功率晶體管（GTR）
2009-12-10 14:22:43
9447 2013年6月3日，西雅圖（2013年國際微波研討會）訊 － 高功率射頻（RF）功率晶體管領域全球領導者飛思卡爾半導體公司（紐約證券交易所代碼：FSL）日前推出六款新的Airfast RF功率解決方案，專為2.3/2.6 GHz頻段的TD-LTE基站設計。
2013-06-05 13:57:291575 在高頻（3-30MHz）到250MHz頻率范圍內，性能強大的IDEV系列能夠提供高達2.2kW的連續波（CW）輸出功率，而且只采用一個陶瓷封裝，因此減少了廣播發射機等大功率應用所需的射頻功率晶體管的總數量。
2021-08-13 11:24:033606 
25%● 線性效率顯著提高● 支持超過150 MHz的瞬時帶寬● 二代的塑封技術OMNI，更大功率的器件可以采用塑封技術，更優的性價比。系統級的方案支持：配合DPD、APD，提供全鏈路的解決方案，為客戶降低研發周期。 Airfast射頻功率解決方案
2013-07-02 13:31:33
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
及制造工藝分類 晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
的hFE檔測量。測量時，應先將萬用表置于ADJ檔進行調零后，再撥至hFE檔，將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應的測試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”，不過根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關有很多優點，主要是；(1)容易關斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
發展。正因為它如此地豐富了人們的生活，就其貢獻度而言，作為發明者的3位物理學家--肖克萊博士、巴丁博士和布菜頓博士，當之無愧地獲得了諾貝爾獎。恐怕今后的發明都難以與晶體管的發明相提并論。總之，晶體管為
2019-05-05 00:52:40
用3DG182J、2SC2229、2SC3942等型號的晶體管。 25英寸以上的大屏幕彩色電視機中使用的末級視放輸出管，其耗散功率應大于或等于1.5W，最大集電極電流應大于或等于50mA，最高反向電壓應大于
2012-01-28 11:27:38
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
電子，雷達和微波應用生產全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
鎵技術的這類二極管。產品型號：DU2840S產品名稱：射頻晶體管DU2840S產品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結構?DU2840S產品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：DU2880V產品名稱：射頻晶體管DU2880V產品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結構
2018-08-08 11:48:47
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
ILD1011L950HV功率晶體管ILD1011M1000HVE功率晶體管ILD1011M15HV功率晶體管ILD1011M160HV功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產臺聯系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:11:46
ILD2731M60功率晶體管ILD2735M120功率晶體管IB2856S250功率晶體管IB2856S30功率晶體管IB2856S65功率晶體管IB2931MH155功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產臺聯系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號
2019-05-14 11:00:13
650W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
IGN1011L1000R2功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產臺聯系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
商業和軍事應用的頻率為175兆赫。該裝置的高功率、高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻帶的固態發射機成為可能。產品型號：MRF151G產品名稱：射頻晶體管MRF151G產品特性保證性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
頻率范圍內的線性大信號輸出級。產品型號：MRF154產品名稱：射頻晶體管MRF154產品特性N溝道增強型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
NPT2020射頻晶體管產品介紹NPT2020報價NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現貨,王先生*** 深圳市首質誠科技有限公司, MACOM公司的開關和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
NPT25100P射頻晶體管產品介紹NPT25100P報價NPT25100P代理NPT25100P咨詢熱線NPT25100P現貨,王先生*** 深圳市首質誠科技有限公司, MACOM公司的開關
2018-09-26 08:54:30
`產品型號：NPTB00025B產品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產品特性針對DC-4000MHz的寬帶運行進行了優化散熱增強的行業標準包裝100％射頻測試具有高達32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
QPD1020射頻功率晶體管產品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
繼前篇內容，繼續進行各功率晶體管的比較。本篇比較結構和特征。功率晶體管的結構與特征比較下圖是各功率晶體管的結構、耐壓、導通電阻、開關速度的比較。使用的工藝技術不同結構也不同，因而電氣特征也不同。補充
2018-11-30 11:35:30
電子設備和測試儀器。該設備可以支持脈沖和線性操作。產品型號:T2G6003028-FS產品名稱：射頻功率晶體管T2G6003028-FS產品特性頻率：直流至6千兆赫輸出功率（p3db）：30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
放大電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。《晶體管電路設計》(上)面向實際需要，理論聯系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識
2017-07-25 15:29:55
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
3MHZ的晶體管通常稱為低頻晶體管。fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻晶體管。fT大于3MHZ的晶體管和小于30MHZ的晶體管稱為中頻晶體管。4.5 最大頻率（fM）最大振蕩頻率是晶體管功率增益降低
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調節器、電機控制器和顯示驅動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
晶體管為保持ON狀態的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數字晶體管啟動。3：因在規格書規定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數字晶體管為保持ON狀態的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數字晶體管啟動。3：因在規格書規定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
轉換器在穩態周期內的工作和損耗擊穿3KW LLC 諧振轉換器根據上述損耗分析，可以對不同的初級晶體管和不同的開關頻率進行比較，以評估效率和功率密度的性能。設計了一個輸出為48V的3KW半橋LLC諧振
2023-02-27 09:37:29
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
你好。請問如何在ADS的庫中添加新的射頻晶體管（sp2和非線性模型）？編輯：vodepam2于2014年6月7日下午3:23 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hi. Please how can i
2019-02-14 15:43:03
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創建的獨立半導體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場
2010-09-17 18:29:31
20 功率場效應管MOSFET,功率場控晶體管
功率場效應管又叫功率場控晶體管。一．
2009-05-12 20:36:423331 
大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06415 
晶體管開關的作用
（一）控制大功率 現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率，使用功率晶體管
2009-11-05 10:51:521462 晶體管的開關作用
(一)控制大功率
現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關有很多優點，主要是；
2009-11-06 16:58:423970 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 恩智浦半導體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發射機和工業用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381186 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日發布業內首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA
2011-11-30 16:20:224775 日前，射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有產品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:372194 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產品線的擴展產品。
2013-06-21 11:09:261983 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克代碼：NXPI）今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射頻功率晶體管的最新成員。BLF188XR專為最嚴酷的工程環境而設計，真實條件下耐用性更強， 能夠在5dB壓縮點承受超過65：1駐波比的嚴重負載失配。
2013-08-13 12:30:005028 射頻與微波晶體管振蕩器設計
2013-09-12 16:04:25326 （分立式扁平無引腳）封裝的晶體管。全新產品組合由25種器件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用晶體管。該全新產品系列憑借其超小外形和高性能，非常適用于
2013-11-04 10:37:08832 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（Nasdaq： NXPI）日前宣布推出MRF1K50H射頻晶體管，與采用任何技術或在任何頻率下的產品相比，都具有最強大的性能
2016-05-09 11:53:051173 全球最大的射頻功率晶體管供應商恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業內面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續波(CW
2017-07-05 11:41:11652 功率晶體管快速關斷研究
2017-09-12 11:13:567 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21884 安譜隆半導體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化。
2018-04-26 09:42:001878 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）推出業內面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續波（CW），比目前市場上同類產品高出百分之五十
2018-05-08 10:19:002066 醫療領域的許多全新技術開發都需要使用可控射頻功率來提供多種高級治療。微波消融（破壞腫瘤）、電外科（切除、凝結、脫水和電灼組織）、透熱法（治療類風濕關節炎）和熱瑪吉（緊致皮膚）等手術中使用了不同頻率下不同大小的射頻功率。本次會議將介紹恩智浦針對這些應用開發的創新射頻功率解決方案。
2018-06-29 08:30:003025 醫療領域的許多全新技術開發都需要使用可控射頻功率來提供多種高級治療。微波消融（破壞腫瘤）、電外科（切除、凝結、脫水和電灼組織）、透熱法（治療類風濕關節炎）和熱瑪吉（緊致皮膚）等手術中使用了不同頻率下不同大小的射頻功率。本次會議將介紹恩智浦針對這些應用開發的創新射頻功率解決方案。
2018-06-28 17:00:003770 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 據報道，恩智浦斥資1億美元，用于擴建5G手機網絡晶體管和RF功率放大器的生產線在美國亞利桑那州錢德勒工廠（Chandlerfactory）日前正式投入運營。
2020-10-11 10:02:012370 ?·?新一代Airfast射頻多芯片模塊（MCM）利用恩智浦最新LDMOS技術的強大性能，采用集成設計技術，將頻率范圍擴展至4.0 GHz ? ? ? ? ·?提供比前一代產品更高的輸出功率，支持
2020-12-22 17:50:352422 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1027-3PN規格書
2021-12-15 13:59:126 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1662-3PN規格書
2021-12-18 14:42:473 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC1226-220c3產品手冊
2022-03-10 15:39:404 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC2792-3PN手冊免費
2022-06-14 11:16:461 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3281-3PN英文手冊
2022-06-23 15:37:060 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3306-3PI英文手冊
2022-06-22 16:47:450 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3527-3PML英文手冊
2022-07-27 16:14:432 功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發展起來的新型射頻功率器件。
2023-02-14 11:59:271357 功率晶體管的參數主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數都會影響功率晶體管的性能，因此在選擇功率晶體管時，應該根據實際應用來選擇合適的參數。
2023-02-17 14:29:373679 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術（功率電子技術）領域研究范疇。其實質就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過功率電子器件為負載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:242247 大功率晶體管的放大倍數取決于其特定的設計和工作條件，因此不能一概而論。晶體管的放大倍數（即電流增益）通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比，用β表示。β的大小受到晶體管的結構、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:594138 Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶體管，采用緊湊型DFN 7 x 6.5 mm超模壓塑封。該器件具有優異的輸出，可填充多個頻段，在48 V下運行時，能效提升超過50%，增益超過13 dB。
2023-05-25 10:04:49981 
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規格書
2023-07-24 14:27:530 MRF422射頻功率晶體管規格書
2023-07-24 14:24:070 晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開關元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應速度快、壽命長等優點，廣泛應用于各種電子設備和系統中。 工作原理 晶體管功率繼電器的工作原理是利用晶體管的開關特性
2024-06-28 09:13:591664
電子發燒友App
工商網監
評論