據(jù)報(bào)道，恩智浦斥資1億美元，用于擴(kuò)建5G手機(jī)網(wǎng)絡(luò)晶體管和RF功率放大器的生產(chǎn)線(xiàn)在美國(guó)亞利桑那州錢(qián)德勒工廠（Chandlerfactory）日前正式投入運(yùn)營(yíng)。

該生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)雇傭約100名員工從事氮化鎵（GaN）的制造工作，該工藝技術(shù)可以用于在6英寸晶圓上生產(chǎn)單片微波集成電路，由于對(duì)發(fā)射功率的特殊要求，5G基站對(duì)功率放大器提出了更多需求。氮化鎵憑借高頻、高輸出功率的優(yōu)勢(shì)，正在5G基站功率放大器領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

此外，在恩智浦錢(qián)德勒硅制造廠附近，還有250名工人從事氮化鎵的制造和研發(fā)工作。

恩智浦表示，這座新工廠將生產(chǎn) 6 英寸芯片，此類(lèi)芯片的尺寸是大多數(shù)傳統(tǒng)硅芯片的一半，但在替代材料中很常見(jiàn)。

該公司表示，新工廠將有一個(gè)研究和開(kāi)發(fā)中心，以幫助工程師加速氮化鎵半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)和專(zhuān)利申請(qǐng)。

恩智浦表示，預(yù)計(jì)該廠將于年底前達(dá)到全部生產(chǎn)能力。

氮化鎵是硅的替代品。這種材料是 5G 網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)關(guān)鍵成分，因?yàn)樗梢蕴幚?5G 網(wǎng)絡(luò)中使用的高頻，同時(shí)比其他芯片材料消耗更少的功率和占用更少的空間。
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