（4）微晶硅技術(shù)（Microcrystalline Silicon TFT）

　　微晶硅技術(shù)在材料使用和膜層結(jié)構(gòu)上，和LCD常見的非晶硅技術(shù)基本上是相同的。

　　微晶硅技術(shù)器件的電子遷移率可達到1—10 cm2/V-s，是目前索尼選擇的技術(shù)。

　　這種技術(shù)雖然也能達到驅(qū)動OLED的目的，但由于其電子遷移率低，器件顯示效果差，目前選擇作為研究方向的廠家較少。

　　通過對各種TFT技術(shù)比較，我們可以看出，LTPS技術(shù)主要的優(yōu)點是電子遷移率極高，完全滿足OLED的驅(qū)動要求，而且經(jīng)過幾年的商業(yè)化生產(chǎn)，良品率已達到90%左右，生產(chǎn)成熟度高。主要的問題是初期設(shè)備投入成本高，大尺寸化比較困難。

　　金屬氧化物技術(shù)電子遷移率雖然沒有LTPS高，但能夠滿足OLED的驅(qū)動要求，并且其大尺寸化比較容易。主要的問題是穩(wěn)定性差，沒有成熟的生產(chǎn)工藝。

　　微晶硅和非晶硅技術(shù)雖然相對簡單，容易實現(xiàn)大尺寸化，并且在目前LCD生產(chǎn)線上可以制造，初期的投入成本較低，但其主要的問題是電子遷移率低的問題，適合LCD的電壓驅(qū)動，而不適用OLED的電流驅(qū)動模式，并且在OLED沒有成熟的生產(chǎn)經(jīng)驗，器件穩(wěn)定性和工藝成熟性無法保證。

　　結(jié)合目前世界上所有AMOLED生產(chǎn)廠家的實際情況，以及我們上面對幾種技術(shù)的比較和分析，我們認為廣東省當前在TFT基板技術(shù)上應采用低溫多晶硅技術(shù)（LTPS）技術(shù)，采用激光晶化方式。同時鼓勵金屬誘導方式的發(fā)展，如果能夠在金屬誘導方面取得突破，也可以作為一個技術(shù)方向。

　　（5）有機膜蒸鍍技術(shù)路線選擇

　　有機層形成方式，可分為傳統(tǒng)方式和新型方式。傳統(tǒng)方式是以氣相沉積技術(shù)為基礎(chǔ)的，而新興方式是以轉(zhuǎn)印和印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的。

　　新興方式中轉(zhuǎn)印技術(shù)由三星和3M聯(lián)合開發(fā)和研制；印刷技術(shù)主要由愛普生開發(fā)和研制。這兩種方法最大的優(yōu)點是提高材料使用率和簡化生產(chǎn)制程，但其技術(shù)和材料具有一定的壟斷性，目前還不具備量產(chǎn)的能力。

　　傳統(tǒng)的氣相沉積方法也就是我們通常所講的CVD，對于有機材料的蒸發(fā)，按照蒸發(fā)源的不同和蒸發(fā)方式的不同又分為點源式、線源式及OVPD（有機氣相沉積）。

　　OVPD是由德國愛思強公司研發(fā)，該工藝設(shè)計改進了可生產(chǎn)性，相對于蒸鍍技術(shù)可以降低制造成 本。具有優(yōu)越的重復性和工藝穩(wěn)定性以及顯著的膜層均勻性和摻雜的精確控制，為高良率批量生產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)，同時減少了維護和清潔要求，從而降級了材料消耗，具有提高材料利用率的巨大潛力。

　　OVPD方式具有較好的優(yōu)越性，由非OLED生產(chǎn)商研制，面向廣大的OLED生產(chǎn)商，是業(yè)界較為看好的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。但是該設(shè)備目前存在兩個問題：

　　1）目前成熟的設(shè)備僅可以制作370×470的尺寸，還無法滿足大尺寸生產(chǎn)的要求。

　　2）該設(shè)備目前對單色器件有較好的可靠性，但全彩的穩(wěn)定性還不夠理想。

　　鑒于以上的分析，我們只能采用點源或線源的蒸鍍方式。目前來看，點源技術(shù)日本TOKKI公司較為優(yōu)秀，線源技術(shù)日本ULVAC公司較為優(yōu)秀。宏威公司也可以在這方面加以努力。

　　（6）光射出方式技術(shù)路線選擇

　　目前OLED器件有兩種光出射方式：底發(fā)光和頂發(fā)光，下表是這兩種方式的對比：

　　底發(fā)光技術(shù)工藝成熟，選擇風險小，甚至沒有風險。頂發(fā)光制作工藝有兩個難點，一是陰極制作，另一個就是封裝方式。盡管頂部發(fā)光困難尚存，但已是趨勢所在（最少在背板材料沒有新的突破下）。但從長遠看，如果背板材料有了新的突破，如遷移率和均勻性得到質(zhì)的改善，那么底發(fā)光就有更低成本的優(yōu)勢。總體而言，采用a-Si背板，頂發(fā)光是較好的選擇；P-Si背板就可以考慮底發(fā)光方式。