標準清洗槽中的質量參數的監控方法

高效的硅片清洗需要最佳的工藝控制，以確保在不增加額外缺陷的情況下提高產品產量，同時提高生產率和盈利能力。

2022-03-09 標簽：晶圓晶片儀器 776 0

使用酸性溶液對硅晶片進行異常各向異性蝕刻

在本文中，我們首次報道了實現硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅1...

2022-03-09 標簽：實驗蝕刻晶片 1.2k 0

二氧化碳溶解水清洗方法

兆頻超聲波清洗已被用于去除集成電路器件的硅晶片制造中的缺陷，例如顆粒和聚合物/抗蝕劑殘留物。然而，隨著器件技術節點的縮小，兆頻超聲波清洗正面臨著保持高清...

2022-03-08 標簽：超聲波晶片器件 1.7k 0

兆聲波對硅片濕法清洗槽中水和氣泡運動的影響

研究了兆聲波對300 mm直徑硅片濕法清洗槽中水和氣泡運動的影響。使用水溶性藍色墨水的示蹤劑觀察整個浴中的水運動。兆聲波加速了整個浴槽中的水運動，盡管沒...

2022-03-07 標簽：計算機超聲波晶片 1k 0

300mm直徑硅片濕洗槽出水口設計

實驗和數值研究了間歇式300mm直徑硅片濕法清洗槽出口對水運動的影響，以快速去除槽中的污染物。設計并評估了由靠近水槽側壁頂部邊緣的針孔陣列組成的出口以及...

2022-03-04 標簽：半導體計算晶片 648 0

半導體工藝—晶片清洗工藝評估

摘要 本文介紹了半導體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評估而制備的受污染測試晶片老化的實驗研究。比較了兩種晶片制備技術:一種是傳統的濕法技術，其中裸露的...

2022-03-04 標簽：半導體晶片 3.5k 0

晶片光刻膠處理系統的詳細介紹

摘要 在這項工作中，研究了新一代相流體剝離溶液在各種半導體光刻膠中的應用。這些實驗中使用的獨特的水基智能流體配方均為超大規模集成電路級，與銅兼容且無毒。...

2022-03-03 標簽：半導體晶片 937 0

超細金屬顆粒在硅片表面的行為研究

摘要 隨著 ULSI 設備越來越小型化，對產量產生不利影響的顆粒直徑一直在縮小。最近，直徑為 0.1 或更小的超細顆粒變得很重要。預計這種類型的超細顆粒...

2022-03-03 標簽：半導體晶片 913 0

濕法清洗系統對晶片表面顆粒污染的影響

摘要 研究了泵送方法對晶片清洗的影響。兩種類型的泵，例如隔膜泵和離心泵，用于在濕浴和單晶片工具中循環和供應用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明，泵送方法...

2022-03-02 標簽：半導體晶片 1.3k 0

清洗半導體晶片的方法說明

摘要 該公司提供了一種用于清洗半導體晶片的方法和設備 100，該方法和方法包括通過從裝載端口 110 中的盒中取出兩個或多個晶片來填充化學溶液的第一罐將...

2022-02-28 標簽：半導體晶片 1.8k 0

臭氧在濕法加工中的作用是怎樣的

氧化物膜的沉積 臭氧是在使用時產生的，可以很容易地轉化為氧氣 IMEC開發了一種晶片清洗工藝，與廣泛使用的 RCA 清洗相比，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零...

2022-02-28 標簽：半導體晶片 929 0

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機理研究

SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經使用多年來去除顆粒和有機污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認為...

2022-02-23 標簽：數據晶片測量 3.4k 0

半導體單晶片旋轉清洗器中渦流的周期性結構

近年來，隨著集成電路的微細化，半導體制造的清洗方式從被稱為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變為“單張式”的晶片一次清洗的方式。在半導體的制造中...

2022-02-22 標簽：半導體結構晶片 1.6k 0

半導體晶片上粒子沉積的實驗研究

半導體晶片上的粒子沉積是集成電路制造中的一個重要問題。隨著集成電路的特征尺寸接近亞微米的尺寸，晶片上的顆粒沉積是造成產品損失的主要原因。我們開發了一種用...

2022-02-22 標簽：半導體實驗晶片 1.8k 0

磷酸中二氧化硅的選擇性濕法蝕刻方法

摘要 在濕法工藝實施中使用單晶片處理器是先進半導體制造的一種趨勢，因為它具有無污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率的優點。然而，...

2022-02-15 標簽：蝕刻晶片 2.9k 0

稀釋HF清洗過程中硅表面顆粒沉積的機理報告

本文討論了稀氫氟酸清洗過程中顆粒沉積在硅片表面的機理。使用原子力顯微鏡的直接表面力測量表明，硅表面上的顆粒再沉積是由于顆粒和晶片表面之間的主要相互作用。...

2022-02-11 標簽：晶片測量顯微鏡 3.1k 0

下一代化合物半導體的超精密加工和清洗的現狀與未來

18世紀第一次工業革命以來，創新技術的進步呈指數級迅猛發展。 進入本世紀，以數字化為象征的第四次工業革命預計將于2045年展開(技術奇點)1)，有必要認...

2022-02-11 標簽：半導體CMP晶片 2.3k 0

華林科納共注入BOE的化學實驗報告

緩沖氧化物蝕刻(BOE)是一種廣泛應用于半導體行業的蝕刻解決方案，通過光刻膠掩模蝕刻氧化物層，我們使用計算的主要結果，通過ATMELFab7現場的實驗實...

2022-02-07 標簽：晶片BOE 1.3k 0

CMP后化學機械拋光清洗中的納米顆粒去除報告

化學機械拋光最初用于玻璃和硅片拋光。隨著其功能的增加，化學機械拋光被引入到平面化層間電介質(ILD)、淺溝槽隔離(STI)和用于片上多級互連的鑲嵌金屬布...

2022-01-27 標簽：晶片化學傳感 1.7k 0