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模具溫度40~50℃,注射壓力:200~600bar,注射速度建議使用快速的注射速度,流道和澆口可以使用所有常規類型的澆口。PS料在加工前,除非儲存不當...
外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導體制造,...
將表面貼裝元件直接集成到撓性電路的蝕刻銅焊盤圖形上,與剛性電路板的組裝工藝沒有什么不同。然而為了最大限度地提高機器人組裝效率,提高撓性電路的產量,電路設...
在當前計算密集的高性能系統中,動態隨機存儲器(DRAM)和嵌入式動態隨機存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器...
金絲鍵合是微組裝制造工藝的關鍵工序,為解決電子產品金絲球焊合格率低的問題,根據金絲球焊的鍵合原理和工作過程,選取了鍵合壓力、超聲功率、超聲時間、加熱臺溫...
追求更小的 DRAM 單元尺寸(cell size)仍然很活躍并且正在進行中。對于 D12 節點,DRAM 單元尺寸預計接近 0.0013 um2。無...
選擇元器件時應優先考慮國產化的元器件,避免選擇國外定制或敏感度較高的器件,一旦發生突發狀況,將影響元器件的采購。原材料的選擇應從材料的物理和化學特性多方...
詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)
在20nm 工藝節點之后,傳統的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達到了微縮的極限。為了實現更高的存儲容量,NAND集...
燒滲法也叫被銀法。這種方法是在陶瓷的表面燒滲一層金屬銀,作為電容器、濾波器的電極或集成電路基片的導電網絡。銀的導電能力強,抗氧化性能好,在銀面上可直接焊...
熱平衡等離子體中,電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應室的溫度,...
由下圖可以看出當氣體密度較高時MFP較短(a);而當氣體密度較低時,MFP就較長(b)。大粒子的截面積較大,掃過的空間也較大。與一般或較小的離子相比,大...
InAs/GaSb II類超晶格長波焦平面陣列臺面ICP刻蝕技術研究
基于GaSb材料,包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設計成各種新型材料和器件,尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨特的II型能帶結構,可以...
其中,AB是分子,而A和B是由分解碰撞產生的自由基,自由基至少帶有一個不成對的電子, 因此并不穩定。自由基在化學上非常活躍,能奪取其他原子或分子的電子形...
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