快速異步型SRAM，存取時間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。這些存儲器通常應用于老式系統中，且功耗較高。其典型應用包括老式PC L2高速緩沖存儲器、高速暫存器以及工業應用中的緩沖存儲器。
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偉凌創芯4Mbit異步快速SRAM芯片EMI504WF16VA-10I是4Mbit異步快速SRAM芯片，位寬為256K*16K字。它使用16條公共輸入和輸出線，并有一個輸出使能引腳，其運行速度比讀取周期中的地址訪問時間快。采用先進的CMOS工藝、基于6-TR的單元技術制造，專為高速電路設計技術。它特別適用于高密度高速系統應用。代理商英尚國際支持提供樣品測試及必要的FAE技術支持。
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特征
快速訪問時間8ns、10ns、12ns。
?CMOS低功耗待機
?單3.3±0.3V,5.0±0.5V電源
?電源范圍廣：1.65V~3.6V。
?TTL兼容輸入和輸出
?完全靜態操作。
?三個狀態輸出。
?數據字節控制（x8,x16模式）。
?標準44TSOP2封裝。
?工業操作溫度。
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封裝引腳配置
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安徽偉凌創芯微電子是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注SRAM存儲、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售。為行業客戶提供高品質、低成本，供貨持續穩定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等

審核編輯：符乾江