5 Ω與ZL=13+j7.8 Ω。

　　1.3.4 匹配網絡、偏置電路設計

　　匹配電路主要用來進行阻抗變換，其最終的目的是為了實現最大的功率傳輸。在仿真設計過程中，首先假設是在理想偏置電路的情況下利用取得的最佳源阻抗和最佳負載阻抗進行輸入、輸出匹配網絡設計，然后根據1/4λ準則進行偏置電路設計，并通過微調電路部分參數使偏置電路滿足射頻扼流的要求。在Agilent ADS軟件中，為使設計能夠準確模擬真實情況，一般需要在電路設計(基于模型的)之后進行RFMomen-tum優化仿真。圖5為Agilent ADS軟件設計的放大器匹配網絡與偏置電路。圖5中，微波電路基板材料選用的是Rogers公司的RT/duroid 6002板材，介電常數為2.94，厚度為O.254 mm。優化仿真過程中發現：放大器的效率和帶寬是一對矛盾，當效率提高時，帶寬變窄，反之亦然。

　　2 指標測試

　　放大器實物如圖6所示。

　　對設計的寬禁帶功率放大器進行了測試。測試條件是：連續波工作，漏極電壓VDS=28 V，柵極電壓VGS=-2.5 V。圖7為頻率為2.35 GHz時，放大器輸出功率、附加效率隨輸入功率的變化曲線。由測試結果可知：隨著輸入功率的增大，放大器的輸出功率近似呈線性增大，在26 dBm開始出現飽和;隨著輸入功率的增大，放大器附加效率增大，在27 dBm時達到最大附加效率68.5%。實驗還在2.2～2.6 GHz頻率范圍內(0.5 GHz為步長)測試了放大器的輸出功率和附加效率參數，測試結果如圖8所示。在2.25～2.5 GHz頻率范圍內，放大器輸出功率在10 W以上，附加效率也超過60%。在2.3～2.4 GHz頻率范圍內，輸出功率超過15 W，附加效率超過67 9/6，放大器滿足設計指標。

　　3 結語

　　利用SiC基GaN寬禁帶功率器件設計制作了S波段10 W功率放大器。試驗測試結果表明所設計的放大器在2.3～2.4 GHz內附加效率在67 9/6以上，也證實了寬禁帶器件高效率、高增益的特點。