——HMC635LC4。 文件下載： HMC635LC4.pdf 一、產品概述 HMC635LC4是一款由Analog Devices推出的GaAs PHEMT MMIC驅動放大器，工作頻段為18
2026-01-04 14:50:22
60 深入剖析HMC634LC4：5 - 20 GHz GaAs PHEMT MMIC驅動放大器 在微波射頻領域，驅動放大器扮演著至關重要的角色。今天，我們就來詳細剖析一款性能出色的驅動放大器
2026-01-04 14:50:0956 探索HMC633LC4：5.5 - 17 GHz GaAs PHEMT MMIC驅動放大器的卓越性能 在微波射頻領域，高性能的驅動放大器是眾多應用的核心組件。今天，我們就來深入了解一款出色的驅動
2026-01-04 14:35:0532 探索HMC594：2 - 4 GHz GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器的卓越性能 在電子工程領域，低噪聲放大器（LNA）對于提高系統的靈敏度和性能至關重要。今天，我們將深入探討HMC594
2026-01-04 14:15:1836 探索HMC383LC4：12 - 30 GHz GaAs PHEMT MMIC中功率放大器 在當今的射頻與微波領域，高效且性能卓越的功率放大器一直是工程師們追求的目標。今天，我們將深入探討
2025-12-31 16:05:0271 21 - 29 GHz SMT GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器HMC341LC3B詳解 在高頻電子設計領域，低噪聲放大器（LNA）是至關重要的組件，它能夠在放大信號的同時盡可能減少噪聲
2025-12-31 15:45:0295 。今天，我們就來詳細探討一下Analog Devices推出的HMC263LP4E這款GaAs MMIC低噪聲放大器。 文件下載： HMC263LP4E.pdf 典型應用場景 HMC263LP4E在
2025-12-31 14:00:1384 探索BGSA14M2N10：超小型天線調諧SP4T開關的卓越性能 在當今的射頻應用領域，對于高性能、小尺寸的天線調諧開關的需求日益增長。今天，我們就來深入了解一款由英飛凌（Infineon）推出
2025-12-21 11:25:05630 探索BGSA144ML10：超高壓射頻天線調諧SP4T開關的卓越性能 在射頻（RF）應用領域，天線調諧開關的性能對于系統的整體表現起著至關重要的作用。今天，我們就來深入了解一款高性能的天線調諧開關
2025-12-21 11:20:08629 HMC252A非反射式射頻開關HMC252A（ADI器件編號HMC252AQS24E）是一款基于 GaAs MMIC 工藝的 SP6T 非反射式射頻開關，憑借其低插入損耗、高集成度及寬頻
2025-12-09 09:23:07
設計，還確保了出色的電氣性能與可靠性，廣泛適用于各類高頻通信及射頻應用場景。規格參數? 工藝：0.25 μm GaAs pHEMT，單片微波集成電路（MMIC）
? 封裝：SMT 陶瓷 4 mm × 4
2025-11-27 09:47:58
電子發燒友網為你提供()采用 QFN 封裝的 0.1 至 2.7 GHz SP4T 高功率天線調諧開關相關產品參數、數據手冊，更有采用 QFN 封裝的 0.1 至 2.7 GHz SP4T 高功率
2025-10-31 18:32:13
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2025-10-30 18:33:52
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2025-10-30 18:32:53
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2025-10-30 18:31:17
電子發燒友網為你提供()采用 QFN 封裝的 0.1 至 2.7 GHz SP3T 高功率天線調諧開關相關產品參數、數據手冊，更有采用 QFN 封裝的 0.1 至 2.7 GHz SP3T 高功率
2025-10-30 18:30:43
GHz DP8T （SP4T/SP4T） 主/接收分集開關，帶 MIPI RFFE 接口，用于載波聚合的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.4 至 3.8 GHz DP8T （SP4T
2025-10-29 18:32:47
開關，帶 MIPI RFFE 接口的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.4 至 2.7 GHz SP4T LTE 發射/接收開關，帶 MIPI RFFE 接口真值表，0.4 至 2.7
2025-10-28 18:33:46
GHz DP12T （SP6T/SP6T）主/接收分集開關，帶 MIPI RFFE 接口，用于載波聚合的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.4 至 3.8 GHz DP12T （SP6T
2025-10-28 18:33:09
一款四方扁平無引線 (QFN) 單刀四擲 (SP4T) 開關，專為需要超低導通電阻和低關斷電容的天線調諧應用而設計。開關由集成移動行業處理器接口 (MIPI) 控
2025-10-28 11:13:58
DP21T （SP12T/SP9T） MIPI 主天線開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，用于載波聚合的 0.7 至 3.0 GHz DP21T （SP12T/SP9T） MIPI 主
2025-08-19 18:33:13
圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，pHEMT GaAs IC 高功率 SP5T 開關 0.1–2 GHz真值表，pHEMT GaAs IC 高功率 SP5T 開關 0.1–2 GHz管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-08-18 18:35:31
電子發燒友網為你提供()GaAs SP4T 吸收式開關 20 MHz–2.5 GHz相關產品參數、數據手冊，更有GaAs SP4T 吸收式開關 20 MHz–2.5 GHz的引腳圖、接線圖、封裝手冊
2025-08-18 18:34:42
電子發燒友網為你提供()0.1 至 3.8 GHz SP4T 天線開關相關產品參數、數據手冊，更有0.1 至 3.8 GHz SP4T 天線開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.1
2025-08-18 18:32:30
電子發燒友網為你提供()20 MHz-6.0 GHz GaAs SP4T 開關相關產品參數、數據手冊，更有20 MHz-6.0 GHz GaAs SP4T 開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
2025-08-15 18:35:10
、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，用于超寬帶 （UWB） 3–8 GHz 的 GaAs SP2T 開關真值表，用于超寬帶 （UWB） 3–8 GHz 的 GaAs SP2T 開關管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-08-15 18:30:58
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2025-08-13 18:34:14
GHz DP10T （SP5T/SP5T） 主/接收分集開關，帶 MIPI RFFE 接口，用于載波聚合的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.4 至 3.8 GHz DP10T （SP5T
2025-08-13 18:32:12
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2025-08-13 18:30:22
DP12T （SP7T/SP5T） 接收分集開關，帶 MIPI RFFE 接口，用于載波聚合的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.6-2.7 GHz DP12T （SP7T/SP5T） 接收
2025-08-12 18:32:58
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2025-08-12 18:32:09
、封裝手冊、中文資料、英文資料，帶解碼器的 0.02-4.0 GHz 高隔離 SP4T 吸收開關真值表，帶解碼器的 0.02-4.0 GHz 高隔離 SP4T 吸收開關管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-08-08 18:33:13
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2025-08-08 18:32:38
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2025-08-08 18:32:11
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2025-08-07 18:33:58
圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，20 MHz 至 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 開關真值表，20 MHz 至 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 開關管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-08-06 18:31:03
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2025-08-04 18:31:31
電子發燒友網為你提供()雙頻匹配 SP4T Wi-Fi 交換機相關產品參數、數據手冊，更有雙頻匹配 SP4T Wi-Fi 交換機的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，雙頻匹配 SP4T
2025-08-01 18:34:04
DP14T （SP8T/SP6T） MIPI 主天線開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，用于載波聚合的 0.7 至 2.7 GHz DP14T （SP8T/SP6T） MIPI 主天線
2025-08-01 18:33:12
DP10T （SP6T/SP4T） MIPI 主天線開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，用于載波聚合的 0.7 至 2.7 GHz DP10T （SP6T/SP4T） MIPI 主天線
2025-08-01 18:32:15
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2025-07-31 18:32:16
Analog Devices Inc. ADRF5042/43 Si非反射44GHz SP4T開關采用絕緣硅（SOI）工藝制造而成。ADRF5042具有100MHz至44GHz頻率范圍，插入損耗低于
2025-06-16 09:29:58752 
Analog Devices Inc. ADRF5048非反射SP4T開關采用絕緣體上硅 (SOI) 工藝制造而成。該器件的工作頻率范圍為100MHz至45GHz，插入損耗低于4.0dB，隔離度高于
2025-06-11 18:17:27833 
CMD236C4是Qorvo公司推出的一款寬帶MMIC SP6T（單刀六擲）射頻開關，采用先進的4x4毫米無引線表面貼裝封裝，專為高頻應用設計。CMD236C4開關覆蓋直流至18GHz的廣闊頻段，在
2025-06-09 08:53:51
RF1140DS單極四擲（SP4T）開關RFMD現貨庫存RF1140DS是一種單極四擲（SP4T）開關，專為需要極低插入損耗和高功率處理能力的通用開關應用而設計。RF1140DS非常適合需要
2025-06-06 09:19:12
CMD229P4低噪聲放大器Custom MMIC原裝庫存CMD229P4是一款由Custom MMIC生產的寬帶砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC）低噪聲放大器（LNA），專為射頻(RF
2025-06-06 09:15:18
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2025-05-20 18:31:47
ADGM1004是一款寬帶、單刀四擲(SP4T)開關，采用ADI公司的微型機電系統(MEMS)開關技術制造而成。利用該技術可實現小型、寬RF帶寬、高線性、低插入損耗開關，其工作頻率范圍為0 Hz/dc至13 GHz，是滿足各種RF和精密設備開關需求的理想解決方案。
2025-05-15 14:32:27950 
ADGM1144 是一款寬帶單刀四擲 (SP4T) 開關，使用 ADI 公司的微機電系統 (MEMS) 開關技術制造。該技術可實現小尺寸、寬射頻帶寬、高線性、低插入損耗開關，工作頻率低至 0 Hz
2025-05-15 14:20:281035 
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2025-05-13 18:31:01
HMC792ALP4E是一款采用小型無引腳SMTA封裝的寬帶6位GaAs集成電路數字衰減器。這款可變衰減器在靠近直流工作時集成了片內交流接地電容，適用于多種射頻和中頻應用。
2025-04-24 16:41:55753 
HMC1095LP4E是一款寬帶6位GaAs IC數字衰減器，采用低成本無鉛SMT封裝。 多功能數字衰減器采用針對接近直流操作的片外交流接地電容，使其適合各種RF和IF應用。 雙模控制接口兼容
2025-04-24 14:14:26638 
HMC629ALP4E是一款寬帶4位GaAs IC數字衰減器，采用低成本無引腳SMT封裝。這款多功能數字衰減器采用針對接近直流操作的片外交流接地電容，適合各種RF和IF應用。雙模控制接口兼容CMOS
2025-04-24 09:31:48795 
HMC1105是一款無源微型倍頻器MMIC。 相對于輸入信號電平，無用基波和高階諧波抑制高達46 dB（典型值）。 該倍頻器采用與Hittite MMIC混頻器中相同的GaAs Schottky二極管/巴倫技術。 它尺寸小，無需直流偏置，且無需在倍增信號上增加可衡量的加性相位噪聲。
2025-04-17 09:16:29706 
HMC-C071是一款通用的寬帶高隔離度非反射式GaAs pHEMT SP4T開關，封裝在微型密封模塊中，帶有可現場更換的SMA連接器。 該開關頻率范圍為DC至20 GHz，具有高隔離和低插入損耗
2025-04-08 09:41:55726 
HMC904LC5是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下混頻器，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該器件提供12 dB的小信號轉換增益、3 dB的噪聲系數，并在頻段范圍內提供30 dB的鏡像抑制性能。 HMC904LC5采用LNA，后接由有源x2倍頻器驅動的鏡像抑制混頻器。
2025-04-02 14:36:16789 
HMC572LC5是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該器件在整個頻段范圍內提供8 dB的小信號轉換增益、3.5 dB的噪聲系數和18 dB的鏡像抑制性能。 HMC572LC5采用LNA，后接由x2有源倍頻器驅動的鏡像抑制混頻器。
2025-04-02 09:59:55916 
HMC1065LP4E是一款緊湊型GaAs MMIC鏡像抑制低噪聲變頻器，采用符合RoHS標準的無鉛SMT封裝。 該器件提供13 dB的小信號轉換增益，17 dBc的鏡像抑制和-2 dBm輸入IP3
2025-04-01 11:32:01767 
HMC1063LP3E是一款緊湊型I/Q MMIC混頻器，采用“無鉛”SMT封裝，可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個標準Hittite雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件，均
2025-04-01 11:25:48772 
HMC1056LP4BE是一款緊湊型I/Q MMIC混頻器，采用“無鉛”SMT封裝，可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個標準Hittite雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件，均
2025-04-01 11:02:52817 
HMC525ALC4是一款砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，采用符合RoHS標準的24引腳、陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝。該器件可用作鏡像抑制混頻器或單邊
2025-03-27 10:57:41898 
HMC963LC4是一款自偏置GaAs MMIC低噪聲放大器，采用無引腳4x4 mm陶瓷表面貼裝封裝。 該放大器的工作頻率范圍為6至26.5 GHz，提供20 dB的小信號增益，2.5 dB
2025-03-21 15:45:30737 
HMC633LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驅動放大器，采用無鉛4x4 mm表貼陶瓷封裝，工作頻率范圍為5.5至17 GHz。 該放大器提供高達30 dB的增益、+30 dBm輸出IP3及+23 dBm的輸出功率（1 dB增益壓縮時），功耗為180 mA（+5V電源）。
2025-03-21 09:28:32803 
HMC564LC4是一款高動態范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，采用符合RoHS標準的無引腳4x4mm SMT封裝。 HMC564LC4工作頻率范圍為7至14 GHz，在整個工作頻段內
2025-03-20 15:29:58834 
HMC517LC4是一款高動態范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA)芯片，采用符合RoHS標準的無引腳無鉛SMT封裝。 HMC517LC4提供19 dB小信號增益、2.5 dB
2025-03-20 14:11:22841 
HMC342LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪音放大器，采用符合RoHS標準的無引腳4x4 mm SMT封裝。 該放大器的工作頻率范圍為13至25 GHz，采用+3V單電源時提供22
2025-03-20 09:21:54786 
HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為24至36 GHz，采用無引腳SMT塑料封裝。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工藝制造而成，采用3 V
2025-03-19 15:41:44776 
HMC1040LP3CE是一款自偏置GaAs MMIC低噪聲放大器，采用無鉛3x3 mm塑料表面貼裝封裝。 該放大器的工作頻率范圍為24至43.5 GHz，提供23 dB的小信號增益，2.2 dB
2025-03-19 14:18:45784 
電子發燒友網站提供《ADRF5345高線性度硅SP4T開關英文手冊.pdf》資料免費下載
2025-03-14 18:23:44
0 HMC392ALC4是一款GaAs MMIC低噪聲放大器，工作頻率范圍為3.5至8.0 GHz。該放大器采用無引腳4x4 mm SMT封裝，電源電壓為+5V，提供17 dB增益、1.8 dB噪聲系數
2025-03-11 18:13:38910 
HMC641ALC4是一款寬帶反射GaAs pHEMT SP4T開關，采用緊湊型4x4 mm陶瓷封裝。 該開關頻率范圍為DC至20 GHz，具有高隔離、低插入損耗和片內端接隔離端口。 該開關還集成
2025-03-07 16:55:33826 
HMC345ALP3E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP4T開關，采用低成本無引腳表貼封裝。該開關頻率范圍為DC至8 GHz，具有高隔離和低插入損耗。該開關還集成了板載二進制解碼電路，將所需邏輯控制線減至兩條。該開關采用0/+5V正控制電壓工作，所需固定偏置為+5V。
2025-03-06 16:59:431010 
HMC344ALP3E是一款寬帶、非反射式、單刀四擲(SP4T)開關，采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造。該開關具有高隔離、低插入損耗和片內端接隔離端口。
該
2025-03-06 16:37:131013 
上集成了3:8解碼器，僅需三個控制線和一個正偏置即可選擇每個路徑。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T將替代SP4T和SPDT MMIC開關的多種配置。
2025-03-06 16:21:14967 
HMC322ALP4E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP8T開關，采用低成本無引腳表貼封裝。 該開關頻率范圍為DC至8 GHz，具有高隔離和低插入損耗。 該開關還集成了片內二進制解碼電路
2025-03-06 16:12:39830 
HMC321ALP4E是一款寬帶非反射GaAs SP8T開關，采用低成本無引腳表貼封裝。該開關頻率范圍為DC至8 GHz，具有高隔離和低插入損耗。該開關還集成了板載二進制解碼電路，將所需邏輯控制線
2025-03-06 16:07:57747 
，僅需三個控制線和一個正偏置即可選擇每個路徑. HMC252AQS24E SP6T可取代SP4T和SPDT MMIC開關和邏輯驅動器的多種配置。
2025-03-06 15:01:341000 
HMC245AQS16和HMC245AQS16E均為低成本反射式SP3T開關，采用16引腳QSOP表貼封裝。 該開關頻率范圍為DC至3.5 GHz，提供30至40 dB隔離和0.7 dB的低插入損耗
2025-03-06 14:52:49992 
HMC241AQS16和HMC241AQS16E均為通用型低成本非反射式SP4T開關，采用16引腳QSOP封裝。 該開關頻率范圍為DC - 3.5 GHz，在2 GHz時具有高隔離度和0.7 dB
2025-03-06 14:43:11993 
HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz單刀四擲(SP4T)開關，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關提供43 dB（典型值）的高隔離度(2 GHz)、0.7 dB的低插入損耗(2 GHz)和片內端接隔離端口。
2025-03-06 14:37:012731 
HMC1084是一款寬帶反射GaAs MESFET SP4T開關，采用緊湊型4x4 mm陶瓷封裝。 該開關頻率范圍為23 - 30 GHz，具有高隔離度和低插入損耗。 HMC1084由0/-3V邏輯
2025-03-06 11:52:46912 
HMC7992是一款通用型、非反射式、0.1 GHz至6.0 GHz、單刀四擲(SP4T)硅開關，采用無引腳、表貼封裝。 該開關適合蜂窩基礎設施應用，提供45 dB（典型值）的高隔離度(2 GHz
2025-03-06 09:42:17841 
ADRF5040是一款通用、寬帶高隔離度、非反射式單刀四擲(SP4T)開關，采用LFCSP表貼封裝。該開關頻率范圍為9 kHz至12.0 GHz，具有高隔離度和低插入損耗。該開關具有34 dB隔離
2025-03-05 16:22:17874 
HMC641ALP4E是一款通用型、非反射式、單刀四擲(SP4T)開關，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關具有高隔離、低插入損耗和片內端接隔離端口。
該開關采用?5 V至?3 V負電源電壓
2025-03-05 15:12:02885 
ADRF5044 是一款利用硅工藝制造的通用單極四投 (SP4T) 開關。 它采用 24 端子岸面柵格陣列 (LGA) 封裝，在 100 MHz 至 30 GHz 頻率范圍內具有隔離程度高、插入損耗低等特點。
2025-03-05 14:47:25922 
ADRF5045 是一款利用硅工藝制造的通用單刀四擲 (SP4T) 開關。它采用 24 端子岸面柵格陣列 (LGA) 封裝，在 9 kHz 至 30 GHz 頻率范圍內具有隔離程度高、插入損耗低等特點。
2025-03-05 14:42:38947 
ADRF5046 是一款利用硅工藝制造的反射式單刀四擲 (SP4T) 開關。
ADRF5046 的工作頻率范圍為 100 MHz 至 44 GHz，具有低于 3.0 dB 的插入損耗和高于
2025-03-05 13:55:14957 
ADRF5043是一款利用絕緣硅 (SOI) 工藝制造的非反射式單刀四擲 (SP4T) 開關。
ADRF5043的工作頻率范圍為9 kHz至44 GHz，具有低于2.5 dB的插入損耗以及高于36 dB的隔離性能。該器件對于直通路徑和端接路徑都能提供24 dBm的射頻(RF)輸入功率處理能力。
2025-03-05 11:25:23990 
ADRF5345是一款高線性度、反射式、單刀四擲(SP4T)開關，采用硅工藝制造。
ADRF5345的工作頻率范圍為1.8 GHz至3.8 GHz，具有低于0.40 dB的典型插入損耗以及84
2025-03-05 10:16:091013 
ADRF5049是一款非反射式SP4T開關，采用絕緣硅(SOI)工藝制造。
該器件的工作頻率范圍為9 kHz至45 GHz，具有低于3.3 dB的插入損耗，以及高于35 dB的隔離性能
2025-03-05 09:28:371121 
ADRF5050是一款非反射式SP4T開關，采用絕緣硅(SOI)工藝制造。ADRF5050的工作頻率范圍為100 MHz至20 GHz，具有低于1.20 dB的插入損耗以及高于47 dB的隔離性能。對于直通路徑，該器件具有33 dBm的射頻輸入功率處理能力。
2025-03-04 13:59:14961 
ADRF5347 是一款利用硅工藝制造的高線性度、反射式單刀四擲 (SP4T) 開關。
ADRF5347 的工作頻率范圍為 1.8GHz 至 3.8GHz，具有優于 0.42dB 的典型
2025-03-04 11:34:57871 
ADRF5054 是一款利用硅工藝制造的反射式單刀四擲 (SP4T) 開關。ADRF5054 的工作頻率為 1 GHz 至 60 GHz。該開關的插入損耗較低，在 40 GHz 和 60 GHz
2025-03-04 10:59:58982 
ADRF5048是一款非反射式SP4T開關，采用絕緣硅(SOI)工藝制造。
該器件的工作頻率范圍為100 MHz至45 GHz，具有低于4.0 dB的插入損耗，以及高于35 dB的隔離性能
2025-03-04 10:33:24986 
ADRF5045單刀四擲（SP4T）開關ADI
ADRF5045是一款基于硅工藝的通用單刀四擲（SP4T）開關，其封裝形式為24引腳的平面柵格陣列（LGA）。ADRF5045的工作頻率范圍寬廣，覆蓋
2025-02-14 09:08:16
HMC944LC4是一款寬帶反射GaAs MESFET SP4T開關，采用緊湊型4x4 mm陶瓷封裝。 該開關頻率范圍為23至30 GHz，具有高隔離度和低插入損耗。 HMC944LC4由0
2025-02-08 16:09:49
HMC253是一款非反射式SP8T開關，采用符合RoHS標準的無引腳4 mm x 4 mm SMT陶瓷封裝和24引腳QSOP封裝，寬帶工作頻率范圍為DC至3.5 GHz。 該開關提供單正偏置和真
2025-02-08 11:42:36
電子發燒友網站提供《帶注入電流控制的1.8V通用SP8T-Z和2個SP4T-Z模擬開關.pdf》資料免費下載
2025-02-07 14:35:280 HMC241是一款通用型非反射SP4T開關，采用低成本無鉛表貼封裝和16引腳QSOP封裝。 該開關頻率范圍為DC至4 GHz，在2 GHz時具有高隔離度和0.5 dB至0.7 dB的低插入損耗。 該
2025-02-07 10:35:32
、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，ADL8141-CSL: GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 14 GHz to 24 GHz Data Sheet真值表
2025-01-15 18:52:29
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