英尚代理的恒爍半導體NOR FLASH存儲器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項，為各類嵌入式系統提供可靠的非易失性存儲支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:01
36 藝的 1 - Mbit 非易失性存儲器，邏輯上組織為 128K × 8。它結合了鐵電隨機存取存儲器（F - RAM）的優勢，既具備非易失性，又能像 RAM 一樣快
2026-01-04 17:25:09367 ——FM25L04B 4-Kbit串行F-RAM。 文件下載： FM25L04B-GTR.pdf 產品概述 FM25L04B是一款由Cypress（現屬英飛凌）開發的4-Kbit非易失性鐵電隨機存取存儲器
2025-12-31 16:05:1888 ： sn65mlvd128.pdf 器件特點 功能配置 SN65MLVD128 ：由一個LVTTL接收器和八個線路驅動器組成，配置為一個8端口M - LVDS中繼器。 SN65MLVD129 ：
2025-12-29 17:10:21447 容量
–64K 字節FLASH，數據保持25年@85℃
–8K 字節RAM，支持奇偶校驗
–128字節OTP存儲器
? CRC 硬件計算單元
? 復位和電源管理
–低功耗模式（Sleep
2025-12-26 06:51:13
探索SN75DP128A：DisplayPort 1:2開關的卓越性能與應用 在當今數字化的時代，顯示技術的發展日新月異，對于高性能顯示接口的需求也日益增長。Texas Instruments（TI
2025-12-25 13:50:09128 得一微YEESTOR 128GB eMMC以工業級寬溫(-40℃~85℃)和350MB/s讀取速度賦能智能座艙中控系統。其pMLC架構確保3000次擦寫壽命，內置LDPC糾錯與硬件加密，為IVI系統提供高可靠性存儲解決方案，顯著提升車載信息娛樂體驗。
2025-12-25 10:13:002110 
16-Kbit非易失性存儲器，采用先進的鐵電工藝。它邏輯上組織為2K × 8位，通過行業標準的串行外設接口（SPI）總線進行
2025-12-23 15:55:09139 鎂光128GB eMMC憑借350MB/s讀取速度與工業級寬溫特性（-40℃~85℃），為智能投影儀提供高速穩定的存儲解決方案，確保4K視頻流暢解碼與系統快速響應，顯著提升用戶體驗。
2025-12-17 09:46:00204 @85℃
–8K 字節RAM，支持奇偶校驗
–128字節OTP存儲器
? CRC 硬件計算單元
? 復位和電源管理
–低功耗模式（Sleep，DeepSleep）
–上電和掉電復位（POR/BOR
2025-12-16 07:59:10
昆侖芯K100邊緣AI加速卡以75W超低功耗實現128 TOPS的INT8算力，重新定義邊緣推理能效標準。其半高半長設計搭載8GB HBM內存與256GB/s帶寬，支持INT8至FP32多精度計算
2025-12-14 11:12:202500 
FM24CL04B：4-Kbit串行F-RAM的卓越性能與應用解析 在電子工程領域，非易失性存儲器的選擇對于系統的性能和可靠性至關重要。今天，我們將深入探討FM24CL04B這款4 - Kbit
2025-12-10 17:15:021628 
概述CW32L052內部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲應用程序和用戶數據。
芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護和讀保護。
芯片內置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
概述 ADC128S052與ADC128S052 - Q1采用逐次逼近寄存器（SAR）架構，并內置跟蹤保持電路，可配置為接受多達8個輸入信號。其輸
2025-11-30 14:53:23617 
在嵌入式系統與智能設備中，小容量、可重復擦寫的非易失性存儲器始終扮演著關鍵角色。芯伯樂24Cxx系列串行EEPROM憑借其標準化的接口、穩定的性能與極低的功耗，成為存儲配置參數、用戶設置、運行日志等
2025-11-28 18:32:58317 
、可編程電源等領域有著廣泛的應用前景。 文件下載： dac128s085.pdf 一、DAC128S085概述 DAC128S085是一款功能齊全的通用八通道12位電壓輸出數模轉換器。它采用單2.7
2025-11-27 14:13:41448 
深入剖析Z80C30/Z85C30 CMOS SCC串行通信控制器 在當今的電子通信領域，串行通信控制器扮演著至關重要的角色。Zilog公司的Z80C30和Z85C30 CMOS SCC
2025-11-26 16:22:05713 
ADC128S102設備是一款低功耗、八通道CMOS 12位模數轉換器，規格為50 kSPS轉1 MSPS。該轉換器基于逐次近似寄存器架構，內部設有軌跡保持電路。該設備可配置為在IN0至IN7輸入處
2025-11-25 10:37:34397 
晶存128GB EMMC AT70BT7G3Y05G憑借620MB/s讀取速度、工業級寬溫(-40℃~85℃)及3000次擦寫壽命，為模擬器提供高速穩定的存儲解決方案，確保大型場景流暢加載與長期穩定運行。
2025-11-24 09:56:001351 RA6809MQ4N是臺灣瑞佑科技股份有限公司(RAiO)研發推出的一款低功耗及顯示功能強大的彩色液晶圖文顯示控制器，芯片內建了128Mb SDRAM顯存，可作為多區塊顯示的緩存，可以快速更新屏幕
2025-11-18 10:32:24
64KB FLASH，數據保持時間長達 25 年（@85℃）。
數據存儲器：最大 8KB RAM，支持奇偶校驗，確保數據可靠性。
OTP 存儲器：128 字節，用于存儲唯一標識或加密密鑰。[/td][/tr]
2025-11-18 08:03:32
工業物聯網網關的存儲容量因型號、配置及設計目標不同而存在顯著差異， 主流配置范圍從128MB到8GB不等，部分高端型號支持擴展至32GB甚至更高，且通過分層存儲策略優化數據管理效率 。以下為具體分析
2025-11-12 17:55:18560 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建，這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在需要高速數據寫入與極致可靠性的工業與數據中心應用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達35
2025-10-24 16:36:03532 寄存器；如果xd=0，則表示不需要寫回結果
3）funct7：可用作額外的編碼空間，用于編碼自定義指令（一種Custom指令組可以使用這一區間編碼出128條指令）
EAI接口信號
EAI
2025-10-24 07:23:37
QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設備；而PSRAM（偽靜態隨機存儲器）則結合了快速隨機訪問與動態存儲的特性。
2025-10-23 15:40:17379 PSRAM之所以被稱為"偽靜態"存儲器，主要是因為其采用類SRAM的接口協議：只需要提供地址和讀寫命令就可以實現數據存取，無需像傳統DRAM一樣需要內存控制器定期刷新數據單元。
2025-10-23 14:29:00296 RAYSON RS70BT7G4S16G工業級128GB eMMC，-20~85℃寬溫，400MB/s高速，斷電保護，適用車載、電網、工控，高可靠低功耗。
2025-10-21 09:22:00369 
產品概述 在智能化時代，每一臺設備背后都有一顆"數據心臟"在默默運轉。XT25Q128F 是 XTX 公司推出的一款高性能 128Mbit (16MB) 串行 NOR Flash 存儲器，專為嵌入式
2025-10-20 08:29:59660 普冉P25Q128L-SUH是一款128M-bit超低功耗SPI NOR Flash，工作電壓1.65-2.0V，支持104MHz高速讀取與XIP技術。具備10萬次擦寫壽命、-40℃~85℃工業級溫度范圍及硬件寫保護。
2025-10-17 09:45:00378 
DAM-C3210是一款工業級CAN總線與串行總線協議轉換器，集成了1路CAN總線接口，1路標準串行接口（RS485/RS232）。
2025-10-16 11:29:28398 
STMicroelectronics M24128-U 128Kb串行^I2C^總線電子擦除可編程只讀存儲器設計用于實現高可靠性和多功能性。M24128-U電子擦除可編程只讀存儲器的組織形式為16K
2025-10-15 18:26:30630 
基礎元器件，閃存產品在系統中承擔著數據保存、程序存儲以及高速讀寫的重要任務。 今天，我們榮幸地向大家介紹全新的__XT25F128F 3.3V Quad I/O串行閃存__，這是一款基于先進架構設計、性能卓越且安全可靠的存儲器件，為您提供極致的產品體驗與系統優化方案。 產品概述
2025-10-15 10:46:24326 華邦W25Q128JVSIM作為常用的128Mbit SPI NOR Flash芯片，其兼容替代方案兆易創新GD25Q128ESIGR已獲得批量客戶的認可及使用。
2025-10-13 09:33:00869 
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業級FRAM，150ns極速寫入、1萬億次擦寫、-40℃~+85℃寬溫，I2C接口低功耗，SOP-8小封裝，為PLC、電表、編碼器等邊緣節點提供高可靠非易失存儲。
2025-10-10 09:45:00307 
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機存取存儲器器件，可通過兼容串行外設接口 (SPI) 的串行總線訪問。SRAM
2025-10-09 11:16:59540 ）。 Microchip Technology 25CS640 EEPROM優化用于需要可靠、穩健的非易失性存儲器的消費及工業應用。 25CS640可在寬電壓范圍（1.7V至5.5V）內工作
2025-09-30 14:57:09641 
2M的FLSHA,前128K給Boot，還剩余很多，為什么無法下進去？512-128=384
J-Flash可以下載。
1.連接腳本
2.board.h設置
3.程序大小
4.jlink RTT驅動
5.jlink固件
2025-09-22 07:37:28
富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為LED顯示系統提供高速、高耐久性數據存儲方案，支持納秒級寫入與10^12次擦寫，解決傳統存儲器延遲高、壽命短問題，適用于智能交通、戶外廣告等嚴苛環境，顯著提升系統響應與可靠性。
2025-09-11 09:45:00481 
MA35D1_LQFP216將 DDR的大小從 128MB 更改為 256/512MB無法在 NuMaker-IOT-MA35D1 EVB 板上運行
2025-09-03 07:27:26
QIA128 是一款具有 SPI/UART 輸出的緊湊型一體化數字信號調理模塊，提供兩種硬件路徑：相同的數字內核，不同的部署需求。
2025-08-22 16:35:58725 案例研究：AtolaTaskforce2借助MB699VP-B&MB705M2P-B優化取證設備數據采集概述AtolaTechnology是作為數據取證解決方案領域的領導者，開發
2025-08-14 17:00:06749 
? ? I2C兼容串行電可擦可編程只讀存儲器（E2PROM）-P24C512H ? 產品介紹 ? ?產品概述： ? P24C512H是I2C兼容的串行E2PROM（電可擦除可編程存儲器）設備。它包含
2025-08-07 10:06:531002 
近日，紫光國芯自主研發的PSRAM（低功耗偽靜態隨機存儲器）芯片系列產品正式發布，并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產品兼容業界主流接口協議Xccela，容量覆蓋32Mb，64Mb
2025-07-01 16:42:501443 產品型號：VK1620
產品品牌：永嘉微電/VINKA
封裝形式：SOP20
概述
VK1620B是一種數碼管或點陣LED驅動控制專用芯片，內部集成有3線串行接口、數據鎖存器、LED 驅動等電路
2025-06-17 17:19:01
CSS6404LS-LI通過 >500MB/s帶寬、105℃高溫運行及μA級休眠功耗三重突破，成為高清語音設備的理想存儲器
2025-06-04 15:45:23566 
和板卡信息丟失
2. PSoC Programmermer沒法擦除指定flash，都是整個128K擦除，例如在flash中分配一個row來存儲產線校準數據，如何保證在燒寫images后，保留產線校準數據呢？謝謝
2025-05-30 07:50:25
MAX14830是一款先進的四通道通用異步收發器(UART)，每路UART帶有128字先入/先出(FIFO)接收和發送緩存器，以及高速串行外設接口(SPI?)或I2C控制器接口。PLL和分數波特率發生器為波特率編程和參考時鐘選擇提供了極大靈活性。
2025-05-22 10:14:20900 
MAX3109先進的雙通道通用異步收發器(UART)具有128字收發先進/先出(FIFO)堆棧和高速SPI?或I2C控制器接口。2倍速和4倍速模式允許工作在最高24Mbps數據速率。鎖相環(PLL)和分數波特率發生器允許靈活設置波特率、選擇參考時鐘。
2025-05-22 09:26:10669 
ToughArmor MB601V5K-B是專為高速U.2/U.3 NVMe硬盤設計的PCIe 5.0硬盤抽取盒。這款硬盤抽取盒配備最新的MCIO 4i（SFF-TA-1016）接口，支持高達
2025-05-21 16:55:28943 
與昂科旗艦產品AP8000燒錄芯片工具的技術適配，此舉顯著增強了AP8000系列設備的芯片兼容性和行業應用范圍。 MX25U51245G是一款512Mb的串行NOR閃存存儲器，其內部配置為
2025-05-20 16:27:37619 
產品型號：VKL128
產品品牌：永嘉微電/VINKA
封裝形式：LQFP44
產品年份：新年份
概述：VKL128是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器,可支持最大128點（32SEGx4COM
2025-05-16 17:31:08
ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字數據存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN通信端口，支持
2025-05-12 16:08:28889 
多軸控制器可使用國產鐵電存儲器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
：T6963C功能特點：由控制器 T6963C、行驅動器、列驅動器及 240×128 全點陣液晶顯示器組成，可完成圖形顯示，也可以顯示 15×8 個（16×16 點
2025-04-28 10:53:03
替換MB85RS128和FM25V01，舜銘存儲鐵電存儲器SF25C128電壓檢測儀應用方案
2025-04-14 09:46:36719 
非易失性存儲器(NVM)和 96KB RAM-全面的外設集合，包括在系統關閉 (System OFF)模式下可用全新的全局實時時鐘(Global RTC)、14位模數轉換器(ADC)和高速串行接口-安全啟動
2025-03-25 11:26:48
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國產鐵電存儲器SF25C20助聽器應用方案
2025-03-20 09:55:16676 
”）NoDelay? 寫入技術先進的高可靠性鐵電工藝非常快速的串行外設接口（SPI）最高 20 兆赫茲頻率可直接硬件替換串行閃存和電可擦除可編程只讀存儲器（EEPRO
2025-03-19 11:35:49
扇區128K，寫數據要擦除整個扇區，扇區的其他數據頁被擦除掉了，怎么不改變扇區其他地址的數據不變
2025-03-14 07:49:54
請教下，STM32H750XBHx我看資料內置flash為128K，并且flash擦除的最小單元也是128K。這樣的話我有數據要保存應該怎樣處理好呢？寫數據時是要將程序部分一起擦除再寫回去嗎？這樣會不會有風險？
2025-03-12 06:29:13
性鐵電存儲器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲器 (EEPROM)，存儲容量為8192字節，分為256頁，每頁32字節。 具有低功耗CMOS技術，自定時編程周期，支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計算機、家用電器、汽車電子、通信設備和工業控制
2025-02-28 15:48:09
3 DS2502為1K位只添加存儲器，用于識別并存儲產品的相關信息。產品批號或特殊的產品信息可以通過最少的接口訪問—例如，微控制器的一個端口引腳。DS2502具有一個工廠光刻注冊碼，其中包括：48位唯一
2025-02-28 10:15:151111 
MHz 采樣率和 14-bit I/Q 分辨率 1 Msample (4 MB) 存儲器用于波形回放 1 Msample (4 MB) 存儲器用于波形保存 定制數字調制 (>15 種 FSK, MSK
2025-02-27 18:17:24680 DS2505為16k位只添加存儲器，可以識別和存儲與產品相關的信息。這個標簽或特殊產品的信息可以通過最少的接口訪問，例如微控制器的一個端口引腳。DS2505有一個工廠刻度的注冊碼，其中包括：48位
2025-02-27 16:31:151064 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數據被破壞。
2025-02-27 15:38:41747 
鐵電存儲器SF24C64對標MB85RC64性能、應用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 
根據用戶手冊，DLP6500存儲內存為128m，存儲圖片數量少，請問能否對其進行擴容？或者有其他方法提高存儲容量嗎？
2025-02-21 06:48:18
。 IS25WP128F串行閃存為簡化引腳數封裝提供了具有高靈活性和性能的通用存儲解決方案。ISSI的“工業標準串行接口”閃存適用于需要有限空間、低引腳數和低功耗的系統。該設備通過4線SPI接口訪問，包括串行數據輸入（SI）、串行數據輸出（SO）、串行時鐘（SCK）和芯片使
2025-02-19 09:14:28815 
M95320-DRMN3TP/K是一款高性能的串行EEPROM，采用SPI接口，具有32Kbit的存儲容量。該器件專為需要非易失性存儲的應用設計，能夠在斷電后保持數據
2025-02-18 21:57:03
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現代電子設備對大容量存儲的需求而設計。該產品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應用場景。目前可提供數量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現代電子設備對大容量存儲的需求而設計。該產品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應用場景。目前可提供數量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現代電子設備對大容量存儲的需求而設計。該產品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應用場景。目前可提供數量
2025-02-14 07:42:49
MT28EW128ABA1HJS-0SIT是一款高性能的NOR閃存存儲器，由MICRON制造，專為滿足各種電子設備的存儲需求而設計。該產品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度，適用于多種應用場景。目前
2025-02-14 07:30:51
特點FM24C16D提供16384位串行電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為2048個8字每個位，具有128位UID和16字節安全性部門。該設備經過優化，可用于多種場合工業和商業應用低
2025-02-13 14:49:06
? 非易失性存儲器是一種應用于計算機及智能手機等設備中的存儲裝置（存儲器），其特點是在沒有外部電源的情況下仍能保存數據信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:142470 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169 特點FM24C256E提供262144位串行電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM），由32768個8字組成每個位，具有128位UID和64字節安全性部門，大大提高了可靠性內部ECC邏輯。該設備
2025-02-11 14:34:13
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 DSPIC33EP128GP506T-I/PT 產品概述
2025-02-10 20:54:49
特點?512字節串行存在檢測EEPROM與JEDEC EE1004規范兼容?與SMBus串行接口兼容：傳輸速率高達1 MHz?EEPROM存儲器陣列：–4 Kbits，分為兩頁每個256字節-每頁由
2025-02-10 14:18:03
產品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲器，具有 32Mb 的存儲容量，采用 SPI 接口進行數據傳輸。該產品專為嵌入式系統設計，提供快速的數據讀寫能力
2025-02-09 22:26:30
MX25U12832FMI02 產品概述MX25U12832FMI02 是由 Macronix 生產的一款高性能 NOR Flash 存儲器，專為需要大容量存儲和快速讀取的應用而設計。該
2025-02-09 10:21:26
初學者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
鐵電存儲器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優勢顯著
2025-02-07 09:29:33907 
在數字存儲技術的快速發展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨特的性能和廣泛的應用領域，成為了連接隨機存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術特性、分類及其在現代電子設備中的應用。
2025-01-29 16:53:001683 閃速存儲器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）在擦除數據時，往往需要較長的時間，且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 高速緩沖存儲器（Cache）是內存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲器（RAM）有所不同。在計算機存儲體系中，Cache位于CPU和主存儲器之間，用于存儲CPU近期訪問過的數據或指令，以加快數據的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395 程序超過128K,下載出現這個錯誤，是哪里設置不對？
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2025-01-23 07:05:18
電子發燒友網站提供《具有128位序列號和增強型寫保護的4Mb SPI串行EEPROM.pdf》資料免費下載
2025-01-21 13:56:530 1 概述 本章概述 128-Mbit 同步 DRAM 元件產品，并介紹其主要特點。特性。1.1 特性 - 與正時鐘邊沿完全同步 - 工作溫度 - 商用溫度范圍 0 °C
2025-01-16 14:59:36
特點16-Kbit 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次（1014）讀/寫 ? 151 年數據保留期（請參閱數據保留期
2025-01-16 14:14:37
針對ADS1282，當只采用sinc濾波器時，最快輸出速率為128K，而ADC時鐘頻率為4.096MHZ，即數據轉換時間為：32個ADC時鐘周期；從數據手冊得知：ADC轉換結果的輸出移位時鐘
2025-01-14 06:23:48
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應用優勢有哪些？
2025-01-10 09:12:15901 
電子發燒友網站提供《EE-302：ADSP-BF53x Blackfin處理器與NAND FLASH存儲器的接口.pdf》資料免費下載
2025-01-07 14:03:230 電子發燒友網站提供《EE-286：SDRAM存儲器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費下載
2025-01-06 15:47:010 國產舜銘存儲SF25C20對標MB85RS2MT性能、優勢全面解析
2025-01-06 10:20:57918 電子發燒友網站提供《EE-213：Blackfin處理器通過異步存儲器接口進行主機通信.pdf》資料免費下載
2025-01-05 10:09:190
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