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GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領域展現出了顯著的優勢,但同時也存在一些缺...
相對于硅材料,使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件,可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質量、體積以及生命周期成本,允許設備在更高的溫度、電...
Lars等發表的這篇論文通過在GAN的訓練過程中施加特定類別的梯度懲罰,在較老的架構上取得了當前最先進的表現(在該項基準測試上超過了之前最佳的學術成果)...
近年來,以SiC(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而飽受關注。
通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法(MOCVD)生長的GaN。外延片上面一般都已經做有u-GaN,n-GaN,量子阱,p-GaN。
東京大學團隊開源了一款名為「neural collage」的圖像編輯工具
sCBN 是一種特殊形式的條件批正則化方法 (CBN),作為批正則化方法 (BN) 的變體,它能夠對 BN 中的參數按類語義信息進行編碼。對于圖像的局部...
消費者目前已經開始體驗5G技術的優勢,它不僅能夠憑借超快的下載速度與固網寬帶匹敵,而且將來還可能在蜂窩網絡服務區域內支持更高密度的移動設備和互連的物聯網...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料,上世紀90年代就已經有了氮化鎵的應用,這些年來氮化鎵已經成為了全球半導體研究的熱點,被譽為第三代半導體,其具有更...
除了導致更高的輸出頻率范圍外,對于地面雷達來說,這是一個關鍵的設計考慮因素,地面雷達越來越多地使用有源電子掃描陣列(AESA)技術,以在更小的封裝中封裝...
目前在地球上的許多地方,我們已經能夠流暢使用無線網絡。但是當我們向從未有人到過的星球發送信號時,又會發生什么呢?
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