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      3天內(nèi)不再提示

      NLHV4157N 負電壓SPDT開關

      數(shù)據(jù)：

      NLHV4157N是采用硅柵CMOS技術制造的先進CMOS模擬開關。該器件通過模擬和數(shù)字負電壓，可能在整個電源范圍內(nèi)變化（從VEE到GND）。
      特性 優(yōu)勢
      • 工作電壓范圍
      • VEE = -12 V至-4 V
      • 開關信號電壓范圍
      • VIS = VEE至GND
      • 正控制信號電壓
      • VIN = 0至3.3 V
      • 低導通電阻
      • RON≤5Ω@ VEE = -10 V
      • 閂鎖性能
      • 超過200毫安
      • 小包裝
      • SC88中提供6引腳封裝
      • 這些器件無鉛，無鹵素/無BFR且符合RoHS標準
      應用 終端產(chǎn)品
      • GaN晶體管功率放大器
      • 手機塔

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1） 相關資料（2）
      元器件購買 NLHV4157N 相關庫存