鐵電隨機存儲器（FRAM）RFID由于存儲容量大、擦寫速度快，一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。

　　到目前為止，富士通半導體已經開發出了高頻段（13.6MHz）和超高頻段（860 MHz到960 MHz）RFID LSI產品。這些產品最重要的特點就是它們內嵌FRAM。由于擦寫速度快、耐擦寫次數高，它們已經作為數據載體型被動RFID LSI而被全世界廣泛采用。

　　大存儲數據載體的優勢就是RFID可以記錄可追溯數據，如制造數據、生產數據、物流數據、維護數據等，因此它可用于各種資產、產品和零部件的管理。由于大存儲數據載體具有這些優勢，人們希望進一步利用FRAM RFID來連接傳感器等設備。基于這些市場需求，富士通微電子開發出了一種帶有串行接口的技術，即超高頻段RIFD LSI上的串行外圍接口（SPI）。

　　基于FRAM的FRID LSI的好處

　　FRAM是一種非易失性存儲器，使用鐵電材料作為數據載體，結合了隨機存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）的優勢。作為用在RFID中的非易失性存儲器，電擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）已經得到廣泛應用，但是當數據被寫入時，EEPROM需要內部升壓電壓，因為數據存儲的原則就是要看是否帶有電子電荷，所以它的寫入速度非常慢（需要數毫秒），耐擦寫次數也僅限于10萬次。因此，大部分基于EEPROM的RFID LSI都是小存儲容量產品，只適合讀，不適合寫。

　　相比較而言，FRAM在寫和讀方面的性能一樣好，因為二者的原則一樣。FRAM本身的擦寫速度是100納秒，耐讀/寫次數是100億次。這就是FRAM RFID為什么可以作為數據載體提供大存儲容量的原因。

　　存儲容量大、擦寫速度快的RFID的最重要的優勢在于，它可以在自己的存儲器上記錄數據，由此可以將數據處理方式從集中數據管理轉變為分散數據管理。傳統的EEPROM RFID在很多情況下都采用集中管理的方式，在這種模式下，數據存在了服務器端，需要與標簽本身的ID相關聯。而FRAM RFID可以實現分散數據管理，數據可以存在標簽上，由此減輕了服務器的載荷。這種方式尤其適合工廠自動化（FA）和維修領域中的生產歷史管理。在工廠自動化領域中，有數百個流程都需要經常寫入數據。在維修領域中，現場數據確認時也需要經常寫入數據，如維修歷史、零部件信息等，這樣就不需要詢問數據服務器。

　　FRAM的另一個主要特點，是在防輻射方面明顯優于EEPROM。例如，在醫療設備和包裝、食品或者亞麻布的伽瑪射線滅菌過程中，存在EEPROM中的數據會受到放射線的嚴重影響，因為它的數據存儲采用的是電子電荷。而存在FRAM中的數據在高達45kGy的放射水平下仍然不會受到影響。

　　在RFID LSI上內置串行接口

　　FRAM RFID LSI上已經內置了串行接口，為作為數據載體的RFID提供了額外的功能。這種配置的主要特點就是，對于同一個FRAM存儲區來說，既可以從串行接口進入，也可以從RF接口進入。通過串行接口與微控制器（MCU）相連后，FRAM可以作為MCU的外部存儲，并通過RF接口進入。因此，RFID閱讀器就可以閱讀MCU寫過的存儲數據，而對于MCU來說，就可以閱讀參數數據，如通過RF接口編寫的運行環境。

　　例如，我們可以假設傳感器與MCU相連，那么就可以將RFID看作是一種傳感器標簽。在這種情況下，MCU會定期監測傳感器數據，然后寫入FRAM存儲器，過段時間后，就可以通過RF接口讀取所收集的可追溯數據。同時，也可將RFID看作MCU的參數存儲器。在這種情況下，MCU就是存在指定存儲區的一些參數，存儲區中的數據可以通過RF接口改寫，然后MCU就會改變間隔獲取傳感器數據，或者更改閃光燈的條件進行告知。就RFID和傳感器之間的結合而言，有源標簽也是個眾所周知的解決方案。但是有源標簽只是一種單向通訊模式，它沒有可供RF閱讀器日后讀取數據的存儲器。因此有源標簽不能作為數據載體記錄可追溯數據。

　　另一方面，FRAM RFID由于存儲容量大，能夠記錄可追溯數據，標簽不在RF區域時也可通過串行接口記錄數據。