DS2786簡(jiǎn)介
DS2786獨(dú)立式、基于OCV的電量計(jì)可根據(jù)空閑狀態(tài)下電池的開路電壓估算可充電Li+電池的剩余容量。器件根據(jù)存儲(chǔ)在IC中的查找表,通過(guò)測(cè)量開路電壓確定電池的相對(duì)容量。這一功能可以在電池組接入后迅速獲得精確的電池組容量信息。計(jì)算相對(duì)容量所需的電池組特性和應(yīng)用參數(shù)都保存在片上EEPROM中。設(shè)置電量計(jì)參數(shù)
根據(jù)DS2786K的數(shù)據(jù)資料,安裝完DS2786K軟件并與DS2786建立通信后,要做的第一步工作就是將應(yīng)用參數(shù)數(shù)據(jù)裝載入DS2786中。DS2786在出廠前已經(jīng)預(yù)先裝載了一組“理想” OCV/剩余電量曲線以及標(biāo)準(zhǔn)默認(rèn)參數(shù)。該“理想”曲線是根據(jù)不同廠家不同容量的電池組特性產(chǎn)生的。該曲線給除了非常理想的開路電壓特性,可以滿足大多數(shù)的應(yīng)用。本應(yīng)用筆記假設(shè)典型應(yīng)用采用默認(rèn)的參數(shù)。
地址60h–7Fh存儲(chǔ)所需的數(shù)據(jù),包括鋰電池的OCV曲線、電池容量、開路電壓檢測(cè)門限、以及配置和電流偏移寄存器。這些數(shù)據(jù)可以在DS2786K軟件中PARAMETERS標(biāo)簽中輸入(圖1);DS2786K自動(dòng)將輸入的數(shù)值轉(zhuǎn)換為實(shí)際存儲(chǔ)的相應(yīng)的數(shù)據(jù)格式。圖1中箭頭所指的內(nèi)容將在后續(xù)章節(jié)中進(jìn)行說(shuō)明。

圖1. DS2786K的PARAMETERS標(biāo)簽示意圖。箭頭所指示的各個(gè)參數(shù)將在本應(yīng)用筆記中進(jìn)行說(shuō)明。
- 電池組數(shù)據(jù)
DS2786出廠前已經(jīng)預(yù)裝了“理想”曲線,適用于典型的Li+電池(圖2)。該曲線是8段線形近似擇線,反映了相對(duì)剩余電量與電池開路電壓的關(guān)系。PARAMETERS標(biāo)簽中的Cell Data給出了多個(gè)斷點(diǎn),成對(duì)的給出電池剩余容量(Capacity)以及OCV (Voltage)之間的關(guān)系。所存儲(chǔ)的Capacity值的步長(zhǎng)為0.5%,Voltage值步長(zhǎng)為1.22mV。電量欄中第一個(gè)和最后一個(gè)數(shù)值分別固定為0%和100%。
如果用戶需要利用電池OCV的檢測(cè)功能,則只需在文本框里簡(jiǎn)單的寫入新的Capacity和Voltage的斷點(diǎn)數(shù)據(jù),并按照“訪問DS2786”一節(jié)的說(shuō)明將這些新數(shù)據(jù)寫入DS2786。
如果電池特性未知,Dallas Semiconductor可以提供免費(fèi)服務(wù)幫助提取所用電池的特征參數(shù)。通常情況下,該“理想”曲線對(duì)于絕大多數(shù)應(yīng)用來(lái)說(shuō)已經(jīng)足夠精確了。
圖2. 典型Li+電池“理想”曲線示意圖。DS2786出廠時(shí)預(yù)先裝載了“理想”曲線,適用于不同廠商不同容量的電池,可提供精確的OCV特性,適用于絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合。除了提供預(yù)置的“理想”曲線,Dallas Semiconductor還可提供免費(fèi)服務(wù)以幫助提取實(shí)際應(yīng)用中所用的電池的特性參數(shù)。
- 配置寄存器
4位配置寄存器(SMOD, DNL, VODIS, ITEMP)的默認(rèn)值存儲(chǔ)在地址0x7Ch的高位4位。復(fù)選框選中時(shí)相應(yīng)的位設(shè)置為1,反之則為0。可參考DS2786數(shù)據(jù)資料給出了各個(gè)位的說(shuō)明。
- 電流失調(diào)偏移寄存器
電流失調(diào)偏移寄存器可以用來(lái)校準(zhǔn)靜態(tài)失調(diào)誤差,包括估算沒有流過(guò)檢測(cè)電阻的電池電流,或估算電池的自放電。用戶可以輸入正的或負(fù)的偏移值,此偏移值可用于電流的積分過(guò)程,單位為mA。該值將會(huì)影響電流寄存器,并在兩次OCV測(cè)量期間進(jìn)行累積。電流失調(diào)偏置寄存器的LSB為25μV/檢測(cè)電阻阻值。用戶設(shè)置時(shí)需要以mA為單位輸入。
左擊METERS標(biāo)簽中的Update Offset按鈕,使用評(píng)估板軟件校準(zhǔn)電流失調(diào)偏移寄存器。關(guān)于該校準(zhǔn)方法的詳細(xì)信息,請(qǐng)參考DS2786K數(shù)據(jù)資料。
- 電池初始容量
電池初始容量可用于估算自上次OCV測(cè)量后,電流累加所引起的相對(duì)容量的變化。例如,如果電池初始容量為1000mAh,從上次OCV測(cè)量開始算起,電流累積量為100mAh,那么相對(duì)容量的變化為10%。但是,如果電池初始容量為2000mAh,那么同樣的100mAh的電流累積量所帶來(lái)的相對(duì)容量的變化則為5%。
器件中存儲(chǔ)的電池初始容量的單位為78.125%/VH。用戶需要使用DS2786K輸入電池初始容量值,單位為mAh。
器件將一直采用電池初始容量的值,直到器件對(duì)電池容量進(jìn)行重新學(xué)習(xí)。重新學(xué)習(xí)電池的容量后,器件便采用該值估算累積電流對(duì)于相對(duì)容量的影響。
- 屏蔽/OCV門限
該寄存器有兩個(gè)作用:設(shè)置電流屏蔽和OCV檢測(cè)門限。低于屏蔽/OCV門限的電流讀數(shù)不會(huì)被累積,且也不會(huì)影響剩余電量。此外,當(dāng)器件檢測(cè)電流讀數(shù)低于屏蔽/OCV門限時(shí),DS2786將開始檢測(cè)OCV狀態(tài)。如果電流值在門限之上,器件將不會(huì)檢測(cè)OCV狀態(tài)。
應(yīng)正確選取門限值以保證當(dāng)電路處于待機(jī)模式下能夠檢測(cè)到OCV狀態(tài)。例如,實(shí)際應(yīng)用中待機(jī)模式下將消耗5mA的電流,那么屏蔽/OCV門限應(yīng)該設(shè)置在7.5mA,以保證在待機(jī)模式能夠檢測(cè)到OCV狀態(tài)。
屏蔽/OCV門限寄存器的存儲(chǔ)單位是25μV/檢測(cè)電阻。用戶輸入值的單位為mA。
- OCV dV/dt門限
地址0x7Ch的低4位用于設(shè)置OCV dV/dt門限。該值用于確定是否有OCV事件發(fā)生。要保證能檢測(cè)到OCV事件發(fā)生,電流必須小于屏蔽/OCV門限,并且在15分鐘時(shí)間內(nèi)電壓的變化率小于OCV dV/dt門限。
OCV dV/dt門限設(shè)置的范圍1.22mV到18.30mV,LSB為1.22mV。
- I2C地址
器件的I2C地址可以在0x60h到0x6Eh之間的偶地址變化。存儲(chǔ)器地址0x7Dh的高4位用于設(shè)定I2C地址。
表1給出I2C的地址格式,高三位固定為‘011’。地址0x7Dh的第7–4位即為I2C地址的第4–1位。位0是I2C地址的讀/寫位。寄存器值為0x00h表示I2C地址為0x60h而0xF0h表示的I2C的地址為0x6Eh。
表1. I2C地址格式Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 0 1 1 Bit 7 of 0x7Dh Bit 6 of 0x7Dh Bit 5 of 0x7Dh Bit 4 of 0x7Dh R/W bit
在I2C地址(I2C Address)文本框中輸入所希望的地址,軟件會(huì)將其轉(zhuǎn)換為正確的格式。
當(dāng)I2C地址改變時(shí),與評(píng)估板軟件的通信將立即斷開。隨后,軟件將重新定位新地址,無(wú)需任何用戶干預(yù)。
- 學(xué)習(xí)門限
用戶可以通過(guò)設(shè)置學(xué)習(xí)門限設(shè)定DS2786何時(shí)學(xué)習(xí)電池電量。每次發(fā)生OCV測(cè)量時(shí),相對(duì)容量寄存器(計(jì)量表中)都會(huì)根據(jù)容量/電壓斷點(diǎn)進(jìn)行更新。新的相對(duì)容量值與上次的OCV測(cè)量時(shí)所計(jì)算的相對(duì)容量進(jìn)行比較。上次OCV相對(duì)容量存儲(chǔ)在地址為0x18h存儲(chǔ)器中。如果從上次OCV相對(duì)容量測(cè)量時(shí)相對(duì)容量的變化超過(guò)學(xué)習(xí)門限時(shí),DS2786將會(huì)根據(jù)兩次OCV測(cè)量之間電流的累積量重新學(xué)習(xí)電池的容量。
- 用戶EEPROM
此單字節(jié)EEPROM可以由用戶作任何用途使用。
訪問DS2786
當(dāng)用戶完成對(duì)數(shù)據(jù)1—9的修改后,應(yīng)該將相應(yīng)的數(shù)據(jù)保存到DS2786中。通過(guò)Write & Copy按鈕將輸入到文本框中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成存儲(chǔ)在DS2786中的相應(yīng)的數(shù)據(jù)形式。隨后將這些數(shù)值寫到映射RAM中,并拷貝到EEPROM中。將數(shù)據(jù)寫入EEPROM時(shí),應(yīng)將DS2786K評(píng)估板上的VPROG引腳連接到15V電源。DS2786K軟件會(huì)適時(shí)提醒用戶接入和拔掉編程電源。左擊Recall & Read按鈕,可以確認(rèn)輸入的值是否正確,左擊后器件將從EEPROM中讀取寫入的值,并按照上文描述的相應(yīng)形式將相關(guān)的應(yīng)用數(shù)據(jù)顯示出來(lái)。
器件中存儲(chǔ)的數(shù)值可以在MEMORY標(biāo)簽中以16進(jìn)制顯示。
保存和加載設(shè)置參數(shù)
在PARAMETERS標(biāo)簽的底部有三個(gè)按鈕,這些按鈕可以用于保存或裝載設(shè)置參數(shù)。Load Default Set Up按鈕將默認(rèn)數(shù)據(jù)裝載到標(biāo)簽中的顯示框。可以對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行編輯以適應(yīng)特定應(yīng)用,或可以保留以實(shí)現(xiàn)快速評(píng)估。Load Default Set Up按鈕僅改變屏幕上的顯示值。要修改DS2786存儲(chǔ)器中的值,應(yīng)左擊Write & Copy按鈕,并保證DS2786K評(píng)估板的VPROG端口接有15V的編程電源。用戶修改設(shè)置值以后,可以采用Save Set Up按鈕將這些值保存在一個(gè)文件中。之后,可以點(diǎn)擊Load Set Up按鈕,并選擇所需要的文件,將相應(yīng)的值加載到文本框中。同樣,要修改DS2786存儲(chǔ)器中的值,仍然需要左擊Write & Copy按鈕。
估算剩余電量
將參數(shù)正確設(shè)置并寫入DS2786的EEPROM后,用戶便可采用DS2786測(cè)量開路電壓并自動(dòng)估算剩余電量。一旦器件與電池相連,DS2786便開始測(cè)量電池的開路電壓。當(dāng)電流小于屏蔽/OCV門限且電壓斜率處低于OCV dV/dt門限超過(guò)15分鐘,DS2786將再次啟動(dòng)OCV測(cè)量。啟動(dòng)軟件并獲取容量信息
DS2786對(duì)流入或流出電池的電流進(jìn)行測(cè)量和累積,并相應(yīng)的更新相對(duì)容量。器件根據(jù)電流累積的量,采用電池初始容量確定相對(duì)容量的變化。器件工作過(guò)程中,如果兩次OCV測(cè)量期間,相對(duì)容量的變化超過(guò)學(xué)習(xí)門限,器件將重新學(xué)習(xí)電池的真實(shí)容量。例如,當(dāng)發(fā)生OCV事件且DS2786確定相對(duì)容量為20%。隨后,在下次OCV測(cè)量中,電池容量變化至80%。假設(shè)學(xué)習(xí)門限被設(shè)置為50%,此時(shí)相對(duì)容量的變化量(60%)已經(jīng)超過(guò)學(xué)習(xí)門限(50%),DS2786將重新學(xué)習(xí)電池容量。 DS2786在兩次OCV測(cè)量之間對(duì)電流進(jìn)行累積,并采用該累積電流估算電池的滿充容量。
這種情況下,假設(shè)DS2786在兩次OCV測(cè)量之間累積了1000mAh。因此,1000mAh是總電池容量的60%,而100%的總電池容量則為1667mAh。DS2786隨后采用學(xué)習(xí)到的電池容量估算兩次OCV事件中相對(duì)容量的變化。
如圖3所示,軟件將不斷的以DS2786中的數(shù)據(jù)更新METERS標(biāo)簽中的剩余電量。只需開始對(duì)電池進(jìn)行充電和放電,DS2786將為您完成其它工作,同時(shí)DS2786K將顯示相關(guān)信息。

圖3.評(píng)估板軟件實(shí)時(shí)更新DS2786K中METERS標(biāo)簽內(nèi)Relative Capacity區(qū)域的數(shù)據(jù)。
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