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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

掃地機(jī)器人的拆解

掃地機(jī)器人大概可以分為以下核心部分：主要包含主控芯片、傳感器芯片、電源管理芯片、WiFi芯片、存儲(chǔ)芯片和視覺(jué)芯片等。

2024-01-02 標(biāo)簽：傳感器 DRAM 人工智能 1.6k 0

服務(wù)器架構(gòu)：內(nèi)存接口及互連芯片

由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過(guò)下游廠商的多重認(rèn)證，還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān)，從 DDR4 世代開(kāi)始，全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Ram...

2024-01-02 標(biāo)簽：DRAM cpu 服務(wù)器 2.3k 0

SSD常用術(shù)語(yǔ)的簡(jiǎn)單介紹

SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等，存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。NAND FLASH內(nèi)部存儲(chǔ)...

2024-01-02 標(biāo)簽：控制器 DRAM NAND 3.7k 0

DFT設(shè)計(jì)—MBIST算法測(cè)試

當(dāng)SoC上有超過(guò)80%的芯片面積被各種形式的存儲(chǔ)器占用之時(shí)，存儲(chǔ)器的DFT測(cè)試已經(jīng)變得非常重要。

2023-12-09 標(biāo)簽：控制器 DRAM 存儲(chǔ)器 8.7k 0

下一代HBM技術(shù)路線選擇對(duì)行業(yè)有何影響？

HBM 存儲(chǔ)器堆棧通過(guò)微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔（TSV 或連接孔），并與放置在基礎(chǔ)封裝層上的中間件相連，中間件上還安裝有處理器，提供 HBM...

2023-12-06 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 gpu 1.3k 0

ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，...

2023-11-30 標(biāo)簽：DRAM 振蕩器數(shù)據(jù)信號(hào) 1.4k 0

磁盤加密威脅模型和技術(shù)路線

威脅模型數(shù)據(jù)生命周期管理（Data Lifecycle Management）通常將數(shù)據(jù)劃分為生產(chǎn)、存儲(chǔ)、使用、分享、銷毀、歸檔幾個(gè)階段。而從信息安全...

2023-11-29 標(biāo)簽：DRAM 數(shù)據(jù)Linux 1.1k 0

先進(jìn)ic封裝常用術(shù)語(yǔ)有哪些

TSV是2.5D和3D集成電路封裝技術(shù)中的關(guān)鍵實(shí)現(xiàn)技術(shù)。半導(dǎo)體行業(yè)一直在使用HBM技術(shù)將DRAM封裝在3DIC中。

2023-11-27 標(biāo)簽：集成電路 CMOS DRAM 1.8k 0

半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 晶圓 1.8k 0

以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評(píng)估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口

2023-11-23 標(biāo)簽：電容器 DRAM 虛擬制造 1.4k 0

淺析DRAM測(cè)試和檢查設(shè)計(jì)方案

　DRAM測(cè)試發(fā)生在晶圓探針和封裝測(cè)試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動(dòng)了測(cè)試流程，包括ATE要求和相關(guān)測(cè)試內(nèi)容。

2023-11-22 標(biāo)簽：控制器 DRAM 晶圓 9.2k 0

DRAM選擇為何突然變得更加復(fù)雜？

芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也...

2023-11-22 標(biāo)簽：DRAM SRAM 數(shù)據(jù)中心 2k 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣...

2023-11-17 標(biāo)簽：mcu DRAM SDRAM 2.5k 0

使用虛擬制造評(píng)估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口

持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來(lái)越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓...

2023-11-16 標(biāo)簽：電容器 DRAM 虛擬制造 1.3k 0

汽車EE體系結(jié)構(gòu)中的功能域介紹

2023-11-15 標(biāo)簽：DRAM 汽車電子存儲(chǔ)系統(tǒng) 935 0

混合NVM/DRAM平臺(tái)上的內(nèi)存帶寬調(diào)節(jié)策略

隨著相變存儲(chǔ)器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展，高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場(chǎng)中

2023-11-14 標(biāo)簽：PCM DRAM 存儲(chǔ)器 2.6k 0

一文解析HBM技術(shù)原理及優(yōu)勢(shì)

HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，它可以為高性能計(jì)算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲(chǔ)解決方案。本文將介...

2023-11-09 標(biāo)簽：DRAM 數(shù)據(jù)傳輸 HBM 2.1萬(wàn) 0

關(guān)于DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)的“虛假謊言

在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中，“小型化的極限”一直被人們談?wù)摗Ｕ缟洗翁岬降模舛诉壿婱OS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配，可以說(shuō)晶體管的小型化已經(jīng)...

2023-11-08 標(biāo)簽：MOSFET DRAM 存儲(chǔ)器 1.3k 0

美光科技DRAM和通用閃存3.1嵌入式解決方案通過(guò)高通平臺(tái)認(rèn)證

美光的低功耗內(nèi)存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺(tái)上的元宇宙應(yīng)用提供高速和高能效。美光科技宣布，其低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X(LPDDR5X)DRAM和...

2023-10-27 標(biāo)簽：高通閃存嵌入式 2.1k 0

存儲(chǔ)系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)全解：存儲(chǔ)協(xié)議及關(guān)鍵技術(shù)

SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。

2023-10-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 DRAM NAND 1.4k 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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