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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在應(yīng)用中功率MOSFET器件的基本參數(shù)分析
數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。對(duì)于前者,在任何情況下都 不能超過,否則器件將永久損害;對(duì)于后者,一般以最小值、最大值、和典型值的形式...
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路案例分析
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...
PMOS開關(guān)管的工作原理和如何進(jìn)行選擇
在電路中常見到使用MOSFET場效應(yīng)管作為開關(guān)管使用。下面舉例進(jìn)行說明。
2020-07-10 標(biāo)簽:mosfet場效應(yīng)管開關(guān)管 2.6萬 1
單鍵實(shí)現(xiàn)單片機(jī)開關(guān)機(jī)設(shè)計(jì)案例
單片機(jī)工作后,將最先進(jìn)行IO口初始化,IO1設(shè)為輸入狀態(tài),啟用內(nèi)部上拉;IO2設(shè)為輸出狀態(tài),輸出高電平。這時(shí)Q2、Q3導(dǎo)通,LED1發(fā)光,7805能夠正...
意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET技術(shù),不但每單位面積的導(dǎo)通電阻非常之低,切換效能絕佳,而且跟傳統(tǒng)的硅基續(xù)流二極體(FWD)相比,內(nèi)接二極體關(guān)閉時(shí)的反向恢復(fù)...
三相1200V/450A SiC MOSFET電動(dòng)汽車智能功率模塊
該智能功率模塊是為高熱環(huán)境的穩(wěn)定性應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,額定的 最高結(jié)溫為 175℃。柵極驅(qū)動(dòng)器本身具備在最高環(huán)境工作溫度為 125℃的情況下、長時(shí)間工作的增強(qiáng)...
2020-06-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3.3k 0
功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)源來驅(qū)動(dòng),為了提高關(guān)斷的速度,實(shí)現(xiàn)快速的關(guān)斷降低關(guān)斷損耗提高系統(tǒng)效率,在很多ACDC電源、手...
2020-06-07 標(biāo)簽:MOSFETEMI驅(qū)動(dòng)電路 6.1k 0
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的能源效率
兩種元件都已經(jīng)利用雙脈波測試,從動(dòng)態(tài)的角度加以分析。兩者的比較是以應(yīng)用為基礎(chǔ),例如600 V匯流排直流電壓,開啟和關(guān)閉的dv/dt均設(shè)定為5 V/ns。
2020-06-04 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅工業(yè)驅(qū)動(dòng)器 1.6k 0
應(yīng)用手冊(cè) | 650V CoolMOS? CFD7A系列詳解
為滿足電動(dòng)汽車市場的需求,英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化,可以滿足電動(dòng)汽車應(yīng)...
2020-05-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌MOSFET 2.1k 0
什么是氮化鎵晶體管?它有什么作用?硅功率MOSFET還沒有跟上電力電子行業(yè)的發(fā)展變化,在這個(gè)行業(yè)中,效率、功率密度和更小的形式等因素是社區(qū)的主要需求。電...
基于UC3879芯片和MOSFET器件實(shí)現(xiàn)全橋移相諧振逆變弧焊電源的設(shè)計(jì)
電焊機(jī)是工業(yè)牛產(chǎn)和加工領(lǐng)域不可或缺的設(shè)備,其中逆變焊機(jī)由于具有體積小、重量輕、控制性能好、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、易于實(shí)現(xiàn)焊接過程的實(shí)時(shí)控制等優(yōu)異性能,成為焊機(jī)產(chǎn)品...
隨著現(xiàn)在對(duì)更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào),我們創(chuàng)建了該專欄,就各種電源管理課題提出一些對(duì)您有幫助的小技巧。該專欄面向各級(jí)設(shè)計(jì)工程師。無論您是從事...
2020-05-05 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)濾波器 4.1k 0
東微半導(dǎo)體超級(jí)硅MOSFET系列產(chǎn)品,可取代了氮化鎵高能效要求
東微半導(dǎo)體的GreenMOS系列產(chǎn)品是國內(nèi)最早量產(chǎn)并進(jìn)入工業(yè)級(jí)應(yīng)用的高壓超級(jí)結(jié)產(chǎn)品系列,在國產(chǎn)品牌中占有領(lǐng)先地位,廣泛應(yīng)用于充電樁模塊,通訊電源等大功率...
適合于高功率放大器系統(tǒng)的單元拓?fù)浜蛿?shù)字控制原理研究
功率放大器在音頻功放、發(fā)射系統(tǒng)、伺服系統(tǒng)、聲納探測、振動(dòng)測試等很多領(lǐng)域都得到廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的功率放大器采用線性放大電路,其效率較低(40%~60%),...
FB(反饋信號(hào)輸入)引腳通過光電耦合器來監(jiān)測二次側(cè)輸出電壓,從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定控制。ZT(過零電流檢測)引腳通過VCC繞組檢測開關(guān)關(guān)斷時(shí)線圈中積蓄的電力被供應(yīng)...
功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗
損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動(dòng)器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請(qǐng)參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動(dòng)器電壓或者實(shí)測,或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng) 4.9k 0
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