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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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上海貝嶺IGBT產(chǎn)品BLG15T65FUA系列榮獲UL1557認(rèn)證
近日,上海貝嶺自主研發(fā)的安規(guī)級IGBT功率器件-BLG15T65FUA系列產(chǎn)品成功通過UL1557認(rèn)證。這一突破標(biāo)志著產(chǎn)品在安全性、可靠性表現(xiàn)上達(dá)到了先...
傾佳電子全面分析在高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價(jià)值主張
傾佳電子全面分析在高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價(jià)值主張 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)...
2025-11-02 標(biāo)簽:變頻器IGBTSiC MOSFET 1.5k 0
作為電力電子系統(tǒng)的“核心傳令官”,柵極驅(qū)動器承擔(dān)著銜接控制芯片和功率開關(guān)的關(guān)鍵使命,更是保障高低壓隔離的安全屏障。從新能源汽車的電驅(qū)電控、到光伏逆變器、...
SiC 碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料
引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍...
陸芯科技正式推出1200V15A GEN3 IGBT單管,產(chǎn)品型號為YGW15N120TMA1。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺,P...
2025-10-30 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體陸芯科技 2k 0
隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素...
中微愛芯推出高速柵極驅(qū)動器AiP4421/AiP4422
柵極驅(qū)動器是連接控制芯片和功率開關(guān)、實(shí)現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中,無論是新能源汽車的電驅(qū)電控、光伏逆變器,,還是工業(yè)變頻器,其核心都離不開...
I.S.E.S中國峰會上安森美揭秘功率密度爆發(fā)式增長密碼 每兩年翻一倍
當(dāng)全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)為更快充電、更長續(xù)航激烈競逐,當(dāng)AI數(shù)據(jù)中心因算力成本反復(fù)測算,圍繞“功率密度”的技術(shù)革命正成為突破瓶頸的關(guān)鍵。近日在I.S.E.S...
2025-10-20 標(biāo)簽:安森美IGBT數(shù)據(jù)中心 2.2k 0
近日,聞泰科技在上海臨港12寸車規(guī)級晶圓廠成功舉辦“新聞泰,芯征程”投資者交流日活動。本次活動全面展示了公司聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù)后的戰(zhàn)略規(guī)劃與技術(shù)實(shí)力,吸引了...
三菱電機(jī)PCIM Asia Shanghai 2025圓滿收官
時光見證創(chuàng)新,盛會圓滿收官。2025年9月26日,為期3天的PCIM Asia Shanghai 2025在上海新國際博覽中心落下帷幕,讓我們一起回顧三...
PI創(chuàng)新技術(shù)亮相PCIM Asia 2025
2025年P(guān)CIM Asia展會于9月24-26日在上海新國際博覽中心舉行。作為亞洲領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)盛會,本屆展會也集中展示了第三代半導(dǎo)體...
傾佳電子SiC廚房革命:B3M042140Z MOSFET取代RC-IGBT在電磁爐應(yīng)用中的技術(shù)與商業(yè)分析
傾佳電子SiC廚房革命:B3M042140Z MOSFET取代RC-IGBT在電磁爐應(yīng)用中的技術(shù)與商業(yè)分析 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在...
傾佳電子SiC功率模塊賦能四象限工業(yè)變頻器:發(fā)展歷程、技術(shù)優(yōu)勢與未來趨勢深度分析
傾佳電子SiC功率模塊賦能四象限工業(yè)變頻器:發(fā)展歷程、技術(shù)優(yōu)勢與未來趨勢深度分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車...
如何以高精度、高效率和高保護(hù)的方式驅(qū)動 SiC MOSFET 和 IGBT
作者:Kenton Williston 投稿人:DigiKey 北美編輯 在電動汽車 (EV)、可再生能源以及工業(yè)自動化需求的推動下,電源系統(tǒng)持續(xù)迭代升...
柵極驅(qū)動器是連接控制芯片和功率開關(guān)、實(shí)現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中,無論是新能源汽車的電驅(qū)電控、光伏逆變器、工業(yè)變頻器,其核心都離不開柵極驅(qū)...
在電力電子系統(tǒng)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為核心開關(guān)器件,承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換與控制的關(guān)鍵任務(wù)。但很多人容易忽視一個核心問題 ——散熱。事實(shí)上,IGB...
熱發(fā)射顯微鏡下芯片失效分析案例:IGBT 模組在 55V 就暴露的問題!
分享一個在熱發(fā)射顯微鏡下(Thermal EMMI) 芯片失效分析案例,展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^ IV測試 與 紅外熱點(diǎn)成像,快速鎖定 IGBT 模組的失效點(diǎn)。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢?。
揚(yáng)杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT單管
揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管,產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺,極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗,產(chǎn)品參數(shù)一致性好...
2025-09-18 標(biāo)簽:封裝IGBT揚(yáng)杰科技 2.7k 1
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