GaN晶體管的一項主要優勢是開關速度。然而，如果不從系統方面考慮利用這個性能，GaN的優勢可能無法實現。采用GaN晶體管提供的快速邊緣速率，系統設計人員可顯著增加開關頻率。雖然寄生電感總是對開關電路產生影響，但當邊緣速率和開關頻率上升，這個影響變得更加重要。更快的邊沿速率包含更多高頻諧波含量，增加作為傳導電磁干擾(EMI)或輻射EMI傳輸的風險。結合功率晶體管和外設電路，必須適當調諧傳導EMI濾波，而非錯誤地認為依賴現有設計即可。為減小輻射EMI，必須保持開關節點盡可能短而寬。

由于封裝在快速開關晶體管中的寄生電感已經證明對電源轉換能效有顯著影響，PCB布署仍很關鍵。必須充分減小電源和驅動回路內的總電感，以達到對元件開關性能的最佳控制。這些電感的示例如圖1所示。

圖1：電源和驅動電流回路中典型的寄生電感

以最小的寄生電感實現更快的開關頻率，便可修改其他元件。采用更高開關頻率時，通常可減小變壓器或電感中的磁芯尺寸，以增加系統功率密度。如果采用和更大版本相同的材料和制造方式，將降低磁性元件成本。如果仍然能滿足系統需求，系統中的電容需求也可減少，但這遠在意料之外。例如，可能有持續時間的要求，轉而需要最小的電容。

將寄生電感減至最小值并以此根據進行設計，支持更短、更易控制的開關事件，便能從終端應用的能效看到快速開關GaN晶體管的充分優勢。

GaN功率晶體管承諾支持客戶推動他們的設計超越硅的極限。系統開關不再是電源轉換的限制因素，必須考慮其他電路以實現更高能效而緊湊的設計。考慮電路布署和元件選擇很重要，以推動系統性能超越技術現狀。畢竟，GaN不是直接嵌入使用的硅的替代品，它是一種新的模型。