IGBT驅(qū)動(dòng)光耦HCPL-316J的特性
2012-05-23 12:05:18
3906 IGBT驅(qū)動(dòng)光耦TLP250功率驅(qū)動(dòng)模塊在IRF840 MOSFET中的應(yīng)用
2012-06-06 11:56:59
9500 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:33
2029 東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動(dòng)IC。
2021-11-30 15:24:19
1920 
數(shù)字控制器工作電壓。同光耦相比, PC2899X 具有更低的傳輸延遲、更低的通道間傳播延遲差異、更高的工作溫度和更高的CMTI,用來驅(qū)動(dòng) MOSFET/IGBT 更有優(yōu)勢(shì)。特性:功能選項(xiàng)? 分離輸出
2025-04-03 14:23:02
(潮光光耦網(wǎng)整理編輯)2012-04-03 變頻器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生產(chǎn)的一種IGBT門極驅(qū)動(dòng)光耦合器,其內(nèi)部集成集電極發(fā)射極電壓欠飽和檢測(cè)電路
2012-07-06 16:28:56
TLP250包含一個(gè)GaA1As光發(fā)射二極管和一個(gè)集成光探測(cè)器,是8腳雙列封裝,適合于IGBT或功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路。TLP250的管腳如圖1所示,管腳接線方法如表1所示。---TLP250驅(qū)動(dòng)
2012-06-14 20:30:08
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Ciss。計(jì)算所得的IGBT導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)阻抗為100Ω,該值比前面的37Ω高,表明IGBT GFS較高,而CIES較低。這里的關(guān)鍵之處在于,為了從MOSFET轉(zhuǎn)換到IGBT,必須對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)
2018-08-27 20:50:45
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
阻抗將提高IGBT或MOSFET的導(dǎo)通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI需要折中,因?yàn)檩^高的di/dt會(huì)導(dǎo)致電壓尖脈沖、輻射和傳導(dǎo)EMI增加。為選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)阻抗以滿足導(dǎo)通di/dt
2021-06-16 09:21:55
和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對(duì)于器件的源極/發(fā)射極而言)。使用專門驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。本文討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么,為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器,以及如何定義其基本參數(shù),如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
2021-01-27 07:59:24
新型ACPL-302J是一款智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器,可改善隔離電源并簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。ACPL-302J具有用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的集成反激式控制器和全套故障安全IGBT診斷,保護(hù)和故障報(bào)告功能
2018-08-18 12:05:14
ADI最新推出設(shè)計(jì)用于LTE(長(zhǎng)期演進(jìn))和第四代(4G)蜂窩基站的高集成度RF IC(射頻集成電路)系列。LTE是UMTS(通用移動(dòng)電信系統(tǒng))標(biāo)準(zhǔn)的增強(qiáng)版,它被視為邁向蜂窩網(wǎng)絡(luò)中第四代射頻技術(shù)的終極階段。
2019-09-30 07:18:19
高集成度RF收發(fā)器SX1231的主要特性及應(yīng)用有哪些?
2021-04-19 08:01:40
高集成度國標(biāo)ETC射頻收發(fā)器應(yīng)用系統(tǒng),不看肯定后悔
2021-05-19 06:01:23
全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商,最新推出兩款高集成度慣性傳感器,擴(kuò)展了iSensor? 智能傳感器產(chǎn)品系列。這兩款產(chǎn)品極大地簡(jiǎn)化了在惡劣工業(yè)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)嵌入式?jīng)_擊和震動(dòng)感應(yīng)的復(fù)雜任務(wù)。
2019-09-02 08:19:54
打入工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)的高集成度電源 IC
2019-09-20 11:01:07
應(yīng)用需求,方便客戶應(yīng)用于可穿戴設(shè)備等;集成度高,便于客戶應(yīng)用。如有需求,請(qǐng)聯(lián)系。聯(lián)系電話:0512-86867301
2016-06-06 16:23:14
概述:IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起,在最高20V
2021-05-18 07:25:34
二十年穩(wěn)居全球第一位。 夏普專用于IGBT、MOSFET的驅(qū)動(dòng)光耦采用了先進(jìn)的工藝技術(shù),具有絕緣電壓高、穩(wěn)定性好、抗干擾能力強(qiáng)、共模抑制比CMR高等卓越的性能。多年來,在日本安川、三菱、富士、東芝等國際
2012-12-08 10:46:04
SLM341CK-DG是一款單通道、兼容光耦管腳的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,專為驅(qū)動(dòng)IGBT和MOSFET設(shè)計(jì)。其具備3.0A峰值輸出電流和12.5V的欠壓鎖定(UVLO)功能,在共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI
2025-09-19 09:24:19
傳統(tǒng)光耦驅(qū)動(dòng)器,無需重新設(shè)計(jì)布局即可實(shí)現(xiàn)性能升級(jí)。
特性:
高性能輸出跟快速響應(yīng):
3.0A峰值輸出電流:支持大功率IGBT和MOSFET的快速開關(guān),降低開關(guān)損耗
超低傳輸延遲:120ns(最大)傳播
2025-12-01 08:25:19
本文主要是對(duì)SX1276/77/78系列低功耗、高集成度收發(fā)器的功能進(jìn)行概要敘述。
2021-05-17 06:17:11
MOSFET驅(qū)動(dòng)器采用專有的硅隔離技術(shù),可為UL1577和VDE0884提供高達(dá)2.5 kVRMS的耐壓。該技術(shù)可以減少溫度和老化時(shí)的變化,更好的零件匹配和極高的可靠性。高集成度,低傳播延遲,小尺寸
2020-06-08 12:07:42
檔位可調(diào),適配不同MOSFET。
寬溫運(yùn)行: 工作溫度范圍 -40°C 至 +125°C,滿足嚴(yán)苛汽車環(huán)境。
典型應(yīng)用領(lǐng)域:SiLM92108-232EW-AQ 憑借其高集成度、智能驅(qū)動(dòng)和強(qiáng)大保護(hù)
2025-07-31 08:46:17
光耦驅(qū)動(dòng)IGBT,PWM信號(hào)是單片機(jī)輸入的0和3.3伏。這個(gè)IGBT門極驅(qū)動(dòng)電壓是10-15伏,我看它的數(shù)據(jù)手冊(cè)上的測(cè)試參數(shù)就用的22Ω的門極電阻。但是光耦燒壞了。數(shù)據(jù)手冊(cè)上寫著光耦供電電流是最大
2019-12-28 23:04:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:43 編輯
TLP250,TLP350,HCPL3120,FOD3120等低成本IGBT驅(qū)動(dòng)光耦,在 一 般 較 低 性 能 的 三 相
2012-12-12 11:20:44
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級(jí)的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動(dòng)電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動(dòng)額定功率高達(dá)800 V / 50 A的IGBT。對(duì)于
2019-10-30 15:23:17
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比,SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
如圖所示,為什么光耦驅(qū)動(dòng)MOSFET經(jīng)常被燒壞?
2018-12-25 16:04:01
腳的電流(1腳:電壓反饋引腳,通過連接光耦到地來調(diào)整占控比)。根據(jù)電流的大小,led電源驅(qū)動(dòng)芯片(開關(guān)電源芯片)就會(huì)自動(dòng)調(diào)整輸出信號(hào)的占空比,達(dá)到穩(wěn)壓的目的。 以上芯片是一款高集成度、高性能
2012-12-07 13:59:26
分享一種高集成度的車載AM/FM接收器方案
2021-05-17 06:39:57
電路分為:分立插腳式元件的驅(qū)動(dòng)電路;光耦驅(qū)動(dòng)電路;厚膜驅(qū)動(dòng)電路;專用集成塊驅(qū)動(dòng)電路。本文設(shè)計(jì)的電路采用的是光耦驅(qū)動(dòng)電路。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分析 隨著微處理技術(shù)的發(fā)展(包括處理器、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)器
2012-06-11 17:24:30
隨著無線寬帶系統(tǒng)的頻率帶寬越來越寬,基站性能的要求也越來越高。低噪放,作為基站塔放中的關(guān)鍵器件之一,它不僅影響基站的覆蓋范圍,而且也決定了其他鄰近基站的發(fā)射功率和雜散要求。安華高的高集成度低噪放
2019-07-30 06:18:48
基站對(duì)高集成度低噪放的要求是什么?
2021-05-21 07:05:31
這是我設(shè)計(jì)的一個(gè)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)光耦控制電機(jī)轉(zhuǎn)停的電路,大家看下電路設(shè)計(jì)對(duì)嗎?單片機(jī)在光耦驅(qū)動(dòng)位拉高引腳,輸出24V,fds9958是P型MOSFET,fds9945是n型MOSFET,fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
IGBT和SiC MOSFET的電壓源驅(qū)動(dòng)和電流源驅(qū)動(dòng)的dv/dt比較。VSD中的柵極電阻表示為Rg,控制CSD柵極電流的等效電阻表示為R奧特雷夫。 從圖中可以明顯看出,在較慢的開關(guān)速度(dv/dt
2023-02-21 16:36:47
如何采用FPGA提高廣播應(yīng)用的集成度?
2021-04-29 06:04:54
描述 PMP9461 是適合并網(wǎng)太陽能微型逆變器的參考設(shè)計(jì),有完整的功率和柵極驅(qū)動(dòng)器要求。此參考設(shè)計(jì)的主要目標(biāo)是在柵極驅(qū)動(dòng)器以及微型逆變器的偏置電源段實(shí)現(xiàn)集成度和性能的顯著增強(qiáng)。此解決方案具有
2018-09-10 09:20:30
潮光光耦網(wǎng)特別提醒,以下型號(hào)高性價(jià)比選型或替代小貼片高速光耦TLP719,高隔離度電壓(5000V耐壓), 高CMR ,速度達(dá)到1M,潮光光耦網(wǎng)新到6000PCS!IGBT驅(qū)動(dòng)光耦 TLP250(F
2012-08-21 16:13:08
方案名稱:LED車燈驅(qū)動(dòng)IC方案,高集成度做遠(yuǎn)近光,高低亮品牌:AP自主研發(fā)AP5170LED車燈驅(qū)動(dòng)方案優(yōu)點(diǎn)AP5170車燈驅(qū)動(dòng)方案高效率95%穩(wěn)定可靠,內(nèi)置溫度保護(hù),短路保護(hù)功能,其工作頻率可達(dá)
2019-06-24 14:32:26
5的開關(guān)速度,穩(wěn)壓二極管VS1、VS2的作用是限制加在IGBT5g-e端的電壓,避免過高的柵射電壓擊穿柵極。柵射電壓一般不應(yīng)超過20 V。2.2光耦隔離驅(qū)動(dòng)電路 光耦隔離驅(qū)動(dòng)電路如圖3所示。由于
2016-10-15 22:47:06
上并聯(lián)的二極管為加速二極管,用以提高IGBT5的開關(guān)速度,穩(wěn)壓二極管VS1、VS2的作用是限制加在IGBT5g-e端的電壓,避免過高的柵射電壓擊穿柵極。柵射電壓一般不應(yīng)超過20 V。2.2光耦隔離驅(qū)動(dòng)
2016-11-28 23:45:03
傳統(tǒng)光耦驅(qū)動(dòng)器的管腳,卻在性能和可靠性上實(shí)現(xiàn)了顯著飛躍,是升級(jí)現(xiàn)有光耦驅(qū)動(dòng)方案的理想選擇。
一、核心優(yōu)勢(shì):超越光耦的性能與可靠性SLM34x系列專為高效驅(qū)動(dòng)IGBT和MOSFET而設(shè)計(jì)。其最大亮點(diǎn)
2025-07-21 08:56:31
FOD8316是仙童推出的一款智能式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器。FOD8316基本特性在傳統(tǒng)的IGBT驅(qū)動(dòng)器上增加了保護(hù)電路。可編程故障傳感去飽和檢測(cè)IGBT軟斷開欠壓鎖定輸出電壓軌到軌擺動(dòng):低功耗
2013-06-07 16:34:06
的魯棒性。雖然圖騰柱電路是作為一種成熟解決方案已流行多年,但現(xiàn)代和未來的系統(tǒng)需要更高的集成度和更高的性能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,柵極驅(qū)動(dòng)器IC的成本已可與分立電路相比,這使得IC解決方案對(duì)于大多數(shù)
2017-08-21 14:33:56
。 雖然圖騰柱電路是作為一種成熟解決方案已流行多年,但現(xiàn)代和未來的系統(tǒng)需要更高的集成度和更高的性能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,柵極驅(qū)動(dòng)器IC的成本已可與分立電路相比,這使得IC解決方案對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用而言更具吸引力和可行性。
2017-04-01 15:22:24
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁(電動(dòng)汽車充電站)應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
研討會(huì)介紹了為何光耦柵極驅(qū)動(dòng)器能被廣泛的接受和使用,這不僅是因其所具有的高輸出電流驅(qū)動(dòng)能力,及開關(guān)速度快等長(zhǎng)處之外,更重要的,它也具有保護(hù)功率器件的所需功能。這些功率器件的保護(hù)功能包括欠壓鎖定(UVLO
2018-11-05 15:38:56
摘要:IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MoSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能特點(diǎn)和參數(shù)限制,同時(shí)剖析了它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理,最后給出了
2010-05-05 09:03:46
56 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路的注意事項(xiàng),基本電路參數(shù)的選擇原則,還介紹丁幾種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例。
2010-08-31 16:33:41
219 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:00
8772 
東芝光耦 IGBT/MOSFET,List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:01
1353 
東芝光耦 MOSFET Output,Photorelays (MOSFET Output)
2012-03-16 13:44:59
769 
IGBT光耦驅(qū)動(dòng)技術(shù)在造紙行業(yè)的應(yīng)用
2012-06-06 12:00:11
965 基于IGBT驅(qū)動(dòng)光耦PC929的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)
2012-07-17 11:48:16
30933 
IGBT驅(qū)動(dòng)光耦TLP250的應(yīng)用及注意事項(xiàng)
2012-07-18 11:01:07
59328 
功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護(hù),以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效應(yīng),過載,短路等條件所造成的損害。這里介紹了為何光耦柵極驅(qū)動(dòng)器能
2012-11-26 14:43:40
13243 在高集成度趨勢(shì)推動(dòng)下的智能手機(jī)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的未來。分析高集成度在節(jié)省寶貴的PCB面積和推動(dòng)成本節(jié)約方面所能夠起到的重要作用。
2013-01-07 10:24:32
1670 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比,IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用,因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
22 集成度,是指圖形中最小線條寬度,集成電路的集成度是指單塊芯片上所容納的元件數(shù)目,集成度越高,所容納的元件數(shù)目越多,為此對(duì)傳統(tǒng)的光刻方法進(jìn)行了很多改進(jìn)以滿足分辨率的要求,增加集成電路的集成度。
2017-11-10 15:15:52
20038 本書在簡(jiǎn)析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、主要參數(shù)及其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求的基礎(chǔ)上,介紹電力MOSFET及IGBT的80多種集成驅(qū)動(dòng)電路的基本特性和主要參數(shù)。重點(diǎn)討論50多種電力
2018-09-05 08:00:00
185 本書在簡(jiǎn)析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、主要參數(shù)及其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求的基礎(chǔ)上,介紹電力MOSFET及IGBT的80多種集成驅(qū)動(dòng)電路的基本特性和主要參數(shù),重點(diǎn)討論50多種電力
2019-01-08 16:21:03
0 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:39
6332 
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過,因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs,因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:55
5218 
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩種功能:一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電位隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:00
17555 
不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值,從而開始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。基于柵極對(duì)源電容的RC值通常會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對(duì)源電容是一個(gè)重要
2020-03-09 08:00:00
24 新型預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流IGBT和MOSFET。
2020-03-11 08:19:00
1652 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分;驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:00
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電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供簡(jiǎn)析光耦電路中為何有串聯(lián)與并聯(lián)電阻資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:42:33
23 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:17
73 意法半導(dǎo)體的L9908高集成度車規(guī)三相柵極驅(qū)動(dòng)單元(GDU)支持12V、24V 或 48V汽車電源系統(tǒng),具有靈活的輸入輸出通道,可在傳統(tǒng)油車和混動(dòng)/電動(dòng)新能源汽車上實(shí)現(xiàn)多種應(yīng)用。
2022-04-25 15:50:41
3194 本書在簡(jiǎn)析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、主要參
數(shù)及其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求的基礎(chǔ)上介紹電力MOSFET及IGBT的80多種
集成驅(qū)動(dòng)電路的基本特性和主要參數(shù)重點(diǎn)討論50多種電力
2022-08-13 09:21:39
0 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布擴(kuò)大其智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線,推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC,內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該產(chǎn)品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:55
2258 TI解決方案助力高速光模塊市場(chǎng),提供高集成度,更小封裝電源解決方案
2022-10-28 12:00:08
0 TI解決方案助力高速光模塊市場(chǎng),提供高集成度,更小封裝電源解決方案
2022-10-28 12:00:08
0 高集成度單芯片智能門鎖解決方案
2022-11-30 14:25:05
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驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線,近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC,內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該器件主要用來實(shí)現(xiàn)逆變器、交流伺服器,光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02
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igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件,常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管,由一個(gè)PN結(jié)組成的集成
2023-10-19 17:08:14
1900 光耦的高隔離度特點(diǎn)及其應(yīng)用 隨著電子技術(shù)的發(fā)展,光耦作為一種常見的隔離電路元件,廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在于其高隔離度特點(diǎn),能夠?qū)崿F(xiàn)輸入和輸出之間的電氣隔離,確保了電路的安全性和穩(wěn)定性。本文
2024-01-04 14:30:43
1402 意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36
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Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
2024-05-23 11:26:30
1651 近日,Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:21
1464 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SM5166PF高集成度LED顯示驅(qū)動(dòng)芯片中文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-13 11:08:00
7 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SM5266PC高集成度LED顯示驅(qū)動(dòng)控制芯片中文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-13 11:05:27
8 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SM5369高集成度LED驅(qū)動(dòng)控制芯片中文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-13 11:06:20
9 柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件。 一、IGBT柵極驅(qū)動(dòng)概述 IGBT是一種集MOSFET和雙極型晶體管(BJT)優(yōu)點(diǎn)于一身的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降。IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)是其正常工作的關(guān)鍵,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷都依賴于柵極電壓。 二、
2024-07-25 10:48:10
2970 智能功率模塊(IPM)由高速、低功耗的IGBT芯片和優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)電路及多種保護(hù)電路集成在同一模塊內(nèi),IPM控制輸入會(huì)隨著dv/dt的大小而變,所以用于直接驅(qū)動(dòng)的光耦要求共模抑制高于10KV/μs
2024-08-19 16:33:01
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半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等功率開關(guān)器件的集成電路。它通過控制MOSFET柵極的電壓,實(shí)現(xiàn)對(duì)MOSFET的開關(guān)控制,從而在電路中起到放大、開關(guān)和保護(hù)的作用。柵極驅(qū)動(dòng)IC具有高驅(qū)動(dòng)能力、快速開關(guān)速度、保護(hù)功能和高集成度等特點(diǎn),能夠確保MOSFET在各種應(yīng)用場(chǎng)合下正
2024-10-07 16:20:00
2470 。IGBT融合了MOSFET的高輸入阻抗特性和BJT的高電流承載能力,使其在功率控制領(lǐng)域脫穎而出。IGBT驅(qū)動(dòng)光耦是一種基于光信號(hào)實(shí)現(xiàn)輸入與輸出電氣隔離的半導(dǎo)體器件。
2024-12-26 14:50:50
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Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22
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該UCC23313是一款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET,具有4.5A源極和5.3A灌電流峰值輸出電流以及3.75kV~有效值~基本隔離等級(jí)。33
2025-10-15 15:22:57
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在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代,顯示屏無處不在。然而,隨著設(shè)備小型化、高性能化的需求不斷增加,如何在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的顯示功能,成為了一個(gè)亟待解決的問題。力芯微LCD驅(qū)動(dòng)IC:高集成度“芯”優(yōu)勢(shì)讓顯示更簡(jiǎn)單
2025-10-15 16:08:59
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隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)在電機(jī)控制、逆變電源等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。為了實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的IGBT驅(qū)動(dòng),AT314光耦作為一種優(yōu)秀的隔離器件,在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中發(fā)
2025-12-15 13:28:04
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.pdf 產(chǎn)品概述 ACPL - 355JC是一款10A智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器,具有高峰值輸出電流和寬工作電壓范圍,非常適合在電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用中直接驅(qū)動(dòng)IGBT或SiC MOSFET。它不
2025-12-30 15:40:03
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評(píng)論