概述
ADRF5347 是一款利用硅工藝制造的高線性度、反射式單刀四擲 (SP4T) 開關。

ADRF5347 的工作頻率范圍為 1.8GHz 至 3.8GHz，具有優于 0.42dB 的典型插入損耗和 84dB 典型輸入 IP3。該套件對連續波信號的射頻輸入功率處理能力為 39dBm，對長期演進 (LTE) 信號的平均射頻輸入功率處理能力為 39dBm，峰值為 49dBm。

ADRF5347 在 +5.0V 的正電源上消耗 2.5mA 的電流，在 -3.4V 的負電源上消耗 0.4mA 的電流。該套件采用低壓互補金屬氧化物半導體 (LVCMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯 (LVTTL) 兼容的控制。

ADRF5347 采用符合 RoHS 標準的 20 端子 4 mm × 4 mm 岸面柵格陣列 (LGA) 封裝，并可在 ?40°C 至 +105°C 的溫度范圍內工作。

出色的回波損耗和 IP3 使 ADRF5347 能夠在背靠背的配置中用于相移架構。有關更多信息，請參閱背靠背移相器參考設計部分。
數據表：*附件：ADRF5347高線性度、硅SP4T開關，1.8GHz至3.8GHz技術手冊.pdf

應用

• 5G 天線傾斜和波束合成
• 無線基礎設施
• 軍事和高可靠性應用
• 測試設備
• 引腳二極管替代器件
  特性
• 低插入損耗
  • 0.35dB 至 2.8GHz（典型值）
  • 0.42dB 至 3.8GHz（典型值）
• 高輸入線性度，IP3：84dBm（典型值）
• TCASE = 105°C 時具有高功率處理能力
• 長期（>10 年）平均值
  • 連續波功率：39dBm
  • 長期演進信號
    • 平均功率：39dBm
    • 峰值功率：49dBm
• 快速 0.1dB 建立時間：720ns（典型值）
• ESD 額定值
  • HBM：1000V，1B 級
  • CDM：750V，C4 級
• 正控制，兼容 LVCMOS-/LVTTL
• 4mm x 4mm，20 端子 LGA 封裝

引腳配置

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  接口示意圖
  
  典型性能特征
  
  每當任何控制輸入(V1、V2和LS)發生變化并啟動開關時，就會觸發ADRF5347的集成控制電路。在觸發實例之后，控制輸入必須在tpRoG內建立其最終值，并保持tHOLD。關閉后完成切換，之后可施加全射頻功率。開關狀態在tpRoc之后定義，控制電路不會處理控制輸入上的任何進一步變化，直到tpRoc失效。在t讀取持續時間內，控制輸入仍可被編程，并且一旦開關準備好進入新狀態，如果編程狀態不同于現有狀態，則控制電路被觸發。