完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
文章:3314個 瀏覽:69460次 帖子:124個
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...
2025-01-22 標簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 3.3k 0
季豐電子材料分析實驗室配備賽默飛Talos F200i,設(shè)備選配有Epsilon應(yīng)力分析系統(tǒng),配合精準的TEM樣品制備技術(shù)、納米電子衍射收集參數(shù)優(yōu)化和數(shù)...
所有類型的電動汽車(EV)的高功率、高電壓要求,包括電動公交車和其他電子交通電源系統(tǒng),需要更高的碳化硅(SiC)技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高...
下一代高壓SiC MOSFET的可靠性和穩(wěn)健性測試
在當(dāng)今這一代,電力電子設(shè)備幾乎在從交流適配器到傳輸系統(tǒng)的各個領(lǐng)域都有應(yīng)用。這些器件包含硅 (Si) 作為低壓和高壓器件的主要元素。然而,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的...
碳化硅MOSFET的經(jīng)濟高效且可靠的大功率解決方案
碳化硅已被證明是高功率和高電壓設(shè)備的理想材料。但是,設(shè)備的可靠性極其重要,我們不僅指短期可靠性,還指長期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素,但...
SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率,高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來, GeneSiC 開創(chuàng)了高性能, 堅固, 和可靠的碳化硅 (SiC) 用于汽車、...
面對高效、緊湊的電力電子系統(tǒng)需求,功率器件的選型已成為設(shè)計核心。當(dāng)前,SiC MOSFET與硅基IGBT是兩大主流技術(shù)路線,各具性能與成本優(yōu)勢。厘清二者...
顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向,但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。
隔離比較器在電機驅(qū)動系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實現(xiàn)突破,推出更高的電流等級、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降...
三菱電機開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時器件內(nèi)部...
第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽...
碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細探討...
碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能,在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而,SiCMOSFET在研...
2025-02-06 標簽:MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 3.2k 0
改變大功率燈或電機亮度的最佳技術(shù)之一是脈沖寬度調(diào)制 (PWM)。在汽車電子系統(tǒng)中,一段時間以來,控制單元使用 PWM 命令控制和管理各種執(zhí)行器。例如,柴...
深圳爭妍微電子《快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時間(trr)選型核心:從25ns到500ns,不同應(yīng)用場景匹配技巧》
快恢復(fù)二極管(FRD)作為電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵器件,其反向恢復(fù)時間(trr)直接決定電路開關(guān)損耗、電磁干擾(EMI)水平及系統(tǒng)效率,是高頻功率轉(zhuǎn)換場景中選...
2025-12-24 標簽:可控硅快恢復(fù)二極管SiC 3.2k 0
GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而,它們在材料...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |