開車的朋友可能會有這樣的經歷，當您經過高速公里收費站時，您的交通收費卡在進站和出站時偶爾會無法讀取，原因是您的交通卡使用的頻率比較高，超過了它的讀寫次數。目前，這些交通卡大部分是采用內嵌EEPROM的RFID制作的，而如果將智能交通卡中的EEPROM換成FRAM，問題就迎刃而解了。 “采用FRAM 的RFID的讀寫次數可以達到1012，而采用EEPROM 的RFID的讀寫次數最多只有一百萬次，這就是為何高速收費處偶爾會出現數據讀不出的問題。”富士通半導體（上海）有限公司市場部高級經理蔡振宇指出：“在RFID中嵌入FRAM，能夠打破傳統采用EEPROM的RFID標簽的一系列性能限制，解決很多應用難題。” 在RFID中嵌入FRAM，實現突破性優勢富士通半導體內嵌FRAM的RFID產品相比其單體FRAM產品是比較新的，而市場上常用的RFID產品嵌入的是EEPROM。與內嵌EEPROM的RFID產品相比，內嵌FRAM的RFID不只讀寫速度快很多，并且其抗輻射性比EEPROM高出不止一個數量級。下圖1所示為FRAM RFID 和EEPROM RFID的性能對比。

　　FRAM是一種非易失性存儲器，使用鐵電材料作為數據載體，結合了隨機存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）的優勢。作為用在 RFID中的非易失性存儲器，EEPROM已經得到廣泛應用，但是當數據被寫入時，EEPROM需要內部升壓電壓，因為數據存儲的原則就是要看是否帶有電子電荷，所以它的寫入速度較慢慢（需要數毫秒），耐擦寫次數也僅限于10萬次左右。因此，大部分基于EEPROM的RFID都是小存儲容量產品，只適合讀，不適合寫。比較而言，FRAM RFID數據寫入時間非常快。例如，以寫入數據為例，采用EEPROM的RFID需要有6msec的時間來等待回應，而采用FRAM的RFID僅需要100usec。并且，FRAM在寫和讀方面的性能一樣好，因為二者的原則一樣。 FRAM的另一個主要特點，就是在防輻射方面明顯優于EEPROM。例如，在醫療設備和包裝、食品或者亞麻布的伽瑪射線滅菌過程中，存在于EEPROM中的數據會受到放射線的嚴重影響，因為它的數據存儲采用的是電子電荷。而存在于FRAM中的數據在高放射水平下仍然不會受到影響。