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當(dāng)CMOS技術(shù)遇上微波傳感器,更先進(jìn)的雷達(dá)系統(tǒng)誕生了
隨著武器測試技術(shù)的進(jìn)步、傳統(tǒng)的測速技術(shù),如靶圈測試、天幕靶測試等方法因測試過程 繁瑣,精度較差,已不能滿足實(shí)時(shí)戰(zhàn)地測試的需要。而毫米波測速雷達(dá)將毫米波技...
SiGe外延工藝及其在外延生長、應(yīng)變硅應(yīng)用及GAA結(jié)構(gòu)中的作用
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中,隨著器件尺寸的不斷縮小,傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高...
使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz無線電的完整解決方案
完整的寬帶解決方案,涵蓋26 GHz至44 GHz范圍內(nèi)的所有無線電設(shè)計(jì)。這款完整的信號鏈采用高度集成的寬帶高性能部件,可減少元件數(shù)量,簡化設(shè)計(jì)架構(gòu),加...
ADI公司拓展用于微波頻率生成和轉(zhuǎn)換的高集成度SiGe解決方案系列,為航空飛行、汽車?yán)走_(dá)和5G等各種客戶應(yīng)用提供寬帶性能。
與通過源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來提高NMOS 的速度類似,通過源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用...
本應(yīng)用筆記介紹了硅鍺如何增強(qiáng)RF應(yīng)用中的IC性能。賈科萊托模型用于分析噪聲效應(yīng)。SiGe技術(shù)的更寬增益帶寬表明可提供更低的噪聲性能。探討了SiGe對線性...
以CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)的微型化毫米波傳感器
大多數(shù)商用雷達(dá)系統(tǒng),特別是高級駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 中的雷達(dá)系統(tǒng),均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車輛都有一個(gè)多芯片SiGe雷達(dá)系統(tǒng)。雖然...
2023-04-07 標(biāo)簽:SiGeadas雷達(dá)系統(tǒng) 2.1k 0
相對于基于傳統(tǒng)鍺硅(SiGe)的傳感器技術(shù),TI基于RFCMOS的雷達(dá)傳感器引入了更高的數(shù)字和模擬集成度,以實(shí)現(xiàn)高輸出功率、低功耗(比市面上現(xiàn)有解決方案...
利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...
ADA4950-1低功耗、增益可選的差分ADC驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊
ADA4950-1/ADA4950-2是ADA4932-1/ADA4932-2的增益可選版本,具有片上反饋和增益電阻。作為單端至差分或差分至差分放大器,...
MAX2322為高性能SiGe接收器前端IC,優(yōu)化用于PCS (1900MHz)頻段CDMA(碼分多址)應(yīng)用。它包括一個(gè)LNA、一個(gè)混頻器和一個(gè)可選頻率...
MAX2659 GPS/GNSS低噪聲放大器技術(shù)手冊
MAX2659是高增益、低噪聲放大器(LNA),設(shè)計(jì)為用于GPS、Galileo和GLONASS等應(yīng)用。芯片采用Maxim先進(jìn)的硅鍺(SiGe)工藝,在...
ADCLK946采用SiGe工藝的6 LVPECL輸出時(shí)鐘扇出緩沖器技術(shù)手冊
ADCLK946是一款采用ADI公司專有的XFCB3硅鍺(SiGe)雙極性工藝制造的超快型時(shí)鐘扇出緩沖器。這款器件設(shè)計(jì)用于要求低抖動(dòng)性能的高速應(yīng)用。 ...
ADCLK905超快型SiGe ECL時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊
ADCLK905(單輸入/單輸出)、ADCLK907(雙通道單輸入/單輸出)和ADCLK925(單輸入/雙輸出)為超高速時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器,采用ADI公司...
2025-04-14 標(biāo)簽:SiGe時(shí)鐘數(shù)據(jù)緩沖器 1.4k 0
SiGe整流器集肖特基整流器的效率與快速恢復(fù)二極管的熱穩(wěn)定性于一身,讓工程師能夠優(yōu)化100-200V功率電路的設(shè)計(jì),從而達(dá)到更高的效率。該器件面向汽車、...
ADRF6780 5.9 至23.6GHz、寬帶微波上變頻器技術(shù)手冊
ADRF6780是一款采用硅鍺(SiGe)設(shè)計(jì)的寬帶、微波上變頻器,針對點(diǎn)到點(diǎn)微波無線電設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,工作頻率范圍為5.9 GHz至23.6 GHz。
ADCLK944 2.5 V/3.3 V、4路LVPECL輸出、SiGe時(shí)鐘扇出緩沖器技術(shù)手冊
KADCL944是一款超快型時(shí)鐘扇出緩沖器,采用ADI公司專有的XFCB3硅鍺(SiGe)雙極性工藝制造。這款器件設(shè)計(jì)用于要求低抖動(dòng)性能的高速應(yīng)用。 ...
ADCLK914超快型SiGe開集HVDS時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊
ADCLK914是一款采用ADI公司專利的互補(bǔ)雙極性(XFCB-3)硅鍺(SiGe)工藝技術(shù)制造的超快型時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器。ADCLK914具備高壓差分信...
ADMV4821 24至29.5GHz TX/RX 雙極化波束形成器技術(shù)手冊
ADMV4821 是一款硅鍺 (SiGe)、24 GHz 毫米波 (mmW) 至 29.5 GHz 毫米波 5G 波束成形器。RF IC 高度集成,包含...
ADMV4801 24至29.5 GHz TX/RX波束形成器技術(shù)手冊
ADMV4801 是一款硅鍺 (SiGe),頻率為 24 GHz 至 29.5 GHz,毫米波,5G 波束成形器。該 RF IC 高度集成,包含 16 ...
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