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GAN的風暴席卷了整個深度學習圈子，任何任務似乎套上GAN的殼子，立馬就變得高大上了起來。那么，GAN究竟是什么呢？ **GAN的主要應用目標：*...
隨著新能源領域的發展, 在數字電源控制系統中要求功率密度高且轉換效率高。其中,整機功率密度的提升，就需要提高開關頻率, 大部分現有產品的開關頻率在50k...
交流輸入功率因數的CrM PFC控制器芯片——MK2562系列
PFC是功率因數校正（Power Factor Correction）的縮寫，是一種電源管理技術，可以在交直流轉換（ACDC）時提高電源對市電的利用率。
GaN-on-Si LED技術是行業夢寐以求的技術。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
盡管生成式面部先驗和結構化面部先驗最近已經證明了可以生成高質量的人臉盲修復結果，穩定、可靠生成更細粒度的臉部細節仍然是一個具有挑戰性的問題。
如何集成GaN功率級以實現高效的電池供電BLDC電機推進系統
電池供電的應用，如協作機器人 (cobot)、電動自行車、工業無人機和電動工具等，都需要體積小、重量輕、功能強大的電機。無刷直流 (BLDC) 電機是一...
5G 技術有望提供延遲小于 1 毫秒的無線通信、100 倍的網絡能效提升以及高達每秒 20 吉比特 (Gbit/s) 的數據速率。
ChatGPT核心技術：transformer的核心算法結構
由于transformer是更高級的神經網絡深度學習算法，對數據量有很高要求，這也催生了從小數據如何快速產生大數據的算法，比如GAN對抗網絡等。
憑借領先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產品組合，納微半導體以雙擎驅動的姿態在電力電子能源轉換領域高歌前進。
本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...
性質不同：靜態電流是沒有信號輸入時的電流，也就是器件本身在不受外部因素影響下的本身消耗電流。動態電流是把單位時間里通過導體任一橫截面的電量。
氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料，具有許多優異的電子、光學和機械性質，因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料，具有優異的...
碳化硅（SiC）技術改進了各種應用中的多個系統和子系統組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現...
任何一個電子元件，不論是一個三極管還是一個集成電路（Integrated Circuit, IC），想要使用它，都需要把它連入電路里。一個三極管，只需要...
人臉修復是一種典型的ill-posed問題、可逆圖像修復問題，其解不唯一且必存在。高度退化和多退化的場景下，高質量的人臉修復明顯更具有挑戰性。
本文提出的人體 NeRF 基于參數化人體模型 SMPL，它提供了方便的人體姿勢以及形狀的控制。進行 NeRF 建模時，如下圖所示，本文將人體分為 16 ...
本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。閱讀本白皮書后，您應該對平面磁性技術的優勢以及自動化工作流程如何輕松...
眾所周知，因為 GaN PA 需要使用特定的偏置時序，所以在某些設計中，GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰性。如果處理不當，可能會導致組件損壞...
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導率 等優異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
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