一文詳解多重曝光技術(shù)

有一些光學(xué)分辨率增強(qiáng)技術(shù)是非常依賴于圖形特征的。例如，可以通過合適方向的二極照明來增強(qiáng)密集線空圖形的成像性能，但是，不同方向的線空圖形需要不同方向的二極...

2026-02-03 標(biāo)簽：照明光學(xué)光刻 297 0

從基于規(guī)則到基于模型的OPC和反演光刻技術(shù)

通過觀察偏移、輔助圖形、襯線和其他掩模校正方法對(duì)光刻成像的影響，可以建立用作掩模版圖校正的規(guī)則。

2026-01-28 標(biāo)簽：光刻模型掩模 265 0

半導(dǎo)體“刻蝕（Etch）”工藝技術(shù)的詳解；

【博主簡介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...

2025-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻刻蝕 5.4k 0

集成電路芯片制備中的光刻和刻蝕技術(shù)

光刻與刻蝕是納米級(jí)圖形轉(zhuǎn)移的兩大核心工藝，其分辨率、精度與一致性共同決定器件性能與良率上限。

2025-10-24 標(biāo)簽：集成電路光刻刻蝕 2.1k 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言 玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 。總厚度偏差（T...

2025-10-09 標(biāo)簽：晶圓光刻碳化硅 757 0

光阻去除屬于什么制程

光阻去除（即去膠工藝）屬于半導(dǎo)體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術(shù)流程中不可或缺的關(guān)鍵步驟。以下是其在整個(gè)制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型...

2025-07-30 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體制造 1.3k 0

芯片制造的四大工藝介紹

這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術(shù)（光刻）?摻雜技術(shù)?鍍膜技術(shù)和刻蝕技術(shù)。

2025-07-16 標(biāo)簽：芯片制造光刻加工工藝 3.9k 0

電子束曝光與顯影工藝解讀

EBL就像是納米世界里的精密畫筆，能夠在極其微小的尺度上"畫"出任何你想要的二維圖案。

2025-07-09 標(biāo)簽：納米光刻電子束 4.2k 0

ADI 數(shù)據(jù)采集解決方案在先進(jìn)光刻芯片制造領(lǐng)域大放異彩l

作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 在半導(dǎo)體芯片銷售額從 2022 年的 6000 億美元增至 2030 年的 1 萬億...

2025-05-25 標(biāo)簽：芯片ADI數(shù)據(jù)采集 989 0

一文詳解電子束光刻技術(shù)

本文系統(tǒng)梳理了直寫式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑，涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系統(tǒng)集成等方面，并探討其在精度、效率與成本間的技術(shù)矛盾...

2025-04-30 標(biāo)簽：工藝光刻電子束 4.5k 0

光阻的基礎(chǔ)知識(shí)

本文將系統(tǒng)介紹光阻的組成與作用、剝離的關(guān)鍵工藝及化學(xué)機(jī)理，并探討不同等離子體處理方法在光阻去除中的應(yīng)用。 ? 一、光阻（Photoresist，PR）的...

2025-02-13 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體制造 4.6k 0

芯片制造:光刻工藝原理與流程

光刻是芯片制造過程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細(xì)介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理???...

2025-01-28 標(biāo)簽：芯片制造光刻 4.3k 0

光刻掩膜技術(shù)介紹

?? 光刻掩膜簡介 ?? ? 光刻掩膜（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，通常簡稱“mask”，是半導(dǎo)體制造過程中用于圖案轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工...

2025-01-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻掩膜 5.9k 0

接觸孔工藝的制造流程

接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細(xì)小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢（W），接觸孔材料不能用Cu，因?yàn)?C...

2024-11-15 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2.4k 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2.7k 0

有源區(qū)工藝的制造過程

有源區(qū)工藝是指通過刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。

2024-10-31 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2.2k 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第二層金屬連接起來。頂層金屬需要作為電源走線，連接很長的距離，需要比較低的電阻，需要...

2024-10-29 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.7k 0

金屬層2工藝是什么

金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來。

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.8k 0

Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度

來源：C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度（LER）指的是柵極圖案邊緣的隨機(jī)變化，即印刷圖案邊緣的粗糙度。當(dāng)最小特征尺寸減小到幾十...

2024-08-23 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體光刻 4.7k 0

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...

2024-07-30 標(biāo)簽：光刻蝕刻晶圓制造 4.4k 0