概述
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA)，提供可選偏置控制來降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm、LFCSP封裝。HMC903LP3E放大器的工作頻率范圍為6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信號增益，1.7 dB的噪聲系數（在6 GHz至16 GHz頻段范圍內），25 dBm的輸出IP3（全頻段6 GHz至17 GHz），采用3.5 V電源時功耗僅為80 mA。

14.5 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多平衡、I/Q或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅動器。HMC903LP3E還具有隔直輸入和輸出，內部匹配至50 Ω，因而非常適合高容量微波無線電和視頻衛星(VSAT)應用。
數據表：*附件：HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術手冊.pdf

應用

• 點對點無線電
• 點對多點無線電
• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

特性

• 低噪聲系數：1.7 dB（典型值，6 GHz至16 GHz時）
• 高增益：18.5 dB（典型值，6 GHz至16 GHz時）
• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率：
  14.5 dBm（典型值，6 GHz至16 GHz時）
• 單電源電壓：3.5 V（典型值，80 mA）
• 輸出三階交調截點(IP3)：25 dBm（典型值）
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 具有自偏置，提供可選偏置控制來降低IDQ
• 16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝
  框圖
  
  引腳配置描述
  
  接口示意圖
  

典型性能特征

操作理論
HMC903L。P3E是砷化鎵(GaAs)、單片微波集成電路(MMIC)、贗晶(pHEMT)、低噪聲放大器。HMC903LP3E放大器使用兩個串聯增益級，放大器的基本原理圖如圖21所示，構成一個低噪聲放大器，工作頻率范圍為6 GHz至17 GHz，噪聲系數性能出色。

HMC903LP3E具有單端輸入和輸出端口，其阻抗在6 GHz至17 GHz頻率范圍內標稱值等于50ω。因此，它可以直接插入50ω系統，無需阻抗匹配電路，這也意味著多個HMC 903 LP 3放大器可以背靠背級聯，無需外部匹配電路。
輸入和輸出阻抗相對于溫度和電源電壓的變化足夠穩定，不需要阻抗匹配補償。請注意，為確保穩定工作，必須為GND引腳和封裝基座exposedpad提供極低電感的接地連接。為實現HMC903LP3E的最佳性能并防止損壞器件，請勿超過絕對最大額定值。