IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡稱，中文稱作絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT (雙極型三極管) 和MOS (絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。

由于IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，在國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，如軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣，需求量極大。

IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

在討論IGBT模塊的組裝前，先了解一下內(nèi)部由什么元件組成。從以下IGBT模塊的分解圖中，可以看到內(nèi)部的元件種類甚多，包括：不同類型的芯片(如IGBT及二級管芯片)、端子、預(yù)制組件、銅基板、絕緣層、基板、散熱器等等。在組裝完這些元件后，再用塑料外殼封裝，制成最終的IGBT功率器件。

IGBT功率模塊的基板，通常采用直接敷銅基板 (DBC基板)，因為它們具有很好的導(dǎo)熱性。在生產(chǎn)過程中，需要組裝多種類型的芯片、預(yù)制組件等等。

工藝包括：

IGBT芯片連接、二極管芯片連接、SCR (硅整流器) /晶閘管芯片連接

預(yù)制組件連接

電容器和電阻器的貼裝

直接敷銅基板上組裝了多種類型的芯片

IGBT直接敷銅基板組裝的挑戰(zhàn)？

易破損的芯片及基底板處理

高混合元件

高產(chǎn)出要求

FuzionSC半導(dǎo)體貼片機的優(yōu)勢：

同一設(shè)備可同時滿足高混合及高產(chǎn)出的要求

可以對接晶圓送料器、盤式及卷帶盤式送料器

高達(dá)10微米的精度

可編程控制貼裝壓力，從10g至5000g

能應(yīng)對的元件尺寸范圍極廣，從200微米x 200微米至150毫米x 150毫米均可

真空支撐基板承載器

視頻從兩個角度演示FuzionSC在直接敷銅基板上組裝預(yù)制組件、芯片及端子。

審核編輯：湯梓紅