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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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賽普拉斯推出32位總線寬度低功耗異步SRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長電池使用壽命)異步SRAM

2011-08-02 標(biāo)簽：賽普拉斯 SRAM 總線 1.1k 0

DS3640 加密SRAM的安全監(jiān)控電路

DS3640是一款具有1024字節(jié)加密SRAM的安全監(jiān)控電路，適用于需要加密存儲的應(yīng)用，包括POS終端等。DS3640支持最高密級的FIPS 140.2...

2011-06-02 標(biāo)簽：SRAM DS3640 安全監(jiān)控電路 1.2k 0

QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計

以CY7C1302為例來詳細(xì)介紹QDR的工作原理及其與Spartan3系列FPGA的接口設(shè)計。CY7C1302是賽普拉斯公司生產(chǎn)的一種QDR SRAM。

2011-06-01 標(biāo)簽：FPGA 接口設(shè)計 SRAM 6.3k 0

同步突發(fā)式SRAM

同步突發(fā)式SRAM的內(nèi)部框圖如圖所示，它與同步管道突發(fā)式SRAM基本相同，不同之處只是在輸出緩沖器中沒有配置鎖存器。

2011-05-30 標(biāo)簽：SRAM 1.9k 0

QDR聯(lián)盟推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR)SRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司和瑞薩電子公司在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）。

2011-05-01 標(biāo)簽：賽普拉斯 SRAM QDR聯(lián)盟 1.8k 0

業(yè)界最快QDR SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)

QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633...

2011-04-27 標(biāo)簽：存儲器 SRAM QDR 2.4k 0

基于FPGA的嵌入式塊SRAM的設(shè)計

嵌入式SRAM 是最常用的一種，其典型的應(yīng)用包括片上緩沖器、高速緩沖存儲器、寄存器堆等。除非用到某些特殊的結(jié)構(gòu)，標(biāo)準(zhǔn)的六管單元(6T)SRAM 對于邏輯...

2011-03-04 標(biāo)簽：FPGA 嵌入式 SRAM 3k 0

基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計

　1 前言　針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進設(shè)計的方法，并給出了部分VHDL程序。　　2...

2010-09-16 標(biāo)簽：SRAM 數(shù)據(jù)存儲 1.5k 0

SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用

　　同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實現(xiàn)算法。在相當(dāng)長的一段時間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計...

2010-09-11 標(biāo)簽：SRAM 1.9k 0

基于SRAM工藝FPGA的保密性問題

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次...

2010-08-02 標(biāo)簽：fpga sram 2k 0

首款32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM

32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應(yīng)時間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲服務(wù)器、交換機和路由器、...

2010-06-22 標(biāo)簽：SRAM 快速異步 1.1k 0

SRAM,SRAM原理是什么?

SRAM,SRAM原理是什么? 靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM。 SRAM主要用于二級高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。...

2010-03-24 標(biāo)簽：SRAM 9.3k 0

基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計

基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計針對嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結(jié)構(gòu)和存儲陣列分塊譯碼結(jié)構(gòu)，完成了64 kb低功耗SRA...

2010-01-12 標(biāo)簽：SRAM 1.2k 0

基于FPGA和SRAM的數(shù)控振蕩器的設(shè)計與實現(xiàn)

基于FPGA和SRAM的數(shù)控振蕩器的設(shè)計與實現(xiàn) 1 引言　　數(shù)控振蕩器是數(shù)字通信中調(diào)制解調(diào)單元必不可少的部分,同時也是各種數(shù)字頻率合成器和數(shù)字信號發(fā)生...

2010-01-07 標(biāo)簽：FPGA SRAM 1.3k 0

65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）

65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）賽普拉斯半導(dǎo)體公司推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)...

2009-11-02 標(biāo)簽：SRAM 1.2k 0

基于SRAM的可重配置電路

基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計者動態(tài)改變運行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來保存字的配置數(shù)據(jù)決

2009-06-20 標(biāo)簽：SRAM pld 1.2k 0

Battery Monitoring in NV SRAM

Abstract: As a prerequisite to this article, it is recommended that Applicat...

2009-04-24 標(biāo)簽：SRAM NV 1.8k 1

Maxim為什么選擇設(shè)計單片NV SRAM模塊

摘要：為了理解Maxim的單芯片模塊設(shè)計原則，首先需要知道電池備份存儲器的開發(fā)歷史。開發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲器產(chǎn)品，利用...

2009-04-23 標(biāo)簽：模塊 SRAM 696 0

基于單片機的復(fù)雜可編程邏輯器件快速配置方法

基于單片機的復(fù)雜可編程邏輯器件快速配置方法基于SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計者動態(tài)改變運行電路

2009-03-28 標(biāo)簽：cpld sram 1.1k 0

使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計

使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設(shè)計中使用ASIC/SoC實...

2009-02-01 標(biāo)簽：嵌入式 ASIC 工藝 1.8k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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