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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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山大與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面的突破
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料, 具有高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、強(qiáng)化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良特性
使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)
電動汽車(EV)車載充電機(jī)(OBC)可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式,充電功率從電動機(jī)車等應(yīng)用中的不到2kW,到高端電動汽車中的22kW不等。傳統(tǒng)上,...
在全世界都致力于實(shí)現(xiàn)碳中和的同時(shí),電動汽車 (EV) 也在迅速搶占內(nèi)燃機(jī)汽車的市場份額。 然而,電動汽車存在里程焦慮的問題,用戶會擔(dān)心在不充電的情況下E...
聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串?dāng)_問題
碳化硅具有更快的切換速度(更短的切換時(shí)間),較低的損耗,更高的開關(guān)頻率,更高的耐壓能力以及更好的溫度特性,相應(yīng)地帶來效率的替身,系統(tǒng)磁性元器件減小,功率...
功率半導(dǎo)體迎來SiC時(shí)代?碳化硅(SiC)的需求快速增長
在新能源汽車終端市場中,隨著SiC材料價(jià)格下降,碳化硅(SiC)的需求快速增長,來自于車載充電、驅(qū)動逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。
2023-08-27 標(biāo)簽:新能源汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBT 5.2k 0
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵...
始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...
功率模塊納米銀燒結(jié)技術(shù)研究進(jìn)展
以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有高 擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密 度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn),非常適合 制作應(yīng)用于高頻、...
2023-08-18 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體材料SiC 4.1k 0
在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的...
碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么
傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局,電流回路面積大,雜散電感參數(shù)大。CPES...
碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
如今,我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個(gè)方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中,功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。
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