MXB12R600DPHFC Si MOSFET：高性能電源管理的理想選擇 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天，我們來(lái)深入了解一款高性能的 Si MOSFET
2025-12-16 10:15:06
147 11月20日，2025集成電路發(fā)展論壇（成渝）暨三十一屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)（ICCAD-Expo 2025）在成都正式啟幕。巨霖科技副總經(jīng)理鄧俊勇在“EDA與IC設(shè)計(jì)服務(wù)”專題論壇發(fā)表題為《國(guó)產(chǎn) SI 仿真工具破局之道》的演講。
2025-12-16 10:14:59248 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的功率模塊至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模塊，了解它的特點(diǎn)、參數(shù)以及典型應(yīng)用。
2025-12-05 09:43:50362 
在電子工程領(lǐng)域，功率模塊的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NXH600B100H4Q2F2S1G，一款具有出色性能的 Si/SiC 混合三通道飛跨電容升壓模塊。
2025-12-04 17:08:42638 
電子工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，常常需要在眾多的器件中尋找性能卓越、可靠性高且符合應(yīng)用需求的產(chǎn)品。今天，我們就來(lái)深入了解一下onsemi的NXH600B100H4Q2F2SG，這是一款Si/SiC混合三通道對(duì)稱升壓模塊，在太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源系統(tǒng)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
2025-12-04 16:00:50889 
在電子工程領(lǐng)域，功率模塊的性能直接影響著眾多應(yīng)用的效率和可靠性。今天，我們來(lái)深入探討onsemi的NXH240B120H3Q1 Si/SiC混合模塊，它在太陽(yáng)能逆變器和ESS等應(yīng)用中展現(xiàn)出了獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
2025-12-04 10:52:16362 
特點(diǎn)
-a-Si TFT有源矩陣電子紙顯示器（EPD）
-支持三種顏色：白色、黑色、紅色
-分辨率：480 x 800
-超低功耗
-超寬視角-接近180°
-超薄型和輕型
-SPI接口
-符合
2025-12-01 15:45:59
大家介紹一款性價(jià)比極高、功耗極低、自動(dòng)尋卡、定時(shí)喚醒的13.56mhz非接觸式讀卡芯片：SI522，希望給那些因?yàn)楣南虏粊?lái)而煩惱的技術(shù)朋友們有所幫助！
Si522 是一個(gè)高度集成的，工作在
2025-12-01 10:16:07
Part 90和169MHz無(wú)線Mbus12。
工作環(huán)境的兼容性：DP4363在12.5kHz信道間隔下具有60dB的相鄰信道選擇性，可確保在惡劣的射頻環(huán)境中穩(wěn)定接收
可以與Silicon 芯科SI4463完全兼容，不需要更換軟硬件，直接替用上去
2025-11-28 14:21:11
、250Kbps三種數(shù)據(jù)速率。其操作簡(jiǎn)便，應(yīng)用成本低，只需要一個(gè)MCU(8位)和少量外圍無(wú)源器件即可以組成一個(gè)無(wú)線數(shù)據(jù)收發(fā)系統(tǒng)。
Si24R1引腳圖Si24R1芯片特性：超低關(guān)斷功耗: <0.7
2025-11-28 11:12:25
模塊，同樣的程序可以驅(qū)動(dòng)這兩個(gè)模塊，而且。實(shí)現(xiàn)的功能也一樣，也就是說(shuō)，這兩個(gè)芯片的寄存器地址、內(nèi)容、操作命令等基本一樣。
3、發(fā)射功率對(duì)比：Si24r1號(hào)稱最高能達(dá)到7dB的發(fā)射功率，描述中稱寄存器
2025-11-28 11:10:28
SI24R1 無(wú)線通信模塊開發(fā)
在嵌入式系統(tǒng)中，無(wú)線通信模塊的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。SI24R1 是一款高性能的 2.4GHz 無(wú)線收發(fā)芯片，支持多種通信模式和功能，適用于遙控、傳感器數(shù)據(jù)傳輸?shù)榷喾N應(yīng)用場(chǎng)
2025-11-28 11:04:27
SI24R1 無(wú)線通信模塊開發(fā)
在嵌入式系統(tǒng)中，無(wú)線通信模塊的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。SI24R1 是一款高性能的 2.4GHz 無(wú)線收發(fā)芯片，支持多種通信模式和功能，適用于遙控、傳感器數(shù)據(jù)傳輸?shù)榷喾N應(yīng)用場(chǎng)
2025-11-28 11:02:23
? ?小體積QFN16的Si502、Si502B均為高度集成的NFC前端芯片，工作頻率為13.56MHz，支持多種主動(dòng)/被動(dòng)非接觸式通信協(xié)議（ISO 14443 A/B、Felica、NFCIP-1
2025-11-27 14:45:54205 
芯片是RFID標(biāo)簽的核心“心臟”，直接決定系統(tǒng)的穩(wěn)定性和距離表現(xiàn)。SI24R2E和SI24R2F系列2.4GHz有源RFID SoC芯片，以超低功耗和長(zhǎng)距離傳輸著稱，完美適配電動(dòng)車場(chǎng)景。兩者均為
2025-11-20 17:21:10
深圳市三佛科技有限公司介紹：SI13305/SI13303非隔離5V 3.3V經(jīng)濟(jì)、緊湊的供電解決方案
SI13305/SI13303應(yīng)用領(lǐng)域：智能家居，小家電，可控硅驅(qū)動(dòng)、繼電器驅(qū)動(dòng)
2025-11-19 18:07:14
Si85853D-IS型號(hào)介紹： 今天我要向大家介紹的是 skyworks 的收發(fā)器——Si85853D-IS。 它擁有強(qiáng)大的隔離能力和抗干擾能力
2025-11-14 17:12:27
Si2434型號(hào)介紹： 今天我要向大家介紹的是 skyworks 的解調(diào)器——Si2434。 它通過將傳統(tǒng)調(diào)制解調(diào)器所需的眾多分立元件（如DSP
2025-11-14 16:51:08
Si2415型號(hào)介紹： 今天我要向大家介紹的是 skyworks 的解調(diào)器——Si2415。 它通過將 DAA、DSP、控制器和多種接口功能整合
2025-11-14 16:24:55
Si2404型號(hào)介紹： 今天我要向大家介紹的是 skyworks 的耦合器——Si2404。 它通過高度集成的硅DAA技術(shù)，將傳統(tǒng)上需要多個(gè)分立元件的功能整合
2025-11-14 15:56:10
Vishay/BC Components 156 PUM-SI鋁電解電容器是一款超小型卡接電容器，在85°C條件下使用壽命長(zhǎng)達(dá)5000小時(shí)。該電容器具有±20%的C~R~ 容差、高紋波電流能力、低
2025-11-12 16:03:46388 
小體積QFN16的Si502、Si502B均為高度集成的NFC前端芯片，工作頻率為13.56MHz，支持多種主動(dòng)/被動(dòng)非接觸式通信協(xié)議（ISO 14443 A/B、Felica、NFCIP-1
2025-11-11 15:28:56234 
MHz時(shí)的75 dB阻塞天線分集和T/R開關(guān)控制
高度可配置的包處理程序 TX和RX 64字節(jié)FIFO自動(dòng)頻率控制(AFC)自動(dòng)增益控制(AGC)低物料清單
DP4363PCB圖：
SI4463PCB圖
2025-10-30 10:07:53
SI3933是一款三通道低功耗ASK接收機(jī)芯片，專為15kHz-150kHz低頻載波頻率檢測(cè)而設(shè)計(jì)。這款芯片的主要功能是檢測(cè)低頻數(shù)字信號(hào)并產(chǎn)生喚醒信號(hào)，廣泛應(yīng)用于各種無(wú)線喚醒場(chǎng)景。 SI
2025-10-13 09:27:07104 
? ? ? ?在高壓功率電子領(lǐng)域，硅基氮化鎵（GaN-on-Si）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）因其優(yōu)異的性能與成本優(yōu)勢(shì)展現(xiàn)出巨大潛力。然而，Si與GaN材料之間嚴(yán)重的晶格失配導(dǎo)致外延層中存在高密度缺陷
2025-09-26 16:48:581017 
RF4463PRO無(wú)線收發(fā)模塊基于Silicon Labs Si4463 Rev.C芯片，支持142–1050 MHz寬頻率范圍，具備+20 dBm發(fā)射功率、-126 dBm接收靈敏度及多種調(diào)制方式
2025-09-23 13:51:592905 
在鐵路行業(yè)這個(gè)充滿挑戰(zhàn)與變化的環(huán)境中，效率和準(zhǔn)時(shí)性至關(guān)重要。然而，隨著鐵路網(wǎng)絡(luò)的老化、機(jī)械故障的頻發(fā)以及不可預(yù)見的維護(hù)需求，確保列車運(yùn)行的安全與高效已成為鐵路工程師們面臨的一項(xiàng)艱巨任務(wù)。Flir Si2-Pro聲學(xué)成像儀的出現(xiàn)，正悄然改變著鐵路維護(hù)的方式，為鐵路工程師們?cè)\斷與修復(fù)故障提供了高效率的解決方案。
2025-09-18 11:08:08787 SI522A是一款國(guó)產(chǎn)高度集成的工作在13.56MHz的非接觸式讀寫器芯片，支持ISO/IEC 14443 A/MIFARE協(xié)議，并具備ACD自動(dòng)載波偵測(cè)功能。 這款芯片沒有復(fù)雜的外圍電路，其內(nèi)
2025-09-16 17:42:32687 Wisim SI是一款高效、精準(zhǔn)的頻域信號(hào)完整性物理驗(yàn)證EDA仿真工具。能夠高效準(zhǔn)確地為設(shè)計(jì)人員提取信號(hào)或電源平面的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)(S/Y/Z)，并進(jìn)行噪聲分布及諧振模式分析，在設(shè)計(jì)初期發(fā)現(xiàn)和定位設(shè)計(jì)中的各種風(fēng)險(xiǎn)及問題，給出準(zhǔn)確直觀的優(yōu)化方向。
2025-09-11 11:42:27757 
### **SI4880DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介****型號(hào)**：SI4880DY-T1-E3-VB **封裝類型**：SOP8 **配置**：?jiǎn)蜰型
2025-09-06 16:19:25
### SI4832BDY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SI4832BDY-T1-E3-VB 是一款 **N通道** MOSFET，采用 **SOP8** 封裝，采用 **Trench
2025-09-06 16:03:19
### SI4688DY-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SI4688DY-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單 N 通道 MOSFET，專為高效電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的最大漏源電壓
2025-09-06 14:52:17
### SI4688DY-T1-GE3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SI4688DY-T1-GE3-VB 是一款 **N通道** MOSFET，采用 **SOP8** 封裝，具備 **Trench
2025-09-06 14:50:15
### SI4646DY-T1-GE3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SI4646DY-T1-GE3-VB 是一款由 **Vishay** 生產(chǎn)的 **N通道** MOSFET，采用 **SOP8
2025-09-06 14:33:17
### SI4420DY-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SI4420DY-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單極性 N 通道 MOSFET，具有 30V 的漏極源極電壓（VDS）和高達(dá) ±20V 的柵
2025-09-06 14:26:40
### SI4410DYTRPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**SI4410DYTRPBF-VB** 是一款高效能的單N通道MOSFET，封裝為SOP8，具有優(yōu)異的電流承載能力與低導(dǎo)通電阻，專為電源開關(guān)與高
2025-09-06 13:46:12
### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：SI4334DY-T1-E3SI4334DY-T1-E3 是一款基于 Trench 技術(shù)的單 N 型 MOSFET，采用 SOP8 封裝，專為高效能、低功耗電流開關(guān)和電源管理
2025-09-06 11:09:06
合科泰SI2301是一款采用SOT-23封裝的P-CHANNEL MOSFET，專為DC-DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)。2.8-3.0mm×1.2-1.4mm的超小尺寸適合高密度PCB布局，通過超低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性設(shè)計(jì)，為電子設(shè)備提供高效能功率控制解決方案。
2025-09-03 10:06:551048 Si523是一個(gè) 13.56MHz 的非接觸式讀寫器芯片，支持 ISO/IEC 14443 A/B/MIFARE協(xié)議。內(nèi)部集成低功耗自動(dòng)尋卡與定時(shí)喚醒功能，可編程尋卡時(shí)間間隔，尋卡過程無(wú)需 MCU
2025-08-27 09:37:50
600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS)，SiC MOS和GaN HEMT競(jìng)爭(zhēng)最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間，其典型應(yīng)用為高頻高效高功率密度電力電子。通過對(duì)比分析Infineon
2025-08-16 16:29:143565 
知識(shí)星球，歡迎學(xué)習(xí)交流導(dǎo)語(yǔ)：在2025年上海車展上，混合碳化硅（SiC）與硅（Si）基器件的混碳方案多次出現(xiàn)在我們的視野。這一技術(shù)通過巧妙的拓?fù)鋬?yōu)化與芯片級(jí)混合布局
2025-08-16 07:00:002374 
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于SiC+Si多變量融合逆變器·從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析-原創(chuàng)文章，僅用于SysPro內(nèi)部使用，非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-本篇節(jié)選，完整內(nèi)容在知識(shí)
2025-08-15 08:32:323852 本文介紹了如何SI5351基本特性原理，如何用STM32單片機(jī)驅(qū)動(dòng)SI5351模塊輸出三路的正弦波信號(hào)
2025-08-10 15:02:154110 
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲系列-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：TMC現(xiàn)場(chǎng)記錄、Horse、Hofer、Vitesco-本篇為節(jié)選
2025-08-07 06:53:441553 ,250Kbps 三種數(shù)據(jù)速率。高的數(shù)據(jù)速率可以在更短的時(shí)間完成同樣的數(shù)據(jù)收發(fā)，因此可以具有更低的功耗。芯片輸出功率可調(diào)節(jié)，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合配置相應(yīng)適合的輸出功率，節(jié)省系統(tǒng)的功耗。Si24R1 針對(duì)
2025-07-31 10:29:17
三種數(shù)據(jù)速率。高的數(shù)據(jù)速率可以在更短的時(shí)間完成同樣的數(shù)據(jù)收發(fā)，因此可以具有更低的功耗。SI24R2E作為電子學(xué)生卡、人員定位標(biāo)簽、電動(dòng)車安全管理的成熟應(yīng)用芯片，對(duì)于這類低功耗應(yīng)用場(chǎng)合也有特別優(yōu)化，在
2025-07-31 10:07:12
操作、數(shù)據(jù)傳輸或智能控制。以下是基于SI24R1、CB2401和AT2401C芯片的電動(dòng)滑板無(wú)線控制方案推薦及分析，結(jié)合其技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。
SI24R1是一款2.4GHz ISM頻段無(wú)線收發(fā)芯片
2025-07-29 17:04:45
在半導(dǎo)體行業(yè)中，硅基光電子技術(shù)是實(shí)現(xiàn)光互聯(lián)、突破集成電路電互聯(lián)瓶頸的關(guān)鍵，而在硅si襯底上外延生長(zhǎng)高質(zhì)量GaAs薄膜是硅基光源單片集成的核心。臺(tái)階儀作為重要的表征工具，在GaAs/Si異質(zhì)外延研究中
2025-07-22 09:51:18537 
硼摻雜氧化硅(SiO?:B)層；背面：N?O等離子體處理的n型多晶硅(poly-Si(n))；單步共退火同步形成雙面結(jié)構(gòu)，消除BSG清洗步驟。美能PL/EL一體機(jī)
2025-07-14 09:03:211136 
2008款寶馬X53.0Si車K-CAN總線故障江蘇汽車技師學(xué)院韓亞芹故障現(xiàn)象故障診斷故障排除一輛2008款寶馬X53.0Si車，搭載N52B30BF發(fā)動(dòng)機(jī)，累計(jì)行駛里程約為19萬(wàn)km。該車進(jìn)廠養(yǎng)護(hù)
2025-07-11 17:35:56632 
您是否在為設(shè)備故障檢測(cè)而煩惱？是否希望找到一種智能化、高效化的手段來(lái)降低運(yùn)營(yíng)成本、優(yōu)化流程？FLIR Si系列聲學(xué)成像儀正是您需要的解決方案！
2025-07-09 18:09:21840 本帖最后由 jf_54572070 于 2025-7-9 10:59 編輯
型號(hào)
LT1542SI LT1542SI-X LT1702SI
LT1543SI
2025-07-09 09:37:24
在鐵路行業(yè)中，安全始終是首要任務(wù)。而鐵路制動(dòng)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行，則是保障列車安全行駛的關(guān)鍵。然而，制動(dòng)系統(tǒng)中的空氣泄漏問題卻像是一個(gè)隱形的敵人，悄無(wú)聲息地威脅著列車的安全與效率。今天，小菲就來(lái)說(shuō)說(shuō)FLIR Si1-LD聲學(xué)成像儀，成為鐵路維護(hù)人員檢測(cè)并優(yōu)先處理制動(dòng)系統(tǒng)空氣泄漏得力助手的五大優(yōu)勢(shì)！
2025-07-07 16:54:48859 TOPCon技術(shù)通過超薄SiO?和磷摻雜多晶硅（n?-poly-Si）層實(shí)現(xiàn)載流子選擇性傳輸，理論效率可達(dá)28.7%。然而，poly-Si層厚度存在矛盾：過厚層（>100nm）增加寄生吸收損失，過薄層（
2025-06-27 09:02:152880 在防爆行業(yè)，安全與效率是企業(yè)運(yùn)營(yíng)的重中之重，F(xiàn)LIR Si2x系列聲學(xué)成像儀，憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，成為了眾多用戶的佳選，那么它為何如此受歡迎呢？
2025-06-13 11:29:15793 Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
2025-06-06 08:25:172984 深圳市三佛科技有限公司介紹SI1321X非隔離降壓恒壓芯片
SI1321X系列有：SI13213L，SI13213H，SI13215L，SI13215HSI1321XSI1321X 非隔離降壓恒壓
2025-06-05 10:11:10
芬蘭國(guó)家歌劇院和芭蕾舞團(tuán)(FNOB)每年都要上演近500場(chǎng)演出，吸引約25萬(wàn)名觀眾，在芬蘭文化領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。然而，在這光鮮舞臺(tái)的背后，是維護(hù)團(tuán)隊(duì)日復(fù)一日、默默無(wú)聞的辛勤付出。他們面對(duì)的，是一系列復(fù)雜且棘手的維護(hù)難題，F(xiàn)LIR Si2聲學(xué)成像儀的出現(xiàn)，為這些難題提供了高效的解決方案。
2025-06-03 16:09:46687 粉塵爆炸是工業(yè)環(huán)境中不容忽視的重大安全隱患，尤其在ATEX 22區(qū)，其潛在威脅不容忽視。為了有效應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，F(xiàn)LIR Si2x聲學(xué)成像儀應(yīng)運(yùn)而生。它能夠精確檢測(cè)壓縮空氣泄漏與機(jī)械故障的聲音信號(hào)，幫助我們及時(shí)發(fā)現(xiàn)并處理潛在風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)，從而有效預(yù)防粉塵爆炸事故的發(fā)生，確保工業(yè)生產(chǎn)的安全與穩(wěn)定。
2025-05-23 14:40:22719 瑞沃微作為半導(dǎo)體封裝行業(yè)上先進(jìn)封裝高新技術(shù)企業(yè)，對(duì)CSP（芯片級(jí)封裝）技術(shù)在不同領(lǐng)域的應(yīng)用有不同見解。CSP封裝憑借其極致小型化、高集成度和性能優(yōu)越性，在LED、SI基IC等領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，但也存在一定劣勢(shì)。
2025-05-16 11:26:251124 
產(chǎn)品，今天小菲隆重介紹一款革新性的工業(yè)聲學(xué)成像儀——FLIR Si1-LD，它以卓越的性能和親民的價(jià)格，成為工業(yè)泄漏檢測(cè)領(lǐng)域的新選擇。
2025-05-16 11:02:44863 在高速數(shù)字設(shè)計(jì)和高速通信系統(tǒng)中，多層PCB板被廣泛采用以實(shí)現(xiàn)高密度、高性能的電路布局。然而，隨著信號(hào)速度和密度的增加，信號(hào)完整性（SI）和電源完整性（PI）問題變得越來(lái)越突出。有效的SI/PI分析
2025-05-15 17:39:23984 ，設(shè)置電話號(hào)碼，拒絕陌生來(lái)電，保護(hù)學(xué)生安全。
進(jìn)而很多人可能在想，那卡片機(jī)電量這塊如何保證，看起來(lái)很耗電，一般都是充滿即可用1-2周時(shí)間，所以在原有跟我司合作SI24R2E做白卡/校徽的客戶群體，在新的卡片機(jī)應(yīng)用，我們是更加推薦用SI24R2F，這款芯片是R2E的迭代
2025-04-30 10:48:42
）；(3) 距離比其他系列芯片更長(zhǎng)，可達(dá) 5m 左右。4.之前用的是 BLE 方案，距離不夠穩(wěn)定，SI3933 能符合 PKE 的產(chǎn)品嗎？穩(wěn)定性怎么樣？符合。穩(wěn)定性很好，經(jīng)過市場(chǎng)檢驗(yàn)的產(chǎn)品。
2025-04-30 10:04:12
提出了一種用于電機(jī)溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的無(wú)線數(shù)據(jù)收發(fā)節(jié)點(diǎn)模塊設(shè)計(jì)方案,利用LPC1114的省電耗模式配合Si4432集成芯片實(shí)現(xiàn)無(wú)線收發(fā)模塊的低功耗。另外,針對(duì)模塊硬件實(shí)現(xiàn)RF前端高頻電路設(shè)計(jì)和前期仿真做出
2025-04-30 00:42:02
在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域，產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要，容不得半點(diǎn)妥協(xié)或瑕疵。畢竟，生產(chǎn)過程中的任何污染物都可能成為決定生死的關(guān)鍵因素。今天小菲就來(lái)給大家說(shuō)一個(gè)英國(guó)醫(yī)療器械生產(chǎn)商，使用FLIR Si2聲學(xué)成像儀節(jié)約生產(chǎn)成本的真實(shí)案例！
2025-04-10 14:08:13895 李老師經(jīng)過深思熟慮和精心整理，歷時(shí)五日，為大家構(gòu)建了一個(gè)全面而系統(tǒng)的學(xué)習(xí)框架，涵蓋了信號(hào)完整性（SI）、電源完整性（PI）、高速接口、反射、串?dāng)_、電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）、電源噪聲、高速接口、SERDES、DDR5/
2025-03-31 14:45:27721 
電路小白請(qǐng)大佬看一下這個(gè)Si8273隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器的電路，有一些問題，VDD2無(wú)論輸入多少伏，VDDA-GND電壓差一直在1.8-2.2V上不去，而芯片手冊(cè)要求VDDA，VDDB——GNDA，GNDB要在4.2V-30V之間，求解求解！請(qǐng)多指教，謝謝！
2025-03-20 17:07:50
如果想要說(shuō)明白GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別，首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性，然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
2025-03-14 18:05:172381 在工業(yè)檢測(cè)領(lǐng)域，每一步革新都意味著生產(chǎn)效率與安全性的雙重提升。今天，小菲向您隆重介紹FLIR Si2x系列聲學(xué)成像儀，這款專為危險(xiǎn)工業(yè)環(huán)境設(shè)計(jì)的防爆“新星”，以其出色的防爆性能、卓越的聲學(xué)成像技術(shù)以及先進(jìn)的智能數(shù)據(jù)分析功能，引領(lǐng)著工業(yè)檢測(cè)的新潮流。
2025-03-06 15:00:111035 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1740SI P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 17:51:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1754SI N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-03-05 16:56:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1729SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 18:05:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1701SI-X P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:43:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1713SI N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:33:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1725SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:32:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1702SI P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:01:251 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1701SI P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 15:47:580 拿到一個(gè)ST的宣傳材料，該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案，也找了文章了解了一下原理。資料有限，標(biāo)題的問題沒找到答案。有哪位大神愿意分享一下呢?
2025-03-01 14:37:152091 
、NZ3802
SI522A低功耗模式下，讀卡距離可達(dá)3cm~5cm。這兩顆芯片針對(duì)市場(chǎng)低功耗模式下極其不穩(wěn)定的痛點(diǎn)，憑借著超低功耗、穩(wěn)定的低功耗模式，及軟硬件直接兼容MFRC522FM17550
2025-02-27 13:53:53
南京中科微這款SI522目前完全PinTOPin兼容的NXP：RC522、CV520復(fù)旦微：FM17520、FM17522/FM17550瑞盟：MS520、MS522國(guó)民技術(shù):NZ3801
2025-02-27 10:22:44
特點(diǎn)Silicon Laboratories的Si4430/31/32器件是高度集成的單芯片無(wú)線ISM收發(fā)器。高性能EZRadioPRO?系列包括一整套發(fā)射機(jī)、接收機(jī)和收發(fā)機(jī)，允許射頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)者為其
2025-02-18 11:02:00
SI5324E-C-GMR是一款高性能的時(shí)鐘發(fā)生器，專為滿足現(xiàn)代通信和數(shù)據(jù)處理需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品由SKYWORKS制造，具備出色的頻率穩(wěn)定性和低相位噪聲特性，適合多種高精度應(yīng)用。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:24:58
SI5326B-C-GMR是一款高性能的時(shí)鐘發(fā)生器，專為滿足現(xiàn)代通信和數(shù)據(jù)處理需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品由SKYWORKS制造，具備卓越的頻率穩(wěn)定性和低相位噪聲特性，適合多種高精度應(yīng)用。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:24:13
SI5344B-D06540-GMR是一款高性能的時(shí)鐘發(fā)生器，專為滿足現(xiàn)代通信和數(shù)據(jù)處理需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品由SKYWORKS制造，具有出色的頻率穩(wěn)定性和低相位噪聲特性，適合多種高精度應(yīng)用。目前可提供
2025-02-14 07:22:19
SI5330B-B00205-GM Skyworks Inc
2025-02-10 20:59:09
如需了解價(jià)格貨期等具體信息，歡迎在首頁(yè)找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會(huì)被吞，收不到留言。 SI4460-B1B-FMR 產(chǎn)品概述 SI4460-B1B-FMR是Silicon Labs推出的一款高性能無(wú)線收發(fā)器，適用于ISM頻段（
2025-02-10 20:46:58
如需了解價(jià)格貨期等具體信息，歡迎在首頁(yè)找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會(huì)被吞，收不到留言。 SI7020-A20-IM1R 產(chǎn)品概述 SI
2025-02-10 20:42:32
SI8932D-IS4R 產(chǎn)品概述SI8932D-IS4R是一款高性能的隔離型數(shù)字信號(hào)調(diào)理器，專為工業(yè)自動(dòng)化、智能電網(wǎng)和其他要求高可靠性的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品提供出色的信號(hào)隔離能力和高精度的信號(hào)處理
2025-02-08 23:14:19
SI8921BB-ISR 產(chǎn)品概述SI8921BB-ISR是一款高性能的隔離型信號(hào)調(diào)理器，專為工業(yè)自動(dòng)化、智能電網(wǎng)和其他高可靠性應(yīng)用設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品提供了優(yōu)異的信號(hào)隔離和高精度的信號(hào)處理能力，確保在各種
2025-02-08 23:12:22
超低功耗高性能 125KHz 喚醒功能 2.4GHz 無(wú)線單發(fā)射芯片 --Si24R2H
Si24R2H 是一顆工作在 2.4GHz ISM 頻段發(fā)射和 125KHz 接收，專為超低功耗無(wú)線應(yīng)用場(chǎng)
2025-01-24 10:48:52
2.4G完成即可，2.4G傳輸速度快，距離遠(yuǎn)，基本是瞬間完成傳輸，而且還能大大降低功耗。
正是因?yàn)檫@樣的優(yōu)點(diǎn)，我司及時(shí)推出了低成本國(guó)產(chǎn)解決方案--SI3933，它是一款125KHz三通道低功耗喚醒
2025-01-23 14:26:23
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572635 
Si24R05B是一款高度集成的低功耗 SOC 芯片，具有低功耗、Low Pin Count、寬電壓工作范圍，集成了 13/14/15/16 位精度的 ADC、LVD、UART、SPI、I2C
2025-01-16 15:53:33
今天我們來(lái)聊聊Si522A這顆非接觸式讀卡芯片是如何在讀卡芯片里實(shí)現(xiàn)超低功耗的功能？ 首先我們可以看到它擁有獨(dú)特的ACD探卡功能，也叫超低功耗自動(dòng)載波偵測(cè)功能，它可以使整機(jī)功耗低，由Si522A自動(dòng)
2025-01-10 16:09:071222 
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