AHS 產品的多功能性來自其人員在薄膜復合技術和器件設計和加工的不同方面積累的大量專業知識，尤其是分子束外延 (MBE) 方面的獨特專業知識，最復雜的微電子行業必須使用的薄膜工具。

　　AHS 正在將“二維電子氣 ( 2-DEG )”薄膜、由 III-V 族化合物制成的結構推向市場，其性能優于硅、GaAs、InAs 或 InSb 霍爾效應器件和磁電阻器。這些適應性強的磁性傳感器由 AHS 專門定制，以滿足一系列定制和工業要求，提供多種特性選擇（參見產品數據表）。

　　AHS 在 MBE 生長的2-DEG 結構方面的獨特專業知識 使其在市場上占有一席之地，難怪我們是全球唯一一家提供這種新技術并挑戰更成熟技術的公司。

　　AHS 新一代霍爾效應元件基于兩種獨特的技術：砷化鎵 ( GaAs )* 和變質 InGaAs ( mGaAs ) 技術。

　　大多數 AHS 傳感器的操作依賴于“帶隙工程”的概念，而不是依賴于半導體“體”特性的傳統半導體霍爾效應傳感器。換句話說，傳感器的物理特性經過精心設計，可以實現使用自然體積特性根本不可行的所需任務。

　　半導體材料的電子行為首先受“爆炸間隙”控制，這是通常禁止攜帶電荷的粒子（如電子）的能量狀態。通過帶隙工程，分子束外延 (MBE) 的原子層精度用于沉積極薄的化合物半導體，厚度為 10-20 nm（即 10-20 毫米的百萬分之一）。在成品結構的深處，通過生長特定的材料組合形成勢阱，這些材料將攜帶電荷的電子限制在固定的量子能態中，因此被稱為“量子阱”。

　　AHS 在帶隙工程和量子阱結構方面的專業知識隨后被轉化為傳統“體”或“薄膜”半導體所不具備的物理特性。

　　例如，量子阱 (QW) 是通過在兩個稍厚、帶隙較大的半導體（例如 AlGaAs 或 InAlAs）之間插入非常薄的 GaAs 或 InGaAs 薄膜來構建的，從而產生了量子阱概念（見圖 1）。這個 QW 然后能夠“捕獲”電子，然后被稱為二維電子氣體 (2DEG)，之所以這么叫是因為它們被捕獲在 QW 平面內，實際上將它們限制在二維，而不是自由地“漫游” 3D 中的半導體晶體與傳統霍爾效應傳感器的情況一樣。

AHS制造的QW霍爾效應傳感器的通用結構如下圖所示：

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　　霍爾傳感器的每個組件都經過優化，以在非常大的溫度和磁場范圍內運行。對材料系統和 QW 厚度及其相關 2DEG 的控制允許控制磁靈敏度，范圍為 180 - 1000 V/AT（現有商用 GaAs、InAs 或 InSb 霍爾傳感器的 2 到 5 倍，具有非常低熱漂移 (< -0.05% oC) 和磁性非線性 (<1%)。

　　新型 2-DEG 霍爾效應元件具有出色的性能，并且在材料層面具有異常可控的參數，具有：

　　a. 靈敏度

　　可變且達到比傳統 GaAs 更高的靈敏度。它是材料層面（晶圓生長）的可控參數，遠優于磁場B大于0.2T時InSb霍爾元件的靈敏度

　　b. 出色的溫度穩定性——極低的漂移

　　可控且可預測的溫度系數。

　　（放大與磁場）。

　　c. 無壓電效應

　　商用霍爾效應元件通過修改輸出電壓與磁通密度曲線來響應應力。因此，來自熱源、冷源或機械源的環境壓力會影響商用霍爾效應元件的輸出。AHS 元件不會受到這種影響，因此不需要任何特殊處理。

　　d. 高達數 MHz 的極高帶寬操作。

　　e. 偏移電壓

　　由于 2DEG 結構的高遷移率，因此偏移非常低。

　　AHS霍爾傳感器源網頁：Blank page | Advanced Hall Sensors Ltd

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