隨著智能手機的普及，伴隨而來的智能手機待機時間短的問題逐漸受到人們的關注。一般情況下，智能手機待機最多不超過3天，如果用戶經(jīng)常用手機玩游戲，更是有可能連一天都堅持不下來。為此，很多產商都在研究如何降低手機的功耗問題。最近，日本東芝公司宣布他們開發(fā)出了一種新型高速緩存，承諾使用他們緩存的處理器可以降低三分之二的功耗。

據(jù) 了解，如今市面上常見的移動處理器一般使用的緩存為高速靜態(tài)隨機存儲器（SRAM），SRAM?最大的問題是必須接通電源才能保存和刷新數(shù)據(jù)，這意味著它 會一直持續(xù)不斷地消耗電源。并且隨著處理器芯片性能地不斷增加，SRAM?功率也在增加，甚至還有可能發(fā)生內存泄漏的現(xiàn)象。

與?SRAM?不同，MRAM?屬于非易失性存儲器，能夠在沒有電源的情況下保存數(shù)據(jù)，而刷新數(shù)據(jù)只需要控制電源即可。但是，它一直存在比?SRAM?功耗高、存儲速度慢的問題。

東芝公司開發(fā)的這款?STT-MRAM?是在?MRAM?基礎上改進的，兩者的不同之處在于?STT-MRAM?操作速度更快，并且功耗也降低了?90%?以上。如果它與?SRAM?相比，則功耗只有后者的三分之一。這將被視為電池的使用時間凈增加了兩倍。

目前，東芝公司開發(fā)的?STT-MRAM?還處在“高度精確處理器模擬器”研發(fā)階段，并沒有生產樣品。不過東芝公司有信心將?STT-MRAM?集成到現(xiàn)實的移動處理器中，并在未來的智能手機和平板電腦中使用。