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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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fet技術(shù)

差分放大器的差模與共模輸入信號

前一章我們講過差分放大器的概念，差分放大器只放大兩個(gè)輸入信號的差值，而不放大其公共部分。

2023-09-18 標(biāo)簽：差分放大器 FET 共模抑制比 6.5k 0

國產(chǎn)電子保險(xiǎn)絲MX26631DL介紹

集成了過流過壓軟起動保護(hù)的高邊開關(guān)MX26631DL介紹

2023-09-13 標(biāo)簽：封裝 FET 高邊開關(guān) 3.5k 0

可控硅和場效應(yīng)管的區(qū)別

可控硅（Thyristor，縮寫為SCR）和場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，縮寫為FET）是兩種常見的半導(dǎo)體器件，它們在電子電...

2023-09-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管可控硅 5.7k 0

FLASH器件特性 FLASH操作的電路原理詳解

Flash 分為 NAND flash和 NOR flash。均是使用浮柵場效應(yīng)管(FloatingGate FET) 作為基本存儲單元來存儲數(shù)據(jù)的，浮...

2023-09-09 標(biāo)簽：NAND 場效應(yīng)管 FlaSh 1.5萬 0

源極跟隨器電路分析

源極跟隨器就是源極跟隨輸入信號（柵極電位）動作的電路。它的輸出阻抗很低，可以用于電動機(jī)、揚(yáng)聲器等重負(fù)載/低阻抗負(fù)載的驅(qū)動，

2023-08-31 標(biāo)簽：電路分析跟隨器電動機(jī) 5.1k 0

車規(guī)級N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(1)

規(guī)格書中會給出一顆元件的相關(guān)參數(shù)值和曲線。在設(shè)計(jì)初期選擇元件時(shí)，通過這些參數(shù)可以評估某顆元件是否適合應(yīng)用在需要的電路中。在規(guī)格書中，一些參數(shù)的測試條件（...

2023-08-31 標(biāo)簽：MOSFET 參數(shù)FET 2.1k 0

最常用恒流源電路的分析與比較

恒流電路有很多場合不僅需要場合輸出阻抗為零的恒流源，也需要輸入阻抗為無限大的恒流源

2023-08-23 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器晶體管 FET 2.2k 0

GAA器件集成工藝與關(guān)鍵挑戰(zhàn)

GAA，一般指全環(huán)繞柵極晶體管(Gate-All-Around FET)。GAA被廣泛認(rèn)為是鰭式結(jié)構(gòu)(FinFET)的下一代接任者。下面簡單介紹一下GA...

2023-08-22 標(biāo)簽：工藝晶體管 FET 1.4萬 0

北京理工大學(xué)實(shí)現(xiàn)了光導(dǎo)型向平面光伏型量子點(diǎn)紅外成像芯片的變革

紅外成像技術(shù)有廣泛應(yīng)用，現(xiàn)有的紅外成像芯片主要采用外延生長方法制備的塊體半導(dǎo)體材料，通過倒裝鍵合工藝實(shí)現(xiàn)與硅基讀出電路互聯(lián)，其價(jià)格高昂、工藝復(fù)雜，嚴(yán)重制...

2023-08-11 標(biāo)簽：FET 場效應(yīng)晶體管紅外探測器 1.8k 0

基于FET的100W音頻放大器電路圖

該 100W 音頻放大器設(shè)計(jì)采用兩個(gè) V-MOSFET 晶體管技術(shù)作為輸出級，可在 4 Ω 負(fù)載下提供 100W 輸出。重要的是，通過添加散熱器或風(fēng)扇等...

2023-08-09 標(biāo)簽：電路圖 MOSFET 音頻放大器 1.9k 0

基于FET的100W功率音頻放大器電路圖

這是基于一對FET元件在最終放大過程中構(gòu)建的100W功率音頻放大器電路圖。 FET 元件使用一對 K134 和 J49，這些 FET 的替代品是 J16...

2023-08-02 標(biāo)簽：電路圖揚(yáng)聲器音頻放大器 2.8k 0

FETVM-FET體積計(jì)的電路分享

這是FETVM-FET體積計(jì)的電路。VTVM 的功能被 FTEVM 取代，同時(shí)擺脫了通常的線線儀器。該電路可以允許0.5伏的標(biāo)度范圍，因?yàn)镕ETVM的漂...

2023-07-28 標(biāo)簽：電路分析場效應(yīng)管 FET 1.2k 0

場效應(yīng)管原理通俗理解場效應(yīng)管參數(shù)怎么看場效應(yīng)管是做什么用的

場效應(yīng)管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件。

2023-07-28 標(biāo)簽：開關(guān)電源 FET 場效應(yīng)晶體管 3.1萬 0

表面終端金剛石場效應(yīng)晶體管的研究

金剛石不僅具有包括最高的硬度、極高的熱導(dǎo)率、達(dá)5.5eV的寬帶隙、極高的擊穿電場和高固有載流子遷移率等多種卓越性質(zhì)

2023-07-25 標(biāo)簽：傳感器 MOSFET FET 2.2k 0

一文詳解場效應(yīng)管電流源

FET電流源是一種有源電路，它使用場效應(yīng)晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡單的方...

2023-07-17 標(biāo)簽：場效應(yīng)管恒流源 FET 6.7k 0

基于A2N3819的電壓表電路

這是一種電壓表電路，使用FET作為緩沖器來改善輸入阻抗。該電路使用 A2N3819 FET，可提供固態(tài) VOM。除此之外，該電路VOM中的陰極跟隨器是2...

2023-07-15 標(biāo)簽：電壓表 FET 輸入阻抗 1.9k 0

源極接地放大電路參數(shù)講解(1)

仿真或者測量輸入阻抗，需要在信號輸入端串聯(lián)一個(gè)電阻，如下圖R5。

2023-07-15 標(biāo)簽：放大電路仿真 FET 830 0

什么是FET？FinFET將半導(dǎo)體制程帶入新境界

FET 的全名是“場效電晶體（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）”，先從大家較耳熟能詳?shù)摹癕OS”來說明。

2023-07-12 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 FET 5.5k 0

FinFET到底是什么呢？

提到FET，學(xué)電子的人都比較熟悉，F(xiàn)ET就是Field-Effect Transistor，場效應(yīng)管。

2023-07-12 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 FET 5k 0

MOSFET與BJT之間有何不同？MOSFET和BJT之間哪個(gè)更好？

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種場效應(yīng)晶體管（FET），由三個(gè)端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因...

2023-07-07 標(biāo)簽：MOSFET FET 場效應(yīng)晶體管 7.7k 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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