mos在控制器電路中的工作狀態：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過度過程）、截止狀態、mos主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗（開通過程和導通過程），導通損耗，截止損耗以及雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。?

mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發熱損壞、內置二極管破壞、由寄生振蕩導致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來就由小編針對mos管的損壞原因做以下簡明介紹。

1、雪崩損壞?

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。 在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率mos的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩損壞。?

2、器件發熱損壞?

該種損壞是由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率和瞬態功率兩種。

(1)直流功率是由外加直流功率而導致的損耗引起的發熱，損耗有導通電阻RDS(on)損耗（高溫時RDS(on)增大，導致一定電流下，功耗增加）、由漏電流IDSS引起的損耗（和其他損耗相比極小）。?

(2)瞬態功率是由外加單觸發脈沖而導致的損耗引起的發熱，損耗負載短路、開關損耗（接通、斷開，與溫度和工作頻率是相關的）、內置二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗，與溫度和工作頻率是相關的）。 器件正常運行時不發生的負載短路等引起的過電流，造成瞬時局部發熱而導致破壞。另外，由于熱量不相配或開關頻率太高使芯片不能正常散熱時，持續的發熱使溫度超出溝道溫度導致熱擊穿的破壞。?

3、內置二極管破壞?

在DS端間構成的寄生二極管運行時，由于在Flyback時功率mos的寄生雙極晶體管運行，導致此二極管破壞的模式。?

4、由寄生振蕩導致的破壞?

此種破壞方式在并聯時極易發生。在并聯功率mos時未插入柵極電阻而直接連接時發生的柵極寄生振蕩。高速反復接通、斷開漏極-源極電壓時，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發生此寄生振蕩。當諧振條件(ωL=1/ωC)成立時，在柵極-源極間外加遠遠大于驅動電壓Vgs(in)的振動電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導致柵極破壞，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓通過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋，因此可能會由于誤動作引起振蕩破壞。

5、柵極電涌、靜電破壞?

主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過電壓破壞和由上電狀態中靜電在GS兩端（包括安裝和和測定設備的帶電）而導致的柵極破壞。?

以上有關mos損壞的原因就講到這里啦，咱們下期再見啦~?

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審核編輯：符乾江