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sige技術

當CMOS技術遇上微波傳感器，更先進的雷達系統誕生了

隨著武器測試技術的進步、傳統的測速技術，如靶圈測試、天幕靶測試等方法因測試過程繁瑣，精度較差，已不能滿足實時戰地測試的需要。而毫米波測速雷達將毫米波技...

2017-12-28 標簽：CMOS SiGe adas 9.8k 0

SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用及GAA結構中的作用

本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用以及GAA結構中的作用。 ? 在現代半導體技術中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統的硅基材料逐漸難以滿足高...

2024-12-20 標簽：半導體工藝 SiGe 7.4k 0

使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz無線電的完整解決方案

完整的寬帶解決方案，涵蓋26 GHz至44 GHz范圍內的所有無線電設計。這款完整的信號鏈采用高度集成的寬帶高性能部件，可減少元件數量，簡化設計架構，加...

2018-06-06 標簽：CMOS adi 寬帶 6.5k 0

用于頻率生成和轉換的高集成度SiGe解決方案

ADI公司拓展用于微波頻率生成和轉換的高集成度SiGe解決方案系列，為航空飛行、汽車雷達和5G等各種客戶應用提供寬帶性能。

2018-06-06 標簽：adi SiGe 雷達 4.1k 0

源漏嵌入SiGe應變技術簡介

與通過源漏嵌入 SiC 應變材料來提高NMOS 的速度類似，通過源漏嵌入 SiGe 應變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應變技術被廣泛用...

2024-07-26 標簽：SiGe PMOS 晶格 4.1k 0

硅鍺技術增強無線電前端性能

本應用筆記介紹了硅鍺如何增強RF應用中的IC性能。賈科萊托模型用于分析噪聲效應。SiGe技術的更寬增益帶寬表明可提供更低的噪聲性能。探討了SiGe對線性...

2023-02-24 標簽：SiGe RF 無線電 2.2k 0

以CMOS技術實現的微型化毫米波傳感器

大多數商用雷達系統，特別是高級駕駛員輔助系統 (ADAS) 中的雷達系統，均基于鍺硅(SiGe)技術。目前的高端車輛都有一個多芯片SiGe雷達系統。雖然...

2023-04-07 標簽：SiGe adas 雷達系統 2.1k 0

用毫米波傳感器為汽車帶來高級視覺

相對于基于傳統鍺硅（SiGe)的傳感器技術，TI基于RFCMOS的雷達傳感器引入了更高的數字和模擬集成度，以實現高輸出功率、低功耗（比市面上現有解決方案...

2023-04-07 標簽：SiGe API 雷達傳感器 1.9k 0

利用氧化和“轉化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術...

2023-06-15 標簽：半導體晶圓 SiGe 1.8k 0

ADA4950-1低功耗、增益可選的差分ADC驅動器技術手冊

ADA4950-1/ADA4950-2是ADA4932-1/ADA4932-2的增益可選版本，具有片上反饋和增益電阻。作為單端至差分或差分至差分放大器，...

2025-03-14 標簽：差分放大器 SiGe ADC 1.6k 0

用于WCDMA應用的MAX2322

MAX2322為高性能SiGe接收器前端IC，優化用于PCS （1900MHz）頻段CDMA（碼分多址）應用。它包括一個LNA、一個混頻器和一個可選頻率...

2023-02-23 標簽：接收器 SiGe 混頻器 1.5k 0

MAX2659 GPS/GNSS低噪聲放大器技術手冊

MAX2659是高增益、低噪聲放大器(LNA)，設計為用于GPS、Galileo和GLONASS等應用。芯片采用Maxim先進的硅鍺(SiGe)工藝，在...

2025-03-18 標簽：放大器 SiGe LNA 1.5k 0

ADCLK946采用SiGe工藝的6 LVPECL輸出時鐘扇出緩沖器技術手冊

ADCLK946是一款采用ADI公司專有的XFCB3硅鍺（SiGe）雙極性工藝制造的超快型時鐘扇出緩沖器。這款器件設計用于要求低抖動性能的高速應用。 ...

2025-04-11 標簽：緩沖器 SiGe 時鐘 1.4k 0

ADCLK905超快型SiGe ECL時鐘/數據緩沖器技術手冊

ADCLK905（單輸入/單輸出）、ADCLK907（雙通道單輸入/單輸出）和ADCLK925（單輸入/雙輸出）為超高速時鐘/數據緩沖器，采用ADI公司...

2025-04-14 標簽：SiGe 時鐘數據緩沖器 1.4k 0

SiGe整流器：熱穩定效率

SiGe整流器集肖特基整流器的效率與快速恢復二極管的熱穩定性于一身，讓工程師能夠優化100-200V功率電路的設計，從而達到更高的效率。該器件面向汽車、...

2023-02-09 標簽：整流器 SiGe CFP 1.4k 0

ADRF6780 5.9 至23.6GHz、寬帶微波上變頻器技術手冊

ADRF6780是一款采用硅鍺(SiGe)設計的寬帶、微波上變頻器，針對點到點微波無線電設計進行優化，工作頻率范圍為5.9 GHz至23.6 GHz。

2025-03-28 標簽：變頻器 SiGe 微波 1.3k 0

ADCLK944 2.5 V/3.3 V、4路LVPECL輸出、SiGe時鐘扇出緩沖器技術手冊

KADCL944是一款超快型時鐘扇出緩沖器，采用ADI公司專有的XFCB3硅鍺(SiGe)雙極性工藝制造。這款器件設計用于要求低抖動性能的高速應用。 ...

2025-04-10 標簽：緩沖器 SiGe LVPECL 1.3k 0

ADCLK914超快型SiGe開集HVDS時鐘/數據緩沖器技術手冊

ADCLK914是一款采用ADI公司專利的互補雙極性(XFCB-3)硅鍺(SiGe)工藝技術制造的超快型時鐘/數據緩沖器。ADCLK914具備高壓差分信...

2025-04-11 標簽：SiGe 時鐘 adclk914 1.3k 0

ADMV4821 24至29.5GHz TX/RX 雙極化波束形成器技術手冊

ADMV4821 是一款硅鍺（SiGe）、24 GHz 毫米波（mmW）至 29.5 GHz 毫米波 5G 波束成形器。RF IC 高度集成，包含...

2025-04-09 標簽：SiGe 波束 5G 1.2k 0

ADMV4801 24至29.5 GHz TX/RX波束形成器技術手冊

ADMV4801 是一款硅鍺（SiGe），頻率為 24 GHz 至 29.5 GHz，毫米波，5G 波束成形器。該 RF IC 高度集成，包含 16 ...

2025-04-09 標簽：SiGe RF 波束 1.2k 0

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工業4.0是由德國政府《德國2020高技術戰略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯邦教育局及研究部和聯邦經濟技術部聯合資助，投資預計達2億歐元。旨在提升制造業的智能化水平，建立具有適應性、資源效率及基因工程學的智慧工廠，在商業流程及價值流程中整合客戶及商業伙伴。
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Nvidia 是全球圖形技術和數字媒體處理器行業領導廠商，NVIDIA的總部設在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進的專業技術，在并行處理方面實現了諸多突破。公司創立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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