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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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什么是IGBT?IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝
IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡稱,中文稱作絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT (雙極型三極管) 和MOS ...
2023-12-12 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 5k 0
感應(yīng)加熱原理與IGBT應(yīng)用拓撲分析(上)
經(jīng)常遇到很多同事和朋友問:為什么電磁爐和電飯煲要用到IGBT,這種應(yīng)用的IGBT需要有什么特點?今天我們就給大家詳細解釋感應(yīng)加熱的原理和感應(yīng)加熱的拓撲分...
2023-12-09 標(biāo)簽:電磁IGBT感應(yīng)加熱 2.3k 0
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個模塊需...
為什么EliteSiC M3S技術(shù)是高速開關(guān)應(yīng)用的更優(yōu)選擇?
安森美汽車電源部應(yīng)用工程師碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介電擊穿場強、能帶隙和熱導(dǎo)率,電力電子設(shè)計人員可以利用這些特性來開發(fā)比硅基IGBT器件效...
2023-12-08 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器IGBT高速開關(guān) 986 0
MOSFET和IGBT設(shè)計高性能自舉式柵極驅(qū)動電路設(shè)計指南
驅(qū)動電路和以兩個輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動電路和它的浮動偏置可以通過低壓電路實現(xiàn),因為輸入電壓不會作用到這些電路上。
為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強,使半導(dǎo)體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT:IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT...
2023-12-08 標(biāo)簽:IGBT晶體管半導(dǎo)體器件 5.1k 0
IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱,暫態(tài)電壓失穩(wěn),慣量缺失。新能源滲透率提高,電網(wǎng)強度下降,暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT功率器件 2k 0
回顧IGBT的技術(shù)發(fā)展:7代技術(shù)及工藝改進
新能源汽車的成本構(gòu)成中,最大頭當(dāng)然是動力電池,第二高的就是IGBT。 在電動汽車特斯拉Model 3上,提供電源的是,7000節(jié)18650電池,這些...
設(shè)計各種電源設(shè)備,如DC/DC、AC/DC、DC/AC、AC/AC等,能夠全面分析系統(tǒng)的各項指標(biāo)如環(huán)路頻率響應(yīng)、功率管開關(guān)、磁性器件的工作情況、元件的電...
2023-12-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT功率管 1.4k 0
在上一篇中,我們建立了諧振電路系統(tǒng)的時域模型和頻域模型,簡單地分析了單管并聯(lián)諧振電路實例中諧振網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用及其實現(xiàn)零電壓(ZVS)開通的機理。
最近和一些EE工程師聊到IGBT的技術(shù)問題,聊的過程中發(fā)現(xiàn),他們最感興趣的問題大多是關(guān)于功率器件極限能力的評估方法,因為這些問題直接關(guān)系到了系統(tǒng)的可靠性。
IGBT在電機驅(qū)動中所發(fā)揮的作用非常重要,IGBT的性能影響著電機驅(qū)動的穩(wěn)定性。
下圖是兩電平橋SPWM電路的結(jié)構(gòu)圖。該電路采用兩電平、三橋臂的主電路模式,采用IGBT作為開斷元件,采用二極管構(gòu)建旁通回路,通過調(diào)制SPWM的脈沖控制信...
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