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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管的管腳有三個(gè):源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain),但是實(shí)際工程應(yīng)用中,經(jīng)常無(wú)法區(qū)分PMOS管和NMOS管、各管腳的...
MOS管有三個(gè)引腳,分別是,柵極G、源極S、漏極D,這三個(gè)腳,用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳,通過(guò)改變引腳的電平,我們可以直接控制這個(gè)MO...
2023-02-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS管柵極 1.8萬(wàn) 0
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFET應(yīng)用電路MOS管 2.5萬(wàn) 0
只要是做我們電子這一行的,那肯定就會(huì)接觸到各種各樣的電源開(kāi)關(guān)電路,有了開(kāi)關(guān)電源電路那就意味著肯定也要有開(kāi)關(guān),尤其是在對(duì)功耗高的電路中間,或者當(dāng)負(fù)載短路時(shí)...
2023-02-27 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路MOS管 3.6k 0
IGBT主要參數(shù)與應(yīng)用特點(diǎn)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性功率半導(dǎo)體器件,由BJT(雙極型三極管)和MOS管復(fù)合而成,兼...
2023-02-26 標(biāo)簽:MOS管IGBT功率半導(dǎo)體 1.6萬(wàn) 0
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,也被稱(chēng)為MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管),是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 1.9萬(wàn) 0
開(kāi)關(guān)電源中場(chǎng)效應(yīng)管的作用解析
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFE...
2023-02-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 5.5k 0
三相600V柵極全橋驅(qū)動(dòng)IC-PT5616/PT5616A介紹
PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動(dòng)IC,在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中,用于控制功率器件,如MOS晶體管或IGBT。
Buck電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及工作原理
常見(jiàn)的電子產(chǎn)品中,通常需要用到12V以下的電壓,如5V、3.3V、1.8V等,這就需要用到二次降壓,直流降壓的方式主要有LDO和BUCK兩種方式,采用L...
在場(chǎng)效應(yīng)管家族中可以分支成三類(lèi)成員,第一類(lèi)是比較常用的一類(lèi),它的大名叫“絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管”(MOSFET),它的小名叫“MOS”管,也就是題目所講的MO...
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 6.4k 0
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi), P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之...
首先我們介紹增強(qiáng)型MOS管,也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強(qiáng)型,我們下面都會(huì)介紹到。
2023-02-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管MOS 5.7k 0
PDN阻抗是從負(fù)載端看過(guò)去的電源分配網(wǎng)絡(luò)的阻抗,PDN阻抗要小于目標(biāo)阻抗,這些概念對(duì)于做電源完整性的人來(lái)說(shuō)再熟悉不過(guò)了,網(wǎng)上也有大量的文檔介紹,但是很多...
MOS管,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)mos管工作原理圖。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型,PNP型也叫P溝道型。由圖可看出,對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源...
2023-02-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3.1k 0
貼片MOS管的引腳可以通過(guò)查看其封裝形狀來(lái)判斷。一般來(lái)說(shuō),貼片MOS管的引腳分別為源極(S)、漏極(D)和控制極(G)。源極和漏極的位置可以通過(guò)查看封裝...
電子元器件有著不同的封裝類(lèi)型,不同類(lèi)的元器件外形雖然差不多,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同。
2023-02-22 標(biāo)簽:三極管二極管場(chǎng)效應(yīng)管 2k 0
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