近幾年，V2X技術(shù)的發(fā)展不能說(shuō)是不快，至少現(xiàn)在已經(jīng)能夠在路面上看到量產(chǎn)的V2X技術(shù)了。本文主要介紹了V2X中，DSRC和C-V2X兩種技術(shù)的進(jìn)化史。
2018-02-24 18:45:55
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功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 （Power MOSFET) 由于輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快，并且具有負(fù)溫度系數(shù)（溫度上升時(shí)電流減少），因此被認(rèn)為是一種理想的開(kāi)關(guān)器件。功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
2024-01-16 09:45:092485 
“十四五”重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃。國(guó)內(nèi)氧化鎵材料研究單位主要包括中電科46所、深圳進(jìn)化半導(dǎo)體、上海光機(jī)所、鎵族科技、銘鎵半導(dǎo)體、富加鎵業(yè)等。此外，數(shù)十家高校院所積極展開(kāi)氧化鎵項(xiàng)目的研發(fā)工作，積累了豐富的技術(shù)
2023-03-15 11:09:59
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車(chē)設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
電阻和氣體敏感膜。金電極連接氣敏材料的兩端，使其等效為一個(gè)阻值隨外部待測(cè)氣體濃度變化的電阻。由于金屬氧化物有很高的熱穩(wěn)定性，而且這種傳感器僅在半導(dǎo)體表面層產(chǎn)生可逆氧化還原反應(yīng)，半導(dǎo)體內(nèi)部化學(xué)結(jié)構(gòu)不變
2012-08-29 15:40:48
摘要：介紹了氧化物半導(dǎo)體甲烷氣體敏感元件的工作機(jī)理，論述了改善氧化物半導(dǎo)體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細(xì)結(jié)構(gòu)、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術(shù)可提高氧化物半導(dǎo)體
2018-10-24 14:21:10
的發(fā)展。為使液晶能在顯示器中的應(yīng)用，透明電極的圖形化以及液晶與半導(dǎo)體電路一體化的微細(xì)加工技術(shù)必不可缺。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的進(jìn)步，這些技術(shù)已趨向成熟。20世紀(jì)40年代，開(kāi)發(fā)出矽半導(dǎo)體，利用傳導(dǎo)電子的 n 型
2018-11-29 16:22:36
(MGS)。總減少量由以下等式控制硅在高溫下暴露于氧化劑時(shí)，很容易在所有暴露表面形成氧化物薄層。硅的天然氧化物以二氧化硅 (SiO) 的形式存在。在 CMOS 制造方面，SiO2 可以作為器件結(jié)構(gòu)（例如柵極
2021-07-06 09:32:40
，但顯然值得更多的關(guān)注用于商業(yè)利用和實(shí)施。本文綜述了臭氧化去離子水（DI-O3 水）在硅片表面制備中的應(yīng)用，包括去除有機(jī)雜質(zhì)、金屬污染物和顆粒以及光刻膠剝離。 介紹自半導(dǎo)體技術(shù)起源以來(lái)，清潔襯底表面在
2021-07-06 09:36:27
使用這些納米線陣列，可以實(shí)現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對(duì)具有不同帶隙的半導(dǎo)體納米線太陽(yáng)能電池器件的影響，重點(diǎn)是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導(dǎo)電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)介編號(hào)：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類(lèi)：絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
金屬氧化物H+選擇性電極作為玻璃電極的替代材料已引起了廣泛的關(guān)注，文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)的金屬氧化物pH電化學(xué)傳感器大部分是基于貴金屬氧化物電極，制備成本較貴，但W及其氧化物價(jià)格相對(duì)比校低。
2019-09-16 10:05:21
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
單芯片互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）傳感器有哪幾種？它們分別有什么應(yīng)用以及特點(diǎn)？
2021-06-17 08:54:54
類(lèi)型包括硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類(lèi)型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來(lái)軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
際此萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的來(lái)臨，圖像傳感可說(shuō)是促進(jìn)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的一個(gè)重要接口，是萬(wàn)物之“眼”。安森美半導(dǎo)體寬廣的成像和像素技術(shù)和圖像傳感器陣容，配以公司在成像領(lǐng)域的經(jīng)驗(yàn)和專(zhuān)長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)超越人眼界限的創(chuàng)新
2019-07-25 06:36:49
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術(shù)和方案分享
2021-05-31 07:07:32
的發(fā)展，將出現(xiàn)若干新的半導(dǎo)體技術(shù)，在芯片之上或者在芯片之外不斷擴(kuò)展新的功能。圖1就顯示了手機(jī)芯片技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。
2019-07-24 08:21:23
的發(fā)展。為使液晶能在顯示器中的應(yīng)用，透明電極的圖形化以及液晶與半導(dǎo)體電路一體化的微細(xì)加工技術(shù)必不可缺。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的進(jìn)步，這些技術(shù)已趨向成熟。20世紀(jì)40年代，開(kāi)發(fā)出矽半導(dǎo)體，利用傳導(dǎo)電子的 n 型
2018-11-01 16:21:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
、日本等國(guó)家和組織啟動(dòng)了至少12項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃，總計(jì)投入研究經(jīng)費(fèi)達(dá)到6億美元。借助各國(guó)***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來(lái)，化合物半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)取得了快速的進(jìn)步，為化合物半導(dǎo)體
2019-06-13 04:20:24
本帖最后由 濟(jì)世良駒 于 2016-10-10 22:31 編輯
第一講 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。2、常見(jiàn)
2016-10-07 22:07:14
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成
2016-11-27 22:34:51
電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專(zhuān)用半導(dǎo)體器件和通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)體器件開(kāi)和關(guān)的策略。
2020-10-29 09:08:19
1. 引言
通常可以在任何電源電路的交流輸入側(cè)發(fā)現(xiàn)的藍(lán)色或橙色圓形部件是金屬氧化物壓敏電阻或MOV。可以將金屬氧化物壓敏電阻視為另一種形式的可變電阻器，它可以根據(jù)施加在其兩端的電壓來(lái)改變其電阻。當(dāng)
2024-03-29 07:19:01
以氧化鋅為主的金屬氧化物閥片在一定的電壓和電流作用下的破壞可分為熱破壞和沖擊破壞兩類(lèi)。
熱破壞是指氧化鋅電阻在交流電壓持續(xù)作用時(shí)發(fā)生的破壞,即由于閥片在交流作用下的發(fā)熱超過(guò)了其散熱能力而導(dǎo)致的熱平衡
2024-03-29 07:32:53
金屬氧化物變阻器應(yīng)用于能量吸收電路的研究摘要：對(duì)金屬氧化物變阻器（MOV）的物理特性進(jìn)行了分析，在此基礎(chǔ)上提出了將MOV 吸收能量的過(guò)程分為三個(gè)階段即：換流部分、線性吸收部分、電流漸近部分的分析方法
2009-08-20 18:18:01
美國(guó)斯坦福大學(xué)研究人員最新研究發(fā)現(xiàn)，加熱鐵銹之類(lèi)金屬氧化物，可以提升特定太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率和能量?jī)?chǔ)存效率。這一發(fā)現(xiàn)由《能源和環(huán)境科學(xué)》雜志刊載。與現(xiàn)有硅太陽(yáng)能電池不同，這類(lèi)太陽(yáng)能電池是以金屬
2016-03-07 15:18:52
本章簡(jiǎn)要介紹金屬氧化物的表面性質(zhì)和表面反應(yīng)過(guò)程
2009-04-06 09:06:34
20 大多數(shù)實(shí)用氣敏傳感器是金屬氧化物半導(dǎo)體或金屬氧化物固體電解質(zhì)材料制作的．所以，把它們分為氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感器和氧化物固體電解質(zhì)氣敏傳感器兩類(lèi)．前者利用待測(cè)
2009-04-06 09:09:2734 以二氧化錫可燃性氣體傳感器為代表的金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感器和以二氧化鋯濃差電池氧氣傳感器為代表的金屬氧化物固體電解質(zhì)氣敏傳感器實(shí)用化以來(lái)的短短幾十年，
2009-04-06 09:14:4824 DU28120T射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V數(shù)字金屬氧化物半導(dǎo)體 射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V 數(shù)字
2022-11-29 10:41:01
論述了金屬氧化物SnO 2 的氣敏機(jī)理, 并對(duì)通過(guò)摻雜金屬、金屬離子、金屬氧化物以及形成復(fù)合型、多組分氧化物等方法制備SnO 2 薄膜氣敏傳感器的最新研究成果進(jìn)行了簡(jiǎn)要介紹。
2009-06-27 08:35:4928 討論了金屬氧化物半導(dǎo)體表面的氣2氣、氣2固反應(yīng)及其相應(yīng)的電子過(guò)程, 建立了分析氣敏作用機(jī)理的理論模型, 并提出了改進(jìn)傳感器性能的指導(dǎo)性意見(jiàn)。關(guān)鍵詞: 氣敏傳感器; 金
2009-07-02 09:52:2920 鋰電池正極材料鋰錳氧化物的改性與循環(huán)壽命摘要:對(duì)鋰錳氧化物進(jìn)行改性可有效提高其.其中合成摻雜鋰錳氧化物的解決性能下降的最有效手段.本文在探討改性鋰錳氧化物的結(jié)構(gòu)
2009-11-03 10:18:4316 半導(dǎo)體氣敏傳感器有多種分類(lèi)方法，主要一種是將其分為兩類(lèi)—電導(dǎo)控制型氣敏傳感器和電壓控制氣敏傳感器。其中電導(dǎo)控制型一般以金屬氧化物半導(dǎo)體材料如SnO、ZnO、FeO系為基體
2009-11-23 14:03:5236 產(chǎn)品介紹YF-9800-NOX氮氧化物在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，是奕帆科技按照《氮氧化物污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》，專(zhuān)門(mén)針對(duì)排放類(lèi)氣體，自主研發(fā)生產(chǎn)的用于連續(xù)監(jiān)測(cè)氮氧化物濃度的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，該套設(shè)備選用了7寸高清彩屏實(shí)時(shí)顯示
2023-03-13 14:53:41
金屬氧化物氣敏傳感器(VI）
以二氧化錫可燃性氣體傳感器為代表的金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感器和以二氧化鋯濃差電池氧氣傳感器為代表的金屬氧化物固體電解
2010-02-26 17:14:5814 該HI-8585 and HI-8586 是互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路，設(shè)計(jì)用于在8引腳封裝中直接驅(qū)動(dòng)ARINC 429總線，兩個(gè)邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產(chǎn)生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線接口產(chǎn)品是根據(jù)ARINC 429總線規(guī)范設(shè)計(jì)的硅柵互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
金葉儀器氮氧化物在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)是針對(duì)國(guó)內(nèi)外環(huán)保、工業(yè)控制現(xiàn)場(chǎng)在線氣體分析自主研發(fā)的氣體分析儀產(chǎn)品。系統(tǒng)基于氣體轉(zhuǎn)化技術(shù)和電化學(xué)傳感器技術(shù)，能夠測(cè)量排放源的NOx和O2的濃度，具有測(cè)量精度高、可靠性高
2024-06-12 14:23:40
模擬電路網(wǎng)絡(luò)課件 第十九節(jié):金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
4.3 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
結(jié)型場(chǎng)
2009-09-17 10:49:371792 
固體氧化物燃料電池
體氧化物燃料電池(Solid Oxide Fuel Cell，簡(jiǎn)稱(chēng)SOFC)屬于第三代燃料電池，是一種在中高溫
2009-10-23 11:23:191663
固態(tài)氧化物燃料電池 固態(tài)氧化物燃料電池工作溫度比溶化的碳酸鹽燃料電池的溫度還要高，它們
2009-11-09 10:19:43907 金屬氧化物陶瓷濕敏元件
將極其微細(xì)的金屬氧化物顆粒在高溫1300℃下燒結(jié)，可制成多孔體的金屬氧化物陶瓷，在這種多孔體表面加上電極，引出接線端子就可做
2009-11-12 16:28:001537 （MOV）層疊金屬氧化物壓敏電阻
Metal Oxide Varistor 金屬氧化物壓敏電阻，今天要探討的就是這個(gè)器件，一般的我們使用的貼片的較多，這里簡(jiǎn)稱(chēng)層疊的MOV為MLV（Mu
2009-11-21 11:29:143094 基于氧化物半導(dǎo)體的CMOS電路有望實(shí)現(xiàn)
東京工業(yè)大學(xué)教授細(xì)野秀雄研究室，利用一氧化錫（SnO）開(kāi)發(fā)出了n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體，由此基于氧化物半
2010-03-13 09:42:571073 哈爾濱工業(yè)大學(xué)科研人員完成的“中溫固體氧化物燃料電池的集成研發(fā)”項(xiàng)目日前通過(guò)鑒定。專(zhuān)家組認(rèn)為，該項(xiàng)目獨(dú)立開(kāi)發(fā)出的“流延共燒結(jié)技術(shù)”實(shí)現(xiàn)了我國(guó)在固體氧化物燃料
2010-12-24 12:07:14913 介紹 Detcon硫化氫氣體傳感器被設(shè)計(jì)用以監(jiān)視環(huán)境空氣中硫化氫氣體濃度，它的測(cè)量范圍從標(biāo)準(zhǔn)型的0-20/50/100PPM（可在工作現(xiàn)場(chǎng)調(diào)節(jié)）到高測(cè)量范圍型的1,000PPM。該產(chǎn)品采用固體氧化物半導(dǎo)體傳感技術(shù)。傳感器由兩片薄片組成：一片是加熱片，另一片是對(duì)硫化氫氣
2011-01-25 01:24:0643 iPhone主板芯片及整機(jī)配置的進(jìn)化史。iPhone主板芯片的進(jìn)化史，很詳細(xì)的配置清單升級(jí)過(guò)程，很專(zhuān)業(yè)很詳細(xì)。
2011-08-24 08:03:431392 本文將著重介紹氧化物無(wú)機(jī) 半導(dǎo)體材料 的光電化學(xué)研究領(lǐng)域的一些新進(jìn)展. 本文簡(jiǎn)述了二氧化鈦薄膜、氧化鋅薄膜、ZnO/TiO 復(fù)合涂層、SnO2: F 薄膜的發(fā)展概況及應(yīng)用
2011-11-01 17:49:4847 安森美半導(dǎo)體推出新的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，提供切合指紋識(shí)別及種種醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)等日益增多的高端生物測(cè)定應(yīng)用需求所要求的速度、分辨率及信噪比(SNR)性能
2011-11-11 09:09:352364 近日，中國(guó)大陸首塊氧化物TFT液晶屏（18.5英寸HD Oxide TFT-LCD）及首塊氧化物AMOLED顯示屏（4英寸WQVGA Oxide AMOLED）在京東方研發(fā)成功，同時(shí)，相關(guān)工藝技術(shù)及設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)也已完成。
2012-03-16 08:38:131544 本文介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)及金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管相關(guān)知識(shí)的詳解。
2017-11-22 19:54:1335 臺(tái)灣顯示器制造商中華映管（CPT）在Touch Taiwan臺(tái)灣觸控、面板暨光學(xué)膜展覽會(huì)上展出了采用Gen 4狹縫擠出涂布設(shè)備處理的涂覆iXsenic金屬氧化物半導(dǎo)體涂層的5.8 英寸LCD 顯示
2018-02-12 12:14:001564 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33122870 如果縱觀整個(gè)的發(fā)展歷程，那么手機(jī)屏幕的進(jìn)化史幾乎等同于手機(jī)的進(jìn)化史。從黑白液晶到彩色，從電阻屏到多點(diǎn)觸控。技術(shù)在不斷發(fā)展的同時(shí)，手機(jī)屏幕的尺寸也一直隨著人們的需要而不斷增加。如何在有限的面積上放入更多的顯示區(qū)域成了各個(gè)品牌亟待解決的問(wèn)題。
2019-01-10 10:32:457074 據(jù)外媒報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月24日，日本半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM）宣布推出超級(jí)緊湊，尺寸為1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品，可提供優(yōu)越的安裝可靠性
2019-09-09 15:05:467891 在很多的一些水污染中，其實(shí)都會(huì)使用到氮氧化物檢測(cè)儀。氮氧化物監(jiān)測(cè)是污染預(yù)警、污染物監(jiān)測(cè)和治理效果評(píng)定等工作的重要方式，需要氮氧化物檢測(cè)儀提供和實(shí)時(shí)的監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)。氮氧化物檢測(cè)儀可實(shí)現(xiàn)對(duì)氮氧化物排放的有效監(jiān)控，從而降低事故發(fā)生。那么您知道氮氧化物檢測(cè)儀的檢測(cè)原理是怎樣的嗎？
2020-10-29 16:34:378552 一氧化氮和二氧化氮等氮氧化物是常見(jiàn)的大氣污染物，能刺激呼吸入器官，對(duì)眼睛和上呼吸道粘膜刺激較輕，主要侵入呼吸道深部的細(xì)支氣管及肺泡。當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">氧化物進(jìn)入肺泡后，因肺泡的表面濕度增加，反應(yīng)加快，在肺泡內(nèi)約可阻留80%，一部分變?yōu)樗?b class="flag-6" style="color: red">氧化二氮。
2020-11-03 16:29:322209 氮氧化物指的是只由氮、氧兩種元素組成的化合物。常見(jiàn)的氮氧化物有一氧化氮（NO，無(wú)色）、二氧化氮（NO2，紅棕色）、一氧化二氮（N2O）、五氧化二氮（N2O5）等，其中除五氧化二氮常態(tài)下呈固體外，其他氮氧化物常態(tài)下都呈氣態(tài)。作為空氣污染物的氮氧化物（NOx）常指NO和NO2。
2020-12-02 15:40:333571 。 ? 氮氧化物檢測(cè)儀的技術(shù)特點(diǎn)： 1、采樣探頭結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、帶恒溫加熱、陶瓷濾芯，保養(yǎng)維護(hù)非常方便。 2、系統(tǒng)參照CEMS標(biāo)準(zhǔn)要求，采用抽取式冷干法，配備了雙路半導(dǎo)體制冷、KNF采樣泵、氣水分離器、精細(xì)過(guò)濾器等。 3、自帶超大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
2021-01-13 15:52:39731 隨著國(guó)家對(duì)環(huán)保行業(yè)的重視，氮氧化物在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)成為許多工業(yè)企業(yè)的“客人”。那么氮氧化物在線監(jiān)測(cè)儀是如何監(jiān)測(cè)的呢？ 氮氧化物氣體探測(cè)器的關(guān)鍵部件是氣體傳感器。氣體傳感器原則上可分為三類(lèi)： 1.利用物理
2021-03-19 15:19:172062 本書(shū)系統(tǒng)地介紹了金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件和金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路的設(shè)計(jì)諸問(wèn)題。全書(shū)共分六章。第一章為引言。第二章和第三章闡述了金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件的工作原理，推導(dǎo)出器件的基本方程并介紹了
2021-03-21 11:04:3219 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：金屬氧化物半導(dǎo)體的制造 編號(hào)：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計(jì)規(guī)則 ? 互補(bǔ)金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00744 
本文介紹了用μ-PCD方法對(duì)氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的遷移率和Vth漂移的評(píng)價(jià)結(jié)果。
2021-12-20 15:22:232211 
薄膜晶體管TFTs采用氧化鋅等非晶氧化物半導(dǎo)體，如ZnO, Ga-In-Zn-O, or Hf-InZn-O HIZO，由于其在平板顯示器上的高應(yīng)用潛力，目前是深入研究的課題。由于其相對(duì)于非晶硅
2022-01-14 13:54:351000 
制造具有鋁柵極的電容器，以通過(guò)在HP4145參數(shù)分析儀上的破壞性電場(chǎng)擊穿測(cè)試來(lái)確定器件的介電強(qiáng)度，使用同時(shí)高頻/低頻系統(tǒng)從C-V測(cè)試中獲得總氧化物電荷和界面陷阱密度。 介紹 水清洗工藝是去除污染物最常用的技術(shù)。這種去除對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)至關(guān)重要，因?yàn)槿藗兤毡檎J(rèn)
2022-06-20 16:11:271442 
半導(dǎo)體器件制造中涉及的一個(gè)步驟是在進(jìn)一步的處理步驟，例如，在形成柵極氧化物之前。進(jìn)行這種清洗是為了去除顆粒污染物、有機(jī)物和/或金屬以及任何天然氧化物，這兩者都會(huì)干擾后續(xù)處理。特別是清潔不充分是對(duì)柵極
2022-06-21 17:07:392771 
隨著氧化物技術(shù)迭代升級(jí)，不斷完善，各個(gè)企業(yè)亦各顯神通，那么京東方作為半導(dǎo)體顯示龍頭企業(yè)，在氧化物半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域上也是率先發(fā)力，已有多年的技術(shù)積累并取得了重大突破。跟小酷一起了解一下吧！
2022-07-15 11:42:415768 MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)方面給大家進(jìn)行簡(jiǎn)單的描述介紹。
2022-10-19 17:39:466239 
氮氧化物探測(cè)器適用于各種工業(yè)環(huán)境和特殊環(huán)境下氮氧化物濃度值的持續(xù)在線監(jiān)測(cè)，并配備報(bào)警功能（高低報(bào)警可調(diào)）。防爆接線方法適用于各種風(fēng)險(xiǎn)場(chǎng)所。儀器設(shè)備與各種報(bào)警控制器兼容，PLC、DCS等操作系統(tǒng)
2023-03-09 09:51:271037 帶熱脫扣的金屬氧化物壓敏電阻的優(yōu)點(diǎn)
2023-08-22 14:56:051462 
華映科技擁有自主研發(fā)的金屬氧化物面板技術(shù)，這是目前國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的氧化物器件技術(shù)。這種技術(shù)的突破，使得華映科技在全球顯示行業(yè)的地位日益提升。2023年，公司的一款12.6寸金屬氧化物2.5K高刷高靈敏臻彩屏，在第十一屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)上榮獲了顯示創(chuàng)新獎(jiǎng)。
2023-10-10 16:57:091557 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《大學(xué)寢室門(mén)的進(jìn)化史:RFID的寢室門(mén)禁系統(tǒng).rar》資料免費(fèi)下載
2023-11-08 09:19:537 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:412183 
斧工智能電批：淺談螺絲刀到智能電批的進(jìn)化史 提起螺絲刀，率先出現(xiàn)在我們腦海中的是日常生活中比較常見(jiàn)的手動(dòng)螺絲刀。但在當(dāng)今這個(gè)飛速發(fā)展的時(shí)代，科技革新的浪潮勢(shì)不可擋，不斷推動(dòng)著各行各業(yè)向前發(fā)展。無(wú)論是
2024-01-11 11:39:101210 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 多路復(fù)用器TMUX4827數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 10:57:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開(kāi)關(guān)TMUX7236數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 10:56:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 模擬多路復(fù)用器TMUX7308F和TMUX7309F數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 11:14:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開(kāi)關(guān)TMUX7219M數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 11:12:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 模擬多路復(fù)用TMUX734xF數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 11:27:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)開(kāi)關(guān)TMUX722x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 13:49:530 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 多路復(fù)用器TMUX1208和TMUX1209數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 17:27:101 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N通道NexFET? 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 15:43:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5405數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-11 10:57:560 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管TPS65270數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-11 11:22:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-25 10:03:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5403數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-25 09:57:130 和 107 的開(kāi)/關(guān)電流比，與早期 n 型氧化物薄膜晶體管的關(guān)鍵電氣屬性非常相似。此外，薄膜晶體管在長(zhǎng)時(shí)間偏置應(yīng)力下表現(xiàn)出顯著的穩(wěn)定性以及大面積薄膜的均勻性。 圖源：浦項(xiàng)工科大學(xué) 研究人員合作開(kāi)發(fā)了碲硒復(fù)合氧化物半導(dǎo)體材料。他們成功創(chuàng)造了高性能和高穩(wěn)定性的p型薄膜晶體管（
2024-04-30 14:58:391203 
for wafer-level Testing of Thin Dielectrics) 描述了通常用于監(jiān)測(cè)氧化物完整性的兩種晶圓級(jí)測(cè)試技術(shù)：電壓斜坡 (V-Ramp)和電流斜坡 (J-Ramp )。這兩種技術(shù)都為氧化物評(píng)估提供了快速反饋。
2024-11-18 10:22:272135 
隨著新材料和新技術(shù)的不斷發(fā)展，金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）和柔性石墨烯MOS（GrapheneMOS）作為兩種重要的半導(dǎo)體材料，在電子設(shè)備和器件的應(yīng)用中越來(lái)越受到關(guān)注。盡管它們都可以用作金屬氧化物
2024-12-19 15:23:391456 
半導(dǎo)體BOE（Buffered Oxide Etchant，緩沖氧化物蝕刻液）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝，尤其在微結(jié)構(gòu)加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二氧化硅刻蝕中廣
2025-04-28 17:17:255516 講解一、解密“電子鼻”1電子鼻的工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）氣體傳感器構(gòu)成的“電子鼻”，核心原理是利用金屬氧化物（如SnO?、ZnO等）表面對(duì)氣體的吸附-脫附特性。當(dāng)目標(biāo)氣體與金屬氧化物表面接觸時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)吸附反應(yīng)，導(dǎo)致材料的電導(dǎo)率
2025-07-31 18:26:26896 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱(chēng)為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 溶膠-凝膠法是20世紀(jì)60年代發(fā)展起來(lái)的一種制備陶瓷、玻璃等無(wú)機(jī)材料的濕式化學(xué)法。20世紀(jì)30年代，Geffcken證實(shí)用這種方法可以制備氧化物
2025-11-12 08:09:25902 
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