首先我們介紹增強型MOS管，也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強型，我們下面都會介紹到。

一、增強型MOS管

首先看一下結構圖（NMOS）：

圖片來自網絡

我們會發現這個絕緣柵型的結構和前面介紹的結型場效應管有點不太一樣，但這不是重點。 絕緣柵型場效應管多用在集成電路中，比如我們開篇說到的門電路，這也只是冰山一角。

先介紹一下它的結構吧。

源極（S）、漏極（D）、柵極（G）都沒有變，它們都接了一個金屬墊片，多了一個襯底電極B直接連到P（襯底）。

S極和D極接到N，二者其實是一樣的，也可以互換。 但是，G極卻并沒有和任何N或者P連接，極板下面是一層很薄的二氧化硅（SiO2）薄層，絕緣。 所以現在的任務就是想要D與S之間能夠構成通路。

電路符號，箭頭方向還是和結型場效應管一樣的，P指向N。 有了上面的介紹，應該知道為什么D、B、S之間是斷開了吧，沒有一個是自帶的通路。

現在我們介紹一下導電溝道的形成，先看圖。

圖片來自網絡

電壓UGS，B極也是連到了電源負極，這樣，G+、B-，之間會形成一個電場，方向向下，把P里面的自由電子都吸引到二氧化硅（SiO2）那了，形成一個叫做“自由電子薄層”的導電區域，也叫“N型反型層”。 于是電壓UGS越大，吸引的電子就越多，這個反型層也就越寬，足以把S與D的N區域連接起來。

一般的，我們把剛開始形成反型層的柵源電壓稱為開啟電壓，用UGS(th)表示。

圖片來自網絡

D和S之間加上電壓UDS，二者導通，，產生漏極電流ID。

其實這個導電的溝道，或者說反型層，可以理解為由電壓UGS控制的一個電阻，因為UGS大小不同，導致反型層寬度不同，導電性也不同。

雖然我們加上電壓UDS，D與S導通，但是也會和前面的結型場效應管一樣，在漏極D附近形成電壓梯度，漏極D附近電壓表示為UGS-UDS，這是小于源極S附近電壓的。所以，漏極D附近電場弱，反型層薄，使得溝道不等寬。如果UDS增大到UGS(th)時，溝道在漏極D附近夾斷，電流ID不在變化，相當于飽和了。

綜上所述，NMOS管的輸出特性曲線和結型場效應管差不多，前面電流增大的一段是可變電阻區，后面電流不在變化，可以說是恒流區或者飽和區。

現在解釋一下為什么要叫增強型？小編理解的就是，G和S之間逐漸增大電壓UGS，形成反型層，從而實現導電的基礎，可以說是一個正向的過程吧。大家怎么理解就怎么理解。

二、耗盡型MOS管

其實原理和增強型一樣， 只是在二氧化硅（SiO2）薄層那里加了電荷，耗盡型NMOS加的是正電荷，耗盡型PMOS加的是負電荷 ，也就是說，耗盡型的做出來之后就自帶導電溝道了，區別就是在這。

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好了，今天的內容就到這里，我們下期再見。