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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

基于p型V-WSe2和n型MoS2的可編程FET的異質(zhì)集成

CMOS技術(shù)是無(wú)數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品、儀器和計(jì)算工具的大腦。60多年來(lái),CMOS技術(shù)在性能、能效和單位功能成本方面持續(xù)增長(zhǎng),這得益于遵循摩爾定律的硅基MOSF...

2022-08-02 標(biāo)簽:CMOSMOSFETFET 3.9k 0

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一...

2022-08-02 標(biāo)簽:集成電路MOSFET半導(dǎo)體 2.3k 0

雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列:基本原理和應(yīng)用

雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列:基本原理和應(yīng)用

雙脈沖是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法,貫穿器件的研發(fā),應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái),你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路,...

2022-08-01 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET 1.5萬(wàn) 1

如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路

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為了實(shí)現(xiàn)在圖騰柱PFC使用常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件,本文介紹預(yù)充電電路的解決方案。 相較采用寬禁帶半導(dǎo)體,此方案的功率半導(dǎo)體器件較普遍且容易取得,提供給使用者做為...

2022-08-01 標(biāo)簽:電源MOSFETPFC 2.3k 0

650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比

650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比

650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告,電動(dòng)汽車(chē)充電市場(chǎng)的增長(zhǎng)將非常強(qiáng)...

2022-08-02 標(biāo)簽:MOSFETSiC羅姆 1.6k 0

低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征

低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征

半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀,以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如,2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功...

2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFET電纜半導(dǎo)體器件 581 0

關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護(hù)設(shè)計(jì)

富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...

2022-07-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 4.7k 0

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

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功率MOSFET用戶(hù)都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而,越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計(jì)的角度來(lái)看,單個(gè)MOSFET不太可能被靜電放電(ESD)損壞。然而...

2022-07-30 標(biāo)簽:ESDMOSFETIGBT 1.9k 0

MOS管為什么需要柵極電阻?

MOS管也可以沒(méi)有柵極電阻的情況下工作,但添加一個(gè)柵極電阻可以防止一些潛在的問(wèn)題。一般為1000 Ω就可以。

2022-07-29 標(biāo)簽:電容器MOSFET柵極電阻 5.5k 0

電源設(shè)計(jì)說(shuō)明:線性方案中的SiC MOSFET

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SiC MOSFET 在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下工作。然而,了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的,這可能發(fā)生在驅(qū)動(dòng)器發(fā)生故障的情況下,或者出于某些目的,當(dāng)設(shè)計(jì)者編程時(shí)會(huì)發(fā)...

2022-07-29 標(biāo)簽:電流MOSFET電源設(shè)計(jì) 1.3k 0

種高功率PCB熱管理的方法?

整個(gè)電力電子行業(yè),包括射頻應(yīng)用和涉及高速信號(hào)的系統(tǒng),都在朝著在越來(lái)越小的空間內(nèi)提供越來(lái)越復(fù)雜的功能的解決方案發(fā)展。設(shè)計(jì)人員在滿足系統(tǒng)尺寸、重量和功率要求...

2022-07-29 標(biāo)簽:pcbMOSFET晶體管 1.1k 0

分析用于電力電子的寬帶隙半導(dǎo)體

分析用于電力電子的寬帶隙半導(dǎo)體

使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義,它們具有更大的帶隙,因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 (SiC)...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 2.6k 0

使用最新的SiC FET封裝選項(xiàng)提高車(chē)載充電器性能

使用最新的SiC FET封裝選項(xiàng)提高車(chē)載充電器性能

在電動(dòng)汽車(chē)中,功率轉(zhuǎn)換效率是解決續(xù)航里程和充電時(shí)間問(wèn)題的關(guān)鍵。為了最大限度地提高效率,交流輸出牽引逆變器很少在 10 kHz 以上運(yùn)行,因?yàn)樵谳^高頻率下...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETSiC車(chē)載充電器 1.5k 0

SiC MOSFET發(fā)展趨勢(shì)與解決方案

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毫無(wú)疑問(wèn),所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力,在過(guò)去五年中,汽車(chē)行業(yè)一直是該材料的公開(kāi)試驗(yàn)場(chǎng)。基于 SiC 的傳動(dòng)系統(tǒng)逆變器——將來(lái)...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET功率器件碳化硅 1.8k 0

終端區(qū)域?qū)﹂_(kāi)關(guān)損耗的物理分析

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盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體,但最近的研究表明它有一些局限性,特別是在高功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的一個(gè)相關(guān)因素,因?yàn)楦邘对诟邷亍㈦妷?..

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)損耗 2.1k 0

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對(duì)降低能耗和在高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETJFET功率器件 3.2k 0

下一代高壓SiC MOSFET的可靠性和穩(wěn)健性測(cè)試

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在當(dāng)今這一代,電力電子設(shè)備幾乎在從交流適配器到傳輸系統(tǒng)的各個(gè)領(lǐng)域都有應(yīng)用。這些器件包含硅 (Si) 作為低壓和高壓器件的主要元素。然而,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 3.3k 0

肖特基勢(shì)壘二極管次線性行為分析的仿真

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隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展,對(duì)具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢(shì)壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中,源極和漏極構(gòu)成硅化物...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 2.4k 0

降低 SiC 電阻之路

降低 SiC 電阻之路

本文基于PGC 咨詢(xún)公司進(jìn)行的分析,研究了當(dāng)今的 650-V 和 1,200-V SiC MOSFET,揭示了這些問(wèn)題,包括柵極氧化物可靠性的優(yōu)化,這有...

2022-07-29 標(biāo)簽:電阻MOSFETSiC 2.5k 0

柵極驅(qū)動(dòng)器的重要性

柵極驅(qū)動(dòng)器的重要性

碳化硅和氮化鎵開(kāi)關(guān)器件是所有電源電路中主要使用的元件。盡管它們?cè)谶\(yùn)行速度、高電壓、處理電流和低功耗等固有特性方面取得了優(yōu)異的成績(jī),但設(shè)計(jì)人員將所有注意力...

2022-07-29 標(biāo)簽:電源MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 3.4k 0

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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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