“GaN”中文名“氮化鎵”,是一種新型半導體材料,它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性,在早期廣泛運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、半導體照明、新一代移動通信,被譽為第三代半導體材料。隨著技術突破成本得到控制,目前氮化鎵還被廣泛運用到消費類電子等領域,充電器便是其中一項。
采用了GaN氮化鎵元件的充電器最直觀的感受就是體積小、重量輕,在發熱量、效率轉換上相比普通充電器也有更大的優勢,大大的提升了我們的使用體驗。
納微NV6115目前已被45W GaN PD充電器采用
納微半導體 NV6115 詳細資料
用料方面,市場上的大部分PD充電產品內部采用了行業前沿的GaN氮化鎵技術,內置Navitas納微半導體的NV6115氮化鎵芯片,高度集成的驅動電路和單晶片的設計使得氮化鎵芯片的開關頻率大幅度提高,最終實現產品的小型化和高效率。
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