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標簽 > MDD
MDD是國內少數采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導體品牌,15年的行業深耕,一直專注于半導體領域。在科技研發與創新的基礎上,積累了厚實的研發設計能力,同時還建立全流程的封裝測試產線(涵蓋封裝測試、成品測試等多項)。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件
一、微波爐為什么需要MDD“高壓二極管”?在家用微波爐中,真正產生微波的是磁控管(Magnetron)。但磁控管工作需要
一、為什么三極管問題總是“看起來很隨機”?在FAE現場支持中,經常遇到如下問題:-同一電路,有的板子正常,有的異常-高溫
告別充電難題,MDD 辰達半導體針對清潔電器推出分立器件解決方案
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保護器件在現代電子產品中扮演著重要角色,尤其是在汽車電子、通信設備、消費電子及工業控制系統中。它們的主要作用是防止電路組
高頻整流廣泛應用于現代開關電源、逆變器、RF電路以及通信設備中。與低頻整流不同,高頻整流要求二極管具備更高的開關速度、更
MDD穩壓二極管(ZenerDiode)作為電子電路中常見的電壓基準與保護元件,因其反向擊穿時能夠提供相對穩定的電壓而被
在電子產品的防護設計中,MDD瞬態電壓抑制二極管(TVS)被廣泛應用于應對靜電放電(ESD)、浪涌、電快速脈沖(EFT)
在功率器件的參數表中,我們常看到MOSFET的AvalancheEnergy(EAS)或AvalancheCurrent
MDD辰達半導體的高效率整流管(如肖特基、快恢復、超快恢復以及SiC二極管)是現代電源系統中不可或缺的器件,廣泛應用于服
在現代電源系統中,MDD辰達半導體的高效率整流管(如肖特基二極管、快恢復二極管、超快恢復二極管)因其低正向壓降、快速反向
深圳辰達行電子有限公司成立于2008年,公司總部位于廣東深圳,是一家專業研發生產半導體分立器件的國家高新技術企業。
公司通過不斷努力,高品質的“MDD”品牌得到廣大客戶的信賴與支持,公司投資建設封裝廠,工廠占地24畝,建筑面積15000平方,現有員工300余人,年產銷二極管、整流橋總量約70億只。
工廠引進全套國外先進設備和科學管理體系,擁有SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、TO-277、TO-252、TO-220、UMB、MBS、MBF、ABS、KBP、GBU、GBJ、KBPC、R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6、SOT-23、SOT-89、SOD-523、DFN等多種封裝形式的二極管/整流橋生產線;品種規格齊全,有普通整流、快速恢復、高效率、超快速、肖特基、整流橋、以及雙向觸發、高壓、瞬態抑制、開關、穩壓等各種系列的二極管/整流橋。
公司通過了ISO9001:2008質量管理體系、ISO14001環境管理體系認證,產品通過美國UL認證,并符合歐盟RoHS、REACH環保要求,可為客戶提供量身定制與研發設計的專業服務,并可以提供滿足客戶需求的無鹵素產品。產品廣泛應用于消費類電子、安防、工控類、汽車電子、新能源等領域并遠銷歐美及東南亞地區,在客戶中享有良好的口碑。
展望未來,辰達行將常懷感恩的心,竭誠為新老客戶提供優質產品和完美服務。力爭為中國半導體事業做出奉獻!
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在數據中心、工業自動化及新能源領域,MOSFET的導通損耗與動態響應直接影響系統能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結合屏蔽柵技術,...
MDD辰達推出大電流低內阻MOS,助力電機驅動管理系統新突破
MDD辰達半導體是一家專注于半導體分立器件的研發設計、封裝測試與銷售的國家高新技術企業。產品線涵蓋MOSFET、整流器件、保護器件、小信號SiC等,打造...
辰達半導體榮獲 “2024 年度華強電子網優秀國產品牌企業”
? 近日,深圳辰達半導體有限公司在激烈的市場競爭中脫穎而出,榮獲 “2024 年度華強電子網優秀國產品牌企業” ,這一榮譽不僅是對我們過往成績的高度認可...
2025-03-14 標簽:MDD 1.1k 0
近日,安徽辰達半導體有限公司與母公司深圳辰達半導體有限公司(以下合并簡稱“MDD辰達半導體”)共同接受了全球領先認證機構德國TüV萊茵的IATF 169...
? ? 家人們,一到冬天,路面那叫一個滑,要是汽車胎壓還不足,打滑風險直接拉滿!有時候著急出門,根本沒時間開車去找地兒充氣,這可咋整?別慌,這時候一個靠...
? 作為全球范圍內規模首屈一指、影響力極為強大的電子元器件盛會,德國慕尼黑電子展(Electronica Munich),向來備受電子行業精英們的高度關...
| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| MDD15N10D | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續漏極電流(Id):15A;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V; |
獲取價格
|
|
| DFR1J F1J | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.3V@1A;反向恢復時間(trr):250ns; |
獲取價格
|
|
| DSR0.3K S03K | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):800V;平均整流電流(Io):300mA;正向壓降(Vf):1.1V@300mA; |
獲取價格
|
|
| SOD1H8 U8 | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):1kV;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.7V@1A;反向恢復時間(trr):75ns; |
獲取價格
|
|
| BZT52C7V5-WC | 二極管配置:獨立式;穩壓值(標稱值):7.5V;穩壓值(范圍):7V~7.9V;精度:-;功率:500mW; |
獲取價格
|
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