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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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雙脈沖試驗(yàn)及注意事項(xiàng)對(duì)于電力電子工程師來(lái)說(shuō),功率元件是我們的設(shè)計(jì)對(duì)象,而IGBT由于其優(yōu)良的特性被廣泛應(yīng)用于功率元件。功率元件的效率、保護(hù)功能、EMC等...
SKiN技術(shù)由2011年開(kāi)始使用,包括將芯片燒結(jié)到DCB基板,將芯片的頂部側(cè)燒結(jié)到柔性電路板,以及將基板燒結(jié)到針翅片散熱器。該技術(shù)減小了模塊的體積和重量...
數(shù)字電源的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)講解
驅(qū)動(dòng)電路位于電源主電路和數(shù)字控制核心之間,其本質(zhì)是將數(shù)字控制核心產(chǎn)生的PWM信號(hào)進(jìn)行功率放大,以驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)斷。優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路能夠提高數(shù)字電源的...
IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響
在IGBT模塊的使用過(guò)程中,關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓,特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高
2023-10-10 標(biāo)簽:IGBTMOS驅(qū)動(dòng)電路 2.8k 0
DESAT外圍電路設(shè)計(jì)的應(yīng)用筆記
本應(yīng)用筆記主要闡述了DESAT保護(hù)電路工作原理以及在設(shè)計(jì)DESAT外圍電路時(shí)需要考慮的一些因素。
氫能的四大應(yīng)用場(chǎng)景 燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈簡(jiǎn)介
除了介紹經(jīng)典的功率二極管、晶閘管外,還重點(diǎn)介紹了MOSFET、IGBT等現(xiàn)代功率器件,頗為難得的是收入了近年來(lái)有關(guān)功率半導(dǎo)體器件的OO成果,如SiC,G...
介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...
車規(guī)模塊系列(五):聊一聊DBB/銅綁定技術(shù)
相對(duì)于傳統(tǒng)的鋁綁定線工藝,銅綁定線需要對(duì)芯片表面進(jìn)行要求更高的金屬化,而丹佛斯鍵合緩沖Danfoss Bond Buffer (DBB)技術(shù)就是為了銅綁...
Cu-Clip技術(shù),它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中。它的特點(diǎn)有:降低寄生電感和電阻,增加載流能力,相應(yīng)地提高可靠性,以及靈活的形狀設(shè)計(jì)。
車規(guī)模塊系列(四):Cu-Clip互連技術(shù)簡(jiǎn)析
在上篇討論TPAK封裝時(shí),我們聊到了Cu-Clip技術(shù),當(dāng)然它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中
高集成度智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦通吃MOSFET和IGBT簡(jiǎn)析
光耦也叫光電耦合器,是以光為媒介傳輸電信號(hào)的一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件。光耦由發(fā)光源和受光器兩部分組成,密閉于同一殼體內(nèi),彼此用透明絕緣體隔離。
碳化硅器件“上車”加快,800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)
根據(jù)研究和規(guī)模化應(yīng)用的時(shí)間先后順序,業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵...
電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器的基本結(jié)構(gòu) IGBT集成功率模塊原理簡(jiǎn)圖
電機(jī)控制器,控制動(dòng)力電源與驅(qū)動(dòng)電機(jī)之間能量傳輸?shù)难b置,由控制信號(hào)接口電路、驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制電路和驅(qū)動(dòng)電路組成。 在電動(dòng)車輛中,電機(jī)控制器的功能是根據(jù)檔位...
2023-09-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電機(jī)控制連接器 8.8k 0
反激式開(kāi)關(guān)電源是如何構(gòu)成與工作的電路
反激式開(kāi)關(guān)電源是一種將輸入電源轉(zhuǎn)換為所需輸出電壓的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它通過(guò)周期性地開(kāi)關(guān)功率開(kāi)關(guān)器件,控制電能的傳輸和變換。
2023-09-25 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源IGBT 4.3k 0
IGBT的概念和發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理 IGBT市場(chǎng)規(guī)模分析
功率半導(dǎo)體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制...
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