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使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)
氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題,因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì);電動(dòng)汽車充電;加熱,通風(fēng)和空調(diào); 電器;和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中,氮化鎵取...
2022-07-29 標(biāo)簽:氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0
如何用GaN開關(guān)實(shí)現(xiàn)高效率離線電源設(shè)計(jì)
與 InnoSwitch3 IC 一樣,MinE-CAP 利用 PowiGaN 器件的小尺寸和低導(dǎo)通電阻來提高系統(tǒng)性能。MinE-CAP 根據(jù)交流線路電...
電力電子將在未來幾年發(fā)展,尤其是對(duì)于組件,因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料...
就像生活中的現(xiàn)實(shí)一樣,當(dāng)老年人離開年輕人的舞臺(tái)時(shí),Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來,隨...
48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用
對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于...
2022-07-26 標(biāo)簽:FETGaN電源系統(tǒng) 2.2k 0
電源適配器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)與解決方法
自從引入 USB-PD 規(guī)范及其演變以來,用于為從手機(jī)到筆記本電腦等日常電子設(shè)備供電的電源適配器的格局發(fā)生了很大變化。雖然USB-PD確保了廣泛的兼容性...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前,您可能仍然會(huì)好奇GaN 是否具...
目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。1,2干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷3和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法...
基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案
氮化鎵(GaN)器件具有類似硅的電性能,可以由硅MOSFET設(shè)計(jì)中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)。
GaN 器件的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
近年來,半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時(shí)代的到來,對(duì)射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵(GaN)由于其大禁帶寬度和高飽和電...
寬帶隙半導(dǎo)體GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)腐蝕
寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕,即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...
探針臺(tái)測(cè)試的校準(zhǔn)通常會(huì)在同軸端面和探針端面分別進(jìn)行S參數(shù)的校準(zhǔn),同時(shí)在同軸端面進(jìn)行功率校準(zhǔn),通過兩級(jí)S參數(shù)校準(zhǔn)得到的參數(shù)對(duì)探針端面的功率進(jìn)行修正確保探針...
對(duì)于工程師來說,設(shè)計(jì) GaN PA 的第一步就是獲得半導(dǎo)體制造商的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè) ;第二部就是查看 S 參數(shù)。PA 設(shè)計(jì)工程師還可以利用測(cè)得的負(fù)載牽引數(shù)據(jù)...
與主流的復(fù)雜光學(xué)活細(xì)胞生物傳感技術(shù)(如 SPR 和 RWG)相比,基于GaN光學(xué)芯片的生物顯微傳感系統(tǒng),極大地降低了生物傳感器的設(shè)計(jì)、制造和實(shí)際使用中的...
摘要 本文報(bào)道了鉑輔助化學(xué)化學(xué)蝕刻制備的多孔氮化鎵的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能。掃描電鏡圖像顯示,孔隙的密度隨著蝕刻時(shí)間的增加而增加,而蝕刻時(shí)間對(duì)孔隙的大小和形狀沒...
提高能效一直是電源制造商的一個(gè)長(zhǎng)期目標(biāo)。這是真正的“雙贏”,因?yàn)檫@不僅降低運(yùn)行成本,而且減少了以熱的形式浪費(fèi)能量,意味著需要更少的散熱管理,從而減小了電...
現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA) 電源設(shè)計(jì)
為了擴(kuò)大 GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲(chǔ)和太陽能等新應(yīng)用中的應(yīng)用(圖 3),TI 正在展示其自己的對(duì)流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺(tái)。 該平臺(tái)...
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