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      標簽　>　SiGe

      SiGe

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      文章：72個 瀏覽：24618次 帖子：4個

      sige技術

      當CMOS技術遇上微波傳感器，更先進的雷達系統誕生了

      隨著武器測試技術的進步、傳統的測速技術，如靶圈測試、天幕靶測試等方法因測試過程 繁瑣，精度較差，已不能滿足實時戰地測試的需要。而毫米波測速雷達將毫米波技...

      2017-12-28 標簽：CMOSSiGeadas 9.8k 0

      SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用及GAA結構中的作用

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      本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用以及GAA結構中的作用。 ? 在現代半導體技術中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統的硅基材料逐漸難以滿足高...

      2024-12-20 標簽：半導體工藝SiGe 7.4k 0

      使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz無線電的完整解決方案

      完整的寬帶解決方案，涵蓋26 GHz至44 GHz范圍內的所有無線電設計。這款完整的信號鏈采用高度集成的寬帶高性能部件，可減少元件數量，簡化設計架構，加...

      2018-06-06 標簽：CMOSadi寬帶 6.5k 0

      用于頻率生成和轉換的高集成度SiGe解決方案

      ADI公司拓展用于微波頻率生成和轉換的高集成度SiGe解決方案系列，為航空飛行、汽車雷達和5G等各種客戶應用提供寬帶性能。

      2018-06-06 標簽：adiSiGe雷達 4.1k 0

      源漏嵌入SiGe應變技術簡介

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      與通過源漏嵌入 SiC 應變材料來提高NMOS 的速度類似，通過源漏嵌入 SiGe 應變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應變技術被廣泛用...

      2024-07-26 標簽：SiGePMOS晶格 4.1k 0

      硅鍺技術增強無線電前端性能

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      本應用筆記介紹了硅鍺如何增強RF應用中的IC性能。賈科萊托模型用于分析噪聲效應。SiGe技術的更寬增益帶寬表明可提供更低的噪聲性能。探討了SiGe對線性...

      2023-02-24 標簽：SiGeRF無線電 2.2k 0

      以CMOS技術實現的微型化毫米波傳感器

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      大多數商用雷達系統，特別是高級駕駛員輔助系統 (ADAS) 中的雷達系統，均基于鍺硅(SiGe)技術。目前的高端車輛都有一個多芯片SiGe雷達系統。雖然...

      2023-04-07 標簽：SiGeadas雷達系統 2.1k 0

      用毫米波傳感器為汽車帶來高級視覺

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      相對于基于傳統鍺硅（SiGe)的傳感器技術，TI基于RFCMOS的雷達傳感器引入了更高的數字和模擬集成度，以實現高輸出功率、低功耗（比市面上現有解決方案...

      2023-04-07 標簽：SiGeAPI雷達傳感器 1.9k 0

      利用氧化和“轉化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

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      2023-06-15 標簽：半導體晶圓SiGe 1.8k 0

      ADA4950-1低功耗、增益可選的差分ADC驅動器技術手冊

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      ADA4950-1/ADA4950-2是ADA4932-1/ADA4932-2的增益可選版本，具有片上反饋和增益電阻。作為單端至差分或差分至差分放大器，...

      2025-03-14 標簽：差分放大器SiGeADC 1.6k 0

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      關于SiGe HBT 技術和應用的未來分析和介紹

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      在雷達應用這塊， 除了早已上市的77-78，79-81GHz雷達，主用于ADAS。同時94GHz雷達應用也已成熟，用于惡劣天氣，機場地面監測等。 同時最...

      2019-09-06 標簽：SiGe分辨率晶體管 1.9萬 0

      深入探討封裝基板

      來源：內容來自「馭勢資本」，謝謝。 半導體封裝基礎 半導體制造工藝流程 半導體制造的工藝過程由晶圓制造（Wafer Fabr ication）、晶圓測試...

      2021-10-19 標簽：芯片半導體SiGe 1.1萬 0

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      據IEEE報道，來自IMEC的Hans Mertens研究小組，使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統硅表面上成功制作了環柵式晶體管，未來經過技術改進有可...

      2016-11-23 標簽：SiGe晶體管FinFET 4.5k 0

      得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動揚聲器介紹

      本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動系列揚聲器。 1 產品...

      2021-10-11 標簽：整流器SiGe揚聲器 4.1k 0

      基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應用

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      最近合作伙伴發布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片，在這里給大家介紹一下參數和指標，針對應用會在文末給大家一些方向性參考。 雷達前端TRA?2...

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      眾所週知，恩智浦半導體(NXP Semiconductors)是從荷蘭皇家飛利浦(Philips)獨立而出。而在歷經多年的發展轉變后，今天的恩智浦，已經...

      2012-05-03 標簽：恩智浦SiGeLNA 2.3k 0

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      2024-12-17 標簽：SiGe刻蝕 2.2k 0

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      恩智浦半導體 NXP近日宣布推出SiGe:C低噪聲放大器(LNA)，進一步提高了GPS信號的線性度、噪聲系數以及GPS(包括GLONASS和伽利略衛星定...

      2011-12-26 標簽：恩智浦SiGeLNA 2.1k 0

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      本文采用兩個晶體管構成回轉器，利用晶體管內部本征電容合成電感。設計了采用不同組態的四種有源電感電路結構，并就其中一個性能較好的電路做了詳細的討論

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      格羅方德半導體（GlobalFoundries）于今日宣布針對硅鍺（SiGe）高性能技術組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術專為需要更優性能解決方...

      2016-06-08 標簽：SiGe射頻芯片格羅方德 2k 0

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      sige數據手冊

      型號 描述 數據手冊 參考價格
      SE7351L-T SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7351L-AK3 SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7265L-R SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7265L-EK1 SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7262L-EK1 SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc.

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