RB521S30T1G
基本特性
- ?類型?:肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode)
- ?額定電壓?:30V
- ?設計用途?:適用于高速開關應用、電路保護及電壓箝位。極低的正向電壓降低了傳導損耗,微型表面貼裝封裝非常適合手持和便攜式空間有限的應用。
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*附件:RB521S30T1G.pdf
http://www.3532n.com/p/e234836437
關鍵特性
- ?極快切換速度?:具有極高的開關速度。
- ?極低正向電壓?:在IF = 200 mA時,最大正向電壓為0.5V。
- ?低反向電流?。
- ?汽車應用?:NSV前綴表示適用于汽車及其他需要獨特站點和控制變更要求的應用,符合AEC-Q101標準,具備PPAP能力。
- ?環保合規?:無鉛(Pb-Free)、無鹵素/無溴化阻燃劑(Halogen Free/BFR Free),符合RoHS標準。


封裝信息
- ?封裝類型?:SOD-523
最大額定值
熱特性
- ?總器件耗散?:在FR-5板上,TA=25°C時,PD為200mW;溫度超過25°C時,需按1.57mW/°C進行降額。
- ?熱阻?:結到環境熱阻為63°C/W。
- ?工作結溫和存儲溫度范圍?:-55至+125°C。
標記與包裝
- ?標記?:5MM表示器件代碼,M表示日期代碼。
- ?包裝?:提供3000個/卷帶(Tape & Reel)的包裝形式,有Pb-Free選項。
電氣特性
- ?反向泄漏電流?:在VR=10V時,IR為30nA(典型值可能因溫度不同而變化)。
- ?正向電壓?:在IF=200mA時,VF為0.50Vdc(典型值可能因溫度不同而變化)。
物理尺寸
提供詳細的物理尺寸圖,包括長度、寬度、高度等具體數據,適用于SOD-523封裝。

ON Semiconductor RB521S30T1G EDA模型下載地址:
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