相比于其他市場，汽車市場更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM在汽車行業(yè)的銷售數(shù)量已超過8億臺(tái)，技術(shù)已相當(dāng)成熟，汽車行業(yè)的客戶完全可以對(duì)此放心無憂
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為什么要在汽車中使用“FRAM”?
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與EEPROM和FLASH非易失性內(nèi)存相比，F(xiàn)RAM在EDR應(yīng)用上有三大關(guān)鍵優(yōu)勢。對(duì)于那些有精確時(shí)間要求的應(yīng)用來說，F(xiàn)RAM會(huì)立即具備非易失性。這些應(yīng)用在系統(tǒng)發(fā)生故障時(shí)，最重要的數(shù)據(jù)，如數(shù)據(jù)記錄器通常會(huì)面臨風(fēng)險(xiǎn)。FRAM擦寫周期為10E+14，而EEROM為10E+6，F(xiàn)LASH為10E+5，。因此FRAM是數(shù)據(jù)記錄器的理想選擇，其數(shù)據(jù)可持續(xù)寫入。FRAM的讀寫操作功耗低，對(duì)于具有獨(dú)立有限電源如電池或電容的應(yīng)用來說，尤其具有高效性。
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FRAM更能適應(yīng)外界溫度，這意味著工作溫度升高時(shí)，其擦寫周期和數(shù)據(jù)保留更能經(jīng)受考驗(yàn)。許多EEPROM耐溫為85°C，在耐溫要求為125°C的汽車應(yīng)用中，耐擦寫能力會(huì)降到10E + 5，因此不適于汽車應(yīng)用。
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大多數(shù)現(xiàn)有的EDR解決方案是將連續(xù)數(shù)據(jù)記錄到RAM緩沖區(qū)，只有在事故期間觸發(fā)安全氣囊展開算法時(shí)才轉(zhuǎn)移到非易失性內(nèi)存。因此，如果事故幾乎致命，安全氣囊沒有打開，且電源缺失，碰撞數(shù)據(jù)將有可能不會(huì)保存到非易失性空間。這樣EDR就沒有最后一刻的數(shù)據(jù)，將無法進(jìn)行事故還原。由于FRAM可以存儲(chǔ)最后一刻碰撞數(shù)據(jù)，且不需要任何外部電源，因而可以在這種情況下發(fā)揮關(guān)鍵作用。以下為FRAM在汽車應(yīng)用方面的關(guān)鍵優(yōu)勢:
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在SRAM中接近無限次的擦寫周期：
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FRAM可以用作SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。運(yùn)行期間，控制器能直接在FRAM中連續(xù)記錄事故。FRAM是一種非易失性內(nèi)存，掉電情況下也可保存數(shù)據(jù)。因此，即使主電源發(fā)生災(zāi)難性的破壞，最后一刻數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。由于數(shù)據(jù)直接寫入FRAM，因此無需將最后一刻的數(shù)據(jù)從SRAM轉(zhuǎn)移到非易失性空間，如EEPROM或Flash中。使用FRAM，無需備用電源，即可保存最后一刻的碰撞數(shù)據(jù)。
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圖1:Cypress的FRAM擦寫周期與EEPROM和Flash的對(duì)比

無寫延遲：
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某些事故需要每秒鐘記錄1000次，以捕捉每一個(gè)細(xì)節(jié)，這對(duì)于現(xiàn)有的EEPROM和基于Flash的EDR而言是個(gè)很大的挑戰(zhàn)。EEPROM通常是逐頁存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，每兩頁之間需要幾毫秒的存儲(chǔ)時(shí)間延時(shí)，從而限制了數(shù)據(jù)記錄功能。FRAM的“無延遲”寫入功能，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)師可以系統(tǒng)總線速度獲得和寫入實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。
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快寫和低功耗：
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FRAM擁有高速串行SPI和I2C接口及高速并行同步訪問，加之其一流的非易失性寫入速度，使得控制器可以用較少的時(shí)間將數(shù)據(jù)寫入FRAM。其功耗只是現(xiàn)有方案總功率的一小部分。
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圖2:Cypress的FRAM能耗與EEPROM和Flash的對(duì)比

高可靠性：
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要實(shí)現(xiàn)精度、耐受性、可回收性及耐久性的目標(biāo)，EDR的數(shù)據(jù)可靠性至關(guān)重要。由于此內(nèi)存空間用來記錄關(guān)鍵的傳感器數(shù)據(jù)，因此汽車應(yīng)用必須具備高可靠性和數(shù)據(jù)完整性。lw