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      標簽　>　3nm

      3nm

      +關(guān)注3人關(guān)注

      在半導體制造中，3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點之后的下一個芯片縮小。截至2019年，三星和臺積電已宣布計劃將3 nm 半導體節(jié)點投入商業(yè)生產(chǎn)。它基于GAAFET（全能柵極場效應(yīng)晶體管）技術(shù)，這是一種多柵極MOSFET技術(shù)。

      文章：235個 瀏覽：15032次 帖子：0個

      3nm資訊

      首款3nm測試芯片成功流片 采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)

      納米電子與數(shù)字技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新中心 IMEC 與美國楷登電子( Cadence) 公司聯(lián)合宣布，得益于雙方的長期深入合作，業(yè)界首款 3nm 測試芯片成功流片...

      2018-03-19 標簽：Cadence3nm 9k 0

      臺積電開始建設(shè)新的5nm工廠，并將于2020年啟動3nm工廠

      據(jù)臺灣媒體報道，臺積電將于本周在臺灣南部科學工業(yè)園區(qū)(STSP)開工建設(shè)新的5nm工廠，并將于2020年啟動3nm工廠，而新工藝的快速演進將大大鞏固臺積...

      2018-01-25 標簽：臺積電5nm3nm 5.5k 0

      臺積電3nm工廠地址“花落”誰家？

      作為全球第一大代工廠，臺積電無疑是臺灣的驕傲，但因為種種原因，臺積電正在考慮赴美建廠，尤其是未來的3nm工藝，有消息稱很可能要移師美國，臺積電董事長張忠...

      2018-07-09 標簽：臺積電3nm 9.5k 0

      張忠謀辟謠：臺積電暫不赴美設(shè)廠，3nm計劃在這

      不過，據(jù)報道，臺灣科技部長陳良基今20日中午去電臺積電董事長張忠謀，張忠謀向陳良基強調(diào)，臺積電目前規(guī)劃以投資臺灣為優(yōu)先，并無赴美投資設(shè)廠之計劃。

      2017-03-21 標簽：臺積電張忠謀3nm 1.1k 0

      臺積電3nm制程研發(fā)提速 預(yù)計2022年完成量產(chǎn)

      根據(jù)英特爾發(fā)布的產(chǎn)品規(guī)劃路線，自己的14nm技術(shù)將要在處理器上連續(xù)使用三代而不進行提升，而在制程這方面的研發(fā)，臺積電顯然更勝一籌，前段時間臺積電剛剛確定...

      2016-10-10 標簽：臺積電3nm 1k 0

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        工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)
        +關(guān)注
        工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的本質(zhì)是通過開放的、全球化的工業(yè)級網(wǎng)絡(luò)平臺把設(shè)備、生產(chǎn)線、工廠、供應(yīng)商、產(chǎn)品和客戶緊密地連接和融合起來，高效共享工業(yè)經(jīng)濟中的各種要素資源，從而通過自動化、智能化的生產(chǎn)方式降低成本、增加效率，幫助制造業(yè)延長產(chǎn)業(yè)鏈，推動制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展。
      • TMS320F2808
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        +關(guān)注
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        全志科技（AllwinnerTechnology）成立于2007年，是卓越的智能應(yīng)用處理器SoC、高性能模擬器件和無線互聯(lián)芯片設(shè)計廠商。總部位于中國珠海，在深圳、香港、西安、北京、上海等地設(shè)有研發(fā)中心或分支機構(gòu)，2015年于深交所創(chuàng)業(yè)板上市，股票代碼300458。
      • 異構(gòu)計算
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        異構(gòu)計算異構(gòu)計算技術(shù)從80年代中期產(chǎn)生，由于它能經(jīng)濟有效地獲取高性能計算能力、可擴展性好、計算資源利用率高、發(fā)展?jié)摿薮螅殉蔀椴⑿?分布計算領(lǐng)域中的研究熱點之一。
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      • 控制回路
        控制回路
        +關(guān)注
        控制回路通常是針對模擬量的控制來說，一個控制器根據(jù)一個輸入量，按照一定的規(guī)則和算法來決定一個輸出量，這樣，輸入和輸出就形成一個控制回路。一般電路由電源回路、主回路、控制回路、輔助回路組成。
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        +關(guān)注
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        　LPDDR5就是第五代LPDDR內(nèi)存。LPDDR內(nèi)存全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，中文意為低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存，又稱為mDDR（Mobile DDR SDRM）.
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        FFT算法
        +關(guān)注
        FFT算法一般指快速傅里葉變換。快速傅里葉變換即利用計算機計算離散傅里葉變換（DFT）的高效、快速計算方法的統(tǒng)稱，簡稱FFT。快速傅里葉變換是1965年由J.W.庫利和T.W.圖基提出的。采用這種算法能使計算機計算離散傅里葉變換所需要的乘法次數(shù)大為減少，特別是被變換的抽樣點數(shù)N越多，F(xiàn)FT算法計算量的節(jié)省就越顯著。
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        驍龍410
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        驍龍665 4*Kryo260大核心+4*Kryo小核心的8核架構(gòu)，驍龍665的大核主頻是2.0Ghz，GPU方面從660的Adreno 512升級成了Adreno 610。
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        服務(wù)器處理器
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      • 內(nèi)存計算
        內(nèi)存計算
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      • TMS320C32
        TMS320C32
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      • 28nm制程
        28nm制程
        +關(guān)注
      • 智原科技
        智原科技
        +關(guān)注
        智原科技（Faraday Technology Corporation， TWSE： 3035）為專用集成電路（ASIC）設(shè)計服務(wù)暨知識產(chǎn)權(quán)（IP）研發(fā)銷售領(lǐng)導廠商，通過ISO 9001與ISO 26262認證，總公司位于臺灣新竹科學園區(qū)，并于中國大陸、美國與日本設(shè)有研發(fā)、營銷據(jù)點。
      • 炬芯科技
        炬芯科技
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