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標簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機化合物,化學式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格常數5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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Analog Devices Inc. HMC8413低噪聲放大器數據手冊
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Analog Devices Inc. ADL8107低噪聲放大器數據手冊
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ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,23 GHz至31 GHz技術手冊
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ADL8121 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,0.025 GHz至12 GHz技術手冊
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ADL8142S GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,23 GHz 至 31 GHz技術手冊
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ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,5 GHz至20 GHz技術手冊
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AS169-73 PHEMT砷化鎵集成電路單刀雙擲開關規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-08-03 標簽:砷化鎵PHEMT單刀雙擲開關 475 0
類別:IC datasheet pdf 2023-07-25 標簽:功率放大器砷化鎵 578 0
類別:IC datasheet pdf 2023-07-25 標簽:放大器砷化鎵 302 0
類別:IC datasheet pdf 2022-04-12 標簽:砷化鎵單刀雙擲開關 894 0
類別:IC datasheet pdf 2021-04-12 標簽:集成電路晶體管砷化鎵 733 0
上海光機所在強場太赫茲對砷化鎵偶次諧波調控研究方面取得新進展
圖1. 強場太赫茲波的產生及物質調控信號測量裝置 (a)實驗光路;(b)泵浦光光譜;(c)太赫茲頻譜。 近期,中國科學院上海光學精密機械研究所強場激光物...
5月9日,河南澠池縣舉行了化合物半導體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項目的簽約儀式。在儀式上,化合物半導體材料團隊執行總監李有群對該項目做了詳細介紹。
該科研成果已于北京時間2024年3月28日以“證據表明分數量子霍爾液體中有手性黑格斯模”為題在國際頂尖學術期刊Nature上公開發表。全球的引力子研究一...
首期項目斥資15億人民幣,致力開發4/6英寸砷化鎵生產線。預計在2025年7月開始試運行,此階段主要專注于砷化鎵半導體表面發射型鐳射VCSEL產品的生產...
上海伯東美國 Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運輸以及儲存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.
GaAs器件在微波領域的應用非常廣泛,器件分類齊全,包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數字單芯片集成電路等。
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