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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS54302的功能特性及應(yīng)用范圍
TPS54302 是一款輸入電壓范圍為4.5V至28V的3A同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件包含兩個(gè)集成式開關(guān)場效應(yīng)晶體管 (FET) 并且具備內(nèi)部回路補(bǔ)償和 5...
2020-10-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet半導(dǎo)體 5.1k 0
Linear的DC/DC控制器LT3790的性能特點(diǎn)及作用分析
Linear的同步降壓-升壓型 DC/DC 控制器LT3790,采用單個(gè)器件就可提供高達(dá) 250W 功率。LT3790 的 4.7V 至 60V 輸入電...
電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場主流,但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。
選擇IC需考慮控制器的架構(gòu)和內(nèi)部元件 以期高能效指標(biāo)
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實(shí)際應(yīng)用中無法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率,但是,一個(gè)高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平,效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC 的...
2020-10-14 標(biāo)簽:電源MOSFET開關(guān)電源 4.1k 0
采用MC33262 PFC控制芯片實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)校正電路的應(yīng)用設(shè)計(jì)
MC33262 芯片內(nèi)部含有自起動(dòng)定時(shí)器、一象限乘法器、誤差放大器、電流檢測比較器、零電流檢測器、圖騰柱驅(qū)動(dòng)輸出以及過壓、欠壓等保護(hù)電路,具體內(nèi)部結(jié)構(gòu)框...
MOS在模擬電路上的應(yīng)用 MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路
最開始學(xué)習(xí)三極管的時(shí)候,很注重它的工作原理,后來到了實(shí)際應(yīng)用,就直接把三極管或MOSFET直接當(dāng)作一個(gè)開關(guān)器件使用。直到前這幾天,接觸到MOSFET組成...
2020-10-15 標(biāo)簽:三極管MOSFET步進(jìn)電機(jī) 1.0萬 0
SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗解決方案解析
碳化硅(SiC)MOSFET的快速開關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。
如何驅(qū)動(dòng) MOSFET?MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電路原理解析
MOSFET 功率開關(guān)是開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里最重要的元件,如果它被集成進(jìn) IC 里,這種器件便可以被稱作轉(zhuǎn)換器;如果它被外置,能夠驅(qū)動(dòng)它的器件便可以被稱...
電池測試設(shè)備實(shí)現(xiàn)電池化成分容技術(shù)要點(diǎn)
電池測試單元的功率部分主要包括模擬控制器,半橋驅(qū)動(dòng),MOSFET,輸入輸出保護(hù)器。
探討在DC/DC變換器的恒定導(dǎo)通時(shí)間控制方案
第一因素是誤差放大器。在電壓反饋環(huán)路中,補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的誤差放大器充當(dāng)了低通濾波器的作用,從而拉長了變換器對(duì)輸出電壓變化的響應(yīng)時(shí)間。
2021-01-27 標(biāo)簽:MOSFET低通濾波器DC-DC轉(zhuǎn)換器 4.6k 0
產(chǎn)生超結(jié)MOSFET的高電壓器件開發(fā)技術(shù)——電荷平衡技術(shù)
作者:Sanjay Havanur,Vishay Siliconix公司 自從30多年前首次推出以來,MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)...
2021-01-26 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電荷平衡 6.8k 0
基于區(qū)域網(wǎng)的供電系統(tǒng)或有源乙太網(wǎng)系統(tǒng)方案
NCP1095/NCP1096還支援自動(dòng)分類(Autoclass),這可使系統(tǒng)的效能提高,并且借由自動(dòng)配對(duì)供電,可簡化線路設(shè)計(jì)流程與設(shè)定,優(yōu)化PD端的功率輸出。
2021-01-25 標(biāo)簽:MOSFET供電系統(tǒng)智慧家庭 2.8k 0
如何將其4個(gè)MOSFET的內(nèi)置二極管為電池充電
負(fù)載通常表現(xiàn)為變壓器形式,其低壓初級(jí)線圈與MOSFET橋連接以實(shí)現(xiàn)預(yù)期的DC到AC反相。
SPWM發(fā)生器的實(shí)現(xiàn)及生成步驟解析
SPWM發(fā)生器的實(shí)現(xiàn)基于Dialog半導(dǎo)體公司的SLG46826V,它是一種可配置的混合信號(hào)IC(CMIC),其中包含F(xiàn)SM數(shù)字計(jì)數(shù)器、高速模擬比較器和...
碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案
對(duì)于可再生能源設(shè)備,如太陽能逆變器和儲(chǔ)能設(shè)備,我們的碳化硅器件具有極低的RDS(on)特性,可將散熱量保持在最低水平。
MOSFET寄生電容參數(shù)如何影響開關(guān)速度
我們應(yīng)該都清楚,MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層,因此柵源和柵漏之間必然存在一個(gè)寄生電容CGS和CGD,溝道未形成時(shí),漏源之間也有一個(gè)寄生電容C...
節(jié)能性能優(yōu)異的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器——BD83070GWL
BD83070GWL是一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC,適用于電池驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備。這款DC/DC轉(zhuǎn)換器IC不...
2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC轉(zhuǎn)換器可穿戴式設(shè)備 5.5k 0
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