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      2025-04-23 10:48:44836

      HMC694LP4/694LP4E模擬可變增益放大器，采用SMT封裝，6-17GHz技術(shù)手冊

      HMC694LP4E是一款GaAs MMIC PHEMT模擬可變增益放大器，工作頻率范圍為6至17 GHz。 該放大器適合微波無線電應用，提供高達22 dB增益、+22 dBm輸出P1dB、+30
      2025-04-21 11:41:44820

      HMC680LP4/680LP4E BiCMOS 5位數(shù)字可變增益放大器，采用SMT封裝，30-400MHz技術(shù)手冊

      為5 dB，任意狀態(tài)下的輸出IP3最高為+40 dBm。 這款高線性度DVGA還提供差分RF輸出，可用來直接對接Tx以及Rx應用中的SAW濾波器以及Rx鏈路上的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。 HMC680LP4(E)采用RoHS兼容型4x4 mm QFN無引腳封裝，支持CMOS/TTL。
      2025-04-21 10:00:36724

      HMC942LP4E x2有源倍頻器，25-31GHz輸出技術(shù)手冊

      HMC942LP4E是一款x2有源寬帶倍頻器，使用GaAs pHEMT技術(shù)，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 由+4 dBm信號驅(qū)動時，該倍頻器在13至24.6 GHz范圍內(nèi)提供+17
      2025-04-18 14:47:04662

      HMC905LP3E 6GHz低噪聲可編程分頻器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

      HMC905LP3E是一款SiGe BiCMOS低噪聲可編程分頻器，采用3x3 mm無引腳表貼封裝。 在400 MHz至6 GHz 輸入頻率范圍內(nèi)，該電路可編程并采用N = 1至N = 4分頻。 該
      2025-04-18 14:43:20791

      HMC705LP4/HMC705LP4E 6.5GHz可編程分頻器SMT技術(shù)手冊

      HMC705LP4(E)是一款低噪聲GaAs HBT可編程分頻器，采用4x4 mm無引腳表貼封裝。 該分頻器可以通過編程設(shè)置為以N = 1到N = 17之間的任意數(shù)字進行分頻（最高6.5 GHz
      2025-04-18 14:14:51916

      HMC575LP4/575LP4E x2有源倍頻器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

      HMC575LP4(E)是一款x2有源寬帶倍頻器，使用GaAs PHEMT技術(shù)，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 由3 dBm信號驅(qū)動時，該倍頻器提供+17 dBm的典型輸出功率，在6至9 GHz的頻率下工作。 相對于輸出信號電平，F(xiàn)o和3Fo隔離為15 dBc。
      2025-04-18 11:19:41918

      HMC561LP3 x2有源倍頻器SMT技術(shù)手冊

      HMC561LP3(E)是一款使用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 由+5 dBm信號驅(qū)動時，該倍頻器在8至21 GHz范圍內(nèi)提供+14 dBm
      2025-04-18 11:08:30820

      HMC493LP3/493LP3E使用InGaP HBT技術(shù)，4分頻，采用SMT封裝技術(shù)手冊

      HMC493LP3(E)是一款低噪聲4分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用無引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。 此器件在DC（使用方波輸入）至18 GHz的輸入頻率下工
      2025-04-18 09:59:26838

      HMC492LP3/492LP3E InGaP HBT 2分頻 SMT，DC-18GHz技術(shù)手冊

      HMC492LP3（E） 是一款低噪聲 2 分頻靜態(tài)分頻器，采用 InGaP GaAs HBT 技術(shù)，采用無引腳 3x3 mm QFN 表面貼裝塑料封裝。該器件采用單個 +5V DC 電源，在 DC
      2025-04-18 09:48:50789

      HMC444LP4/444LP4E有源x8倍頻器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

      HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用4x4 mm無引腳表面貼裝封裝。 功率輸出為+6 dBm（典型值），電源電壓為5V，在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。
      2025-04-17 17:03:10999

      HMC370LP4/370LP4E x4有源倍頻器SMT技術(shù)手冊

      、溫度和電源電壓變化很小。 相對于輸入信號電平，無用基波和次諧波抑制大于22 dBc（典型值）。 100 kHz失調(diào)時，加性SSB相位噪聲低至-140 dBc/Hz，可幫助用戶保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC370LP4(E)非常適合LO倍頻器鏈路，與傳統(tǒng)方法相比可以減少器件數(shù)量。
      2025-04-17 11:30:11775

      HMC369LP3/369LP3E x2有源倍頻器SMT技術(shù)手冊

      HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術(shù)的有源微型x2倍頻器，提供3x3 mm無引腳QFN表貼封裝。 功率輸出為+4 dBm（典型值），單電源電壓為+5V，在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。 在輸出信號電平方面，對無用基波和次諧波的抑制為30 dBc（典型值）。
      2025-04-17 11:21:29996

      HMC368LP4/368LP4E x2有源倍頻器SMT技術(shù)手冊

      HMC368LP4(E)是一款利用GaAs PHEMT技術(shù)制造而成的微型放大器倍頻器，采用4x4 mm無鉛表面貼裝封裝。 由+2 dBm信號驅(qū)動時，該倍頻器在9至16 GHz范圍內(nèi)提供+15 dBm
      2025-04-17 11:15:55836

      HMC547ALC3非反射式SPDT開關(guān)ADI

      。HMC547ALC3工作頻段覆蓋直流（DC）至28.0 GHz，在全頻段范圍內(nèi)可實現(xiàn)優(yōu)于40 dB的端口隔離度，同時保持插入損耗低于2 dB的優(yōu)異性能指標。其獨特的寬帶特性、快速切換能力及緊湊的封裝
      2025-04-11 10:09:59

      HMC631LP3/631LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

      HMC631LP3和HMC631LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預失真和前饋消除電路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC631LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)
      2025-04-09 11:22:37859

      HMC630LP3/630LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

      HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)改變RF
      2025-04-09 11:16:06911

      HMC500LP3/500LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

      HMC500LP3(E)是一款高動態(tài)范圍的矢量調(diào)制器RFIC，用于RF預失真和前饋消除電路，以及RF消除和波束成形幅度/相位校正電路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口，持續(xù)改變RF信號
      2025-04-09 10:55:15826

      HMC1133LP5E GaAs MMIC 6位數(shù)字移相器，4.8-6.2GHz技術(shù)手冊

      HMC1133LP5E是一款6位數(shù)字移相器，額定頻率范圍為4.0至7 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC1133LP5E在所有相態(tài)具有2.8度的極低RMS相位誤差及±0.4
      2025-04-09 09:52:51741

      5V0.2A煙霧傳感器電源芯LP2178A

      35102 ，LP35118， LP35116P， LP10R100S， LP15R100S ，LP3588BS ，LP3588CS ，LP3578CS ，LP15R060S， LP05R045T
      2025-04-02 15:12:47

      HMC786LP4E集成LO放大器的BiCMOS混頻器技術(shù)手冊

      HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高動態(tài)范圍無源MMIC混頻器，采用4x4 SMT QFN封裝，工作頻率范圍為0.7至1.1 GHz。 LO驅(qū)動為0 dBm時，3G和4G GSM/CDMA
      2025-04-02 14:27:23784

      HMC683高IP3雙通道下變頻器SMT，集成LO開關(guān)技術(shù)手冊

      HMC683LP6C(E)是一款高線性度、雙通道下變頻器，集成LO放大器，采用6x6 SMT QFN封裝，工作頻率為0.7 - 1.0 GHz。 LO驅(qū)動為0 dBm時，3G和4G GSM/CDMA
      2025-04-02 11:07:56951

      HMC682高IP3雙通道下變頻器，采用SMT封裝，集成LO開關(guān)技術(shù)手冊

      HMC682LP6C(E)是一款高線性度、雙通道下變頻器，集成LO放大器，采用6x6 SMT QFN封裝，工作頻率為1.7 - 2.2 GHz。 該器件針對3G和4G GSM/CDMA應用提供+25
      2025-04-02 11:03:53804

      UA10-220S05V3P2D UA10-220S05V3P2D

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      2025-03-24 18:51:01

      BK350-800S32G1N6 BK350-800S32G1N6

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      2025-03-21 18:41:31

      DD60-300S12G2N6 DD60-300S12G2N6

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      2025-03-21 18:32:28

      HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術(shù)手冊

      、LFCSP封裝。HMC903LP3E放大器的工作頻率范圍為6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信號增益，1.7 dB的噪聲系數(shù)（在6 GHz至16 GHz頻段范圍內(nèi)），25 dBm的輸出IP3（全頻段6 GHz至17 GHz），采用3.5 V電源時功耗僅為80 mA。
      2025-03-21 15:14:511104

      HMC863ALC4 GaAs pHEMT MMIC 1/2W功率放大器技術(shù)手冊

      HMC863ALC4是一款三級GaAs pHEMT MMIC 1/2 W功率放大器，工作頻率范圍為24至29.5 GHz。HMC863ALC4提供24 dB增益、+28.5 dBm飽和輸出功率
      2025-03-21 14:54:20783

      DD6-05S24E3C2 DD6-05S24E3C2

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      2025-03-20 18:46:03

      FD6-36S24A3C3 FD6-36S24A3C3

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      2025-03-20 18:45:32

      FD6-110S05A3(C) FD6-110S05A3(C)

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      2025-03-20 18:43:31

      FD6-18S2V7A3(C) FD6-18S2V7A3(C)

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      2025-03-20 18:42:07

      PFD6-18S40A3(C)2 PFD6-18S40A3(C)2

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      2025-03-20 18:41:45

      FK6-36S24E2C3 FK6-36S24E2C3

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      2025-03-20 18:41:28

      HMC566LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，28-36GHz技術(shù)手冊

      及+24 dBm輸出IP3。 由于尺寸較小、采用+3V單電源供電和隔直RF I/O，該自偏置LNA非常適合混合和MCM組件應用。 HMC566LP4E采用符合RoHS標準的封裝，無需線焊，可以使用高容量表貼制造技術(shù)。 HMC566LP4E還提供HMC566芯片形式。
      2025-03-20 15:55:24834

      HMC3587HBT增益模塊MMIC放大器，4-10GHz技術(shù)手冊

      HMC3587LP3BE是一款HBT增益模塊MMIC放大器，工作頻率范圍為4 GHz至10 GHz，采用3x3 mm QFN SMT塑料封裝。 該多功能放大器可在50 Ohm應用中用作IF或RF增益
      2025-03-20 09:33:57731

      HMC311LP3 InGaP HBT增益模塊MMIC放大器技術(shù)手冊

      HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)增益模塊MMIC SMT放大器，工作頻率范圍為DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封裝放大器可用作級聯(lián)50 Ohm
      2025-03-19 15:51:05771

      HMC263LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，24-36GHz技術(shù)手冊

      HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為24至36 GHz，采用無引腳SMT塑料封裝。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工藝制造而成，采用3 V
      2025-03-19 15:41:44776

      HMC1040LP3CE GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器SMT技術(shù)手冊

      的噪聲系數(shù)，+22 dBm的輸出IP3，同時所需電源范圍僅為70 mA至+2.5 V。 +12 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多Hittite平衡、I/Q和鏡像抑制混頻器的LO驅(qū)動器。 HMC1040LP 3CE包括隔直且內(nèi)部匹配至50 Ohms的I/O，非常適合高容量微波無線電和VSAT應用。
      2025-03-19 14:18:45784

      DA40-1000S37G2D4 DA40-1000S37G2D4

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      2025-03-18 18:55:26

      FA10-220S24G2N4 FA10-220S24G2N4

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      2025-03-18 18:48:49

      FA10-220S24C2N3 FA10-220S24C2N3

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      2025-03-18 18:47:13

      DA10-220S3V3P2D4 DA10-220S3V3P2D4

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      2025-03-18 18:46:14

      FA5-220S12V3G2D4 FA5-220S12V3G2D4

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      2025-03-18 18:37:06

      FA3-220S24G2D4 FA3-220S24G2D4

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      2025-03-18 18:34:54

      DA3-220S24G9D4 DA3-220S24G9D4

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      2025-03-18 18:33:57

      DA3-220S15G2N4 DA3-220S15G2N4

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      2025-03-18 18:33:06

      LP2801A/B/C/D/E 非隔離AC-DC電源芯片方案

      2801A/B/C/D/E 產(chǎn)品特點： 1.集成>800V功率管 2.恒壓控制 3.QR工作模式 4.優(yōu)異的EMI特性 5.待機功耗<50mW 6.輸出電壓3.3V
      2025-03-13 09:46:34

      HMC536MS8G 3 Watt SPDT T/R交換芯片SMT，DC-6GHz技術(shù)手冊

      HMC536MS8G & HMC536MS8GE 是 DC - 6 GHz、GaAs、MMIC、T/R 交換芯片，采用 8 引腳 MSOP8G 表面貼裝封裝，帶有裸露的接地焊盤。該交換芯片
      2025-03-07 14:59:491321

      HMC536LP2 3W SPDT T/R開關(guān)，采用SMT封裝，DC-6GHz技術(shù)手冊

      HMC536LP2(E)是一款DC至6 GHz GaAs MMIC T/R開關(guān)，采用無引腳2x2 mm DFN LP2表貼封裝，帶有裸露接地焊盤。 該開關(guān)非常適合蜂窩、WiMAX和WiBro接入點
      2025-03-07 14:47:371177

      MHMF092L1C3-MINAS A6N系列 介紹 松下

      電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Panasonic(Panasonic)MHMF092L1C3-MINAS A6N系列 介紹相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有MHMF092L1C3-MINAS A6N系列 介紹的引腳
      2025-01-09 18:46:44

      什么是熱重分析（TGA）

      什么是熱重分析（TGA）熱重分析（TGA）在專業(yè)領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。該技術(shù)通過精確測量樣品在受控溫度變化下的質(zhì)量變化，來分析材料的熱穩(wěn)定性、分解行為和成分分析。本文將對TGA的運作機制、樣品
      2025-01-09 11:02:462078

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